【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ2017692
3DG3439型和3DG3440型
NPN硅小功率高反压晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforNPN silicon low-powerhigh-reverse-voltage transistor of types 3DG3439 and 3DG34401992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DG3439型和3DG3440型
NPN硅小功率高反压晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetailspecificationforNPNsiliconlow-powerhigh-reverse-voltagetransistoroftypes3DG3439and3DG34401范围
1.1主题内容
SJ20176-92
本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管（以下简称器件）的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级）。
中国电子工业总公司
1992-11-19发布
1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20176—92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-02B型及如下规定，见图1。
引出端极性：
1.发射极
3.集电极
中含0.30Mx@
图1外形尺寸
1.3最大额定值
3DG3439
3DG3440
TA-25℃
Te=25℃
注：1）T>>25C时，按4.57mW/C线性地降额。2)Te>25℃时，按28.5mW/C线性地降额。1.4主要电特性（TA=25℃）
A3-02B
在30500m
Tstg和T
-65~+200
-65~+200
符号(单位)
ft(MHz)
Cobo(pF)
VcE(sar)\(V)
VgE(an)(V)
注：1)脉冲法
引用文件
GB4587—84
GB7581—87
GJB33—85
GJB128--86
3要求
3.1详细要求
SJ20176-92
测试条件
Veg=-10V
Vee=10V
le-2mA
Vee=10V
le-20mA
Veg10v
Ic10mA
f-10MHz
Vea=10V
f-1MHz
lc=50mA
lc=50mA
Ig=4mA
(见4.5.1)。
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
最小值
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
最大值
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
SJ20176--92
：抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
中间参数测试
功率老化
最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
TA=25±3℃
Vcn=200V
Ptot-800mW
注：不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量一致性检验
Ieu和hres
测试或试验
按本规范表1的A2分组；
△co一初始值的100%或2μA，取其较大者；Ahp:=士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2输入电容
本试验应按本规范附录A规定的方法进行。4.5.3热阻（仅进行鉴定试验）
本试验应采用如下细节：
SJ20176—92
施加功率时的集电极电流应为90mA。b.
集电极一发射极电压为10V。
基准温度的测量点为管壳。
基准点温度应为25℃。
安装方法应是管壳带散热器。
最大极限应为35℃/W。
表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极一发射极维持电压
3DG3439
3DG3440
集电极一发射极截止电流
3DG3439
3DG3440
集电极一发射极截止电流
3DG3439
3DG3440
发射极一基极截止电流
集电极基极截止电流
3DG3439
3DG3440
集电极一基极截止电流
3DG3439
3DG3440
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极一发射极饱和压降
GJB128
GB4587
e=50mA
L-25mH
f-30~60Hz
发射极一基极开路
Veg-300V
Veg=200V
Vce=450V
Veg—300V
集电极一基极开路
Ven=7V
发射极一基极开路
Ve=360V
VcB=250V
发射极一基极开路
Vca=450V
Veg=300V
Veg-lov
脉冲法（见4.5.1)
Veg10v
Ic=2mA
脉冲法（见4.5.1)
Vcg=-10V
Ic=20mA
脉冲法（见4.5.1)
lc=50mA
Vegocsus)
VcE(t)
极限值
最小值最大值
检验或试验
基极一发射极饱和压降
A3分组
高温工作：
集电极一基极截止电流
3DG3439
3DG3440
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
特征频率
小信号短路正向电流传输
(适用时）
开路输出电容
输入电容
（输出开路）
小信号短路输入阻抗的实
(适用时）
饱和开启时间
饱和关闭时间
A5分组
安全工作区
（连续直流）
试验1
试验2
（仅对3DG3439）
本规范
附录A
SJ20176—92
续表1A组检验
GB4587
脉冲法（见4.5.1)
le=50mA
Ig=4mA
脉冲法（见4.5.1）
TA=+150℃
发射极一基极开路
Vea=360V
Vca=250V
TA--65℃
Vce=10V
le=20mA
脉冲法（见4.5.1）
Veg=10VIe=10mA
f-10MHz
f=1kHz
Veg-10V
le=-5mA
Veh10V1-0
V-5Vle-0
f=1MHz
（见4.5.2)
Vee=10V
Ic=5mA
f=1MHz
Ic=20mA
Ig=2mA
le=20mA
1812—2mA
Te=25℃
1个循环（见图2）
VeE-5V
VcE=-350V
le-14mA
VBEan)免费标准bzxz.net
极限值
最小值最大值
试验3
检验或试验
（仅对3DG3440）
最后测试：
A6分组
(不适用）
A7分组
（不适用）
Te(mA)
2.03.05.0
SJ20176—92
续表1A组检验
GB4587
VcE=250V
Ic=20mA
见表4，步骤1和3
Te25℃
3DG3440
3DG3439
200300400503
集电极--发射极电压Vee(V）
图2最大安全工作区（直流）
极限值
最小值最大值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
B4分组
开帽内部目检
(设计验证）
键合强度
B5分组
B6分组
高温寿命
(不工作）
最后测试：
SJ20176—92
表2B组检验
GJB128
见表4，步骤1和3
Vca=200V,Put=800mW
TA-25±3℃
不允许器件加散热器或强迫风冷见表4,步骤2和4
目检标准按鉴定时的设计
GB4587
TA=200℃
见表4，步骤2和4
每批一个器件，0失效
20(C=0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气(腐蚀）
C5分组
低气压
试验期间的测试
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
见图1
SJ20176—92
表3C组检验
GJB128
1056试验条件A
试验条件E
见表4，步骤1和3
见表4，步骤1和3
正常安装
气压值1kPa
最少60g
见表4，步骤1和5
1026TA25±3C.VcB=200V
P=800m
不允许器件加散热器或强迫风冷见表4，步骤2和4
极限值
最小值最大值
检验或试验
集电极一发射极截止电流
3DG3439
3DG3440
集电极一发射极敬止电流
3DG3439
3DG3440
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极一基极截止电流
SJ20176—92
表4B组和C组的电测试
GB4587
发射极一基极开路
Vee-300V
Vce=200V
发射极一基极开路
Vce-300V
Ver=200V
Vee=10V
lc=20mA
脉冲法（见4.5.1）
Ver-10V
lc=20mA
脉冲法（见4.5.1）
发射极一基极开路
Vca300V
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
Ahreat
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。10
极限值
最小值
最大值
初始值的
A1目的
SJ20176—92
附录A
输人电容（输出端开路或短路）测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，测试晶体管输入端的并联电容。测试电路
测试电路见图A1。
电压源
注：对于其他电路组态，可修改电以能证明晶体管与详细规范的最低要求一致。图A1输入电容（输出端开路或短路)测试电路A3步骤
电桥输入端之间的直流电阻应小，并能传输所要求的发射极电流而不影响测试要求的精度。将规定的电压及电流加到引出端上，并将交流小信号加到输入端上。将开关S断开或闭合则取决于输出端在交流短路或开路状态。然后测试输入电容。电容读数仪应与连接的电路无关，从而消除寄生电容和电路布线所引起的误差附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂共同负责起草。本规范主要起草人：王长福、吴鑫奎、龚云。计划项目代号：B91003。
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