【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ３ＤＫ２２２１(２２２１Ａ、２２２２、２２２２Ａ)型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK2221、3DK2221A、3DK2222、3DK2222A型NPN硅小功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforNPN siliconlow-powerswitchingtransistoroftypes3DK2221.3DK2221A3DK2222and3DK2222A
1范围
1.1主题内容
SJ20174—92
本规范规定了3DK2221、3DK2221A、3DK2222和3DK2222A型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。中国电子工业总公可1992-11-19发布1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20174—92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定，见图1。
引出端极性：
1.发射极
图1外形尺寸
3.集电极
A3-01B
1.3最大额定值
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2?22A
TA=25℃
Te=25℃
SJ20174—92
注：1）T^>25℃时，按2.85mW/℃的速率线性降额。2)Tc>25C时，按10.3mW/℃的速率线性降额。1.4主要电特性（TA=25℃）
符号(单位）
ft(MHz)
Cal(pF)
测试条件
Veg=10V
Vee=10V
Vea10V
le=10mA
Veg=10V
Icm150mA
Veg=10V
lc==500mA
f-100MHz
Veg10V
le-20mA
f=1MHz
Vca=10V
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
所有型号
所有型号
最小值
-65～+200
最大值
符号(单位)
Ve(mor)
测试条件
c=100mA
Ig=-10mA
7c=100mA
I8:-Ia2-10mA
Ic=150mA
Ig=15mA
Ic-500mA
Ig-50mA
lc=150mA
Ig=15mA
lc=500mA
Ig=50mA
注：1）脉冲法（见4.5.1)。
2引用文件
GB4587-—84
GB7581—87
GJB33-85
GJB128-86
3要求
SJ20174—92
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
最小值
最大值
3.1详细要求
SJ20174—92
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6)。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
中间参数测试
功率老化
最后测试
4.3.1功率老化条件
TA=25±3℃
Vc-24V(3DK2221.3DK2222)
VcB=30V(3DK2221A.3DK2222A）
Pot=400mW
注：不允许器件上加散热器或强迫风冷，4.4质量一致性检验
测试或试验
GT和GCT级
Ics、Icaoi和hp
本规范表1的A2分组；
AIcBoi=初始值的100%或5nA，取其较大者；AhFE:=士15%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
SJ20174-—92
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。：4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1的规定。4.5.2输入电容
本试验应按本规范附录B规定的方法进行。表 1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极一基极击穿电压
3DK2221.3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
发射极一基极击穿电压
3DK2221.3DK2222
3DK2221A、
3DK2222A
集电极一发射极击穿电压
3DK2221.3DK2222
3DK2221A、
3DK2222A
集电极一发射极截止电流
3DK2221.3DK2222
.3DK2221A.
3DK2222A
集电极一基极截止电流·
3DK2221、3DK2222
3DK2221A，
3DK2222A
发射极一基极敲止电流
GJB128
本规范
附录A
GB4587
发射极一基极开路
Tc=1QμA
集电极一基极开路
Ir=10μA
发射极一基极开路
lc=10mA
脉冲法（见4.5.1）
基极一发射极短路
Vce=30V
Vee=-50V
发射极一基极开路
Vea=50V
Vcs=60V
集电极一基极开路
VEn=4V
LTPD符
VnR)cao
V(BR)ZBO
VBRYCED
极限值
最小值最大值
检验或试验
正向电流传输比
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
正向电流传输比
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
正向电流传输比
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
正向电流传输比
3DK2221.3DK2221A
3DK2222、
3DK2222A
正向电流传输比
3DK2221.3DK2221A
3DK2222、
3DK2222A
集电极一发射极饱和压降
3DK2221.3DK2222
3DK2221A、
3DK2222A
集电极一发射极饱和压降
3DK2221,3DK2222
3DK2221A、
3DK2222A
基极一发射极饱和压降
3DK2221.3DK2222
3DK2221A、
3DK2222A
基极一发射极饱和压降
3DK2221.3DK2222
3DK2221A、
3DK2222A
SJ20174—92
续表1A组检验
GB4587
Veg10V
Ic=-0.1mA
Ver-10V
VcE-10V
lc=10mA
Vee=10V
Ic=150mA
脉冲法（见4.5.1)
Vee10V
lc=500mA
脉冲法（见4.5.1)）
lc=150mA
lg=15mA
脉冲法（见4.5.1)
lc=500mA
Ig=50mA
脉冲法（见4.5.1）
lc=150mA
Ig=15mA
脉冲法（见4.5.1）
lc=500mA
Ig=50mA
脉冲法（见4.5.1)
Vegcato
VcECY2
极限值
最小值最大值
检验或试验
A3分组
高温工作：
集电极一基极截止电流
3DK2221、
3DK2222
3DK2221A.
3DK2222A
低温工作：
正向电流传输比
3DK2221,3DK2222A
3DK2222.3DK2222A
A4分组
小信号短路正向电流传
输比（需要时）
3DK2221
3DK2222
3DK2221A
3DK2222A
特征额率
开路输出电容
输入电容
(输出开路）
饱和开启时间
3DK2221、3DK2222
3DK2221A、
3DK2222A
饱和关闭时间
3DK2221.3DK2222
3DK2221A、
3DK2222A
A5、A6和A7分组
不适用
本规范
附录B
SJ20174-92
续表1A组检验
GB4587
T=+150℃
发射极一基极开路
Vce-50V
Vca=60V
TA--55
Vcg=10V
Ic=10mA
Vcg-10V
le=lmA
f-1kHz
Vcg=20V,Ic-20mA
fm100MHz
Vcg=10V,Ig=0
f=1MHz
VB-0.5Vf-1MHz
le=0(见4.5.2)
lc=100mA
Ig=10mA
le=100mA
18182-10mA
LTPD符
极限值
最小值最大值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目检
（设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
（不工作）
最后测试：
SJ20174--92
表2B组检验
GJB128
见表4，步骤1、3和4
VcB=10VP=500mW
TA-25±3℃
不允许器件加散热器或强迫风冷见表4，步骤2和5
目检标准按鉴定时的设计
TA=200℃
见表4，步骤2和5
每批一个器件，0失效
20(C=0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气（适用时）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
C7分组
高温工作：
集电极一发射极饱和压降
3DK2221、3DK2222
3DK2221A、
3DK2222A
低温工作：
基极一发射极饱和压降
3DK2221.3DK2222
3DK2221A、3DK2222A
SJ20174-92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4，步骤1、3和4
见表4，步骤1.3和4
TA=25±3℃Ve-10V此内容来自标准下载网
Ptet-500mW
不允许器件加散热器或
强迫风冷
见表4，步骤2和5
TA=+150℃
Ic=150mA
Ig=15mA
脉冲法（见4.5.1)
TA=-55℃
Ic=150mA
Ig=15mA
脉冲法（见4.5.1）
入=10
VcEat)
VBE(at)S
极限值
最小值最大值
检验或试验
集电极一基极截止电流
3DK2221.3DK2222
3DK2221A.3DK2222A
集电极一基极截止电流
3DK2221.3DK2222
3DK2221A.3DK2222A
集电极一发射极饱和压降
3DK2221.3DK2222
3DK2221A.3DK2222A
正向电流传输比
3DK2221.3DK2221A
3DK2222.3DK2222A
正向电流传输比
SJ20174—92
表4B组和C组的电测试
GB4587
发射极一基极开路
VcB=50V
Vca=60V
发射极一基极开路
VcB=50V
Vca-60V
Ic=150mA
Ig=15mA
脉冲法（见4.5.1)
Veg10V
le=150mA
脉冲法（见4.5.1）
Vce=10V
lc=150mA
脉冲法（见4.5.1）
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
Ahrea)
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1）。极限值
最小值
最大值
初始值的士25%
A1自的
SJ20174—92
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1。
电压源
A3步骤
集电极一发射极击穿电压测试电路电阻器R，为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于VCBR)CEO的最低极限，则晶体管为合格。附录B
输人电容（输出端开路或短路）测试方法（补充件）
B1目的
本测试的目的是为了在规定的条件下，测试晶体管输入端的并联电容。测试电路
测试电路见图B1。
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