【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ３ＣＫ３６３４～３ＣＫ３６３７型ＰＮＰ硅小功率开关晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20177-92
3CK3634～3CK3637型
PNP硅小功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for PNP silicon low-powerswitchingtransistorfortypes3CK3634~3CK36371992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范围
1.1主题内容
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3CK3634~3CK3637型
PNP硅小功率开关晶体管
详细规范
Semiconductordiscretedevice
DetailspecificationforPNPsiliconlow-powerswitchingtransistorfortypes3CK3634~3CK3637SI20177-—92
本规范规定了3CK3634~~3CK3637型PNP硅小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。该种器件按GJB33半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-02B型及如下规定，见图1。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.3最大额定值
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
TA-25℃
Te=25℃
SJ20177—92
外形尺寸
-—140
注：1）T^>25C按5.71mW/℃的速率线性降额。2）Tc>25C按28.6mW/℃的速率线性降额。1.4主要电特性（T=25℃）
引出端极性：
1.发射极
3.集电极
A3-02B
T,和T
65～+200
符号(单位)
f-(MHz)
Cate (pF)
VeE(an(V)
VeECan\(V)
SJ20177—92
测试条件
VcE--10V
VcE=-10V
Vcg-10V
le=10mA
VcE=-10V
le=50mA
Veg--10V
le=150mA
Vee—30V
Ic=30mA
f=100MHz
Ve—20V
f=1MHz
le-10mA
Ig=InA
lc50mA
Ig=5mA
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
极限值
最小值
最大值
符号(单位)
VE)\(V)
VBE(an)\(V)
ta(ns)
th(ns)
注：1）脉冲法（见4.5.1)。
2引用文件
SJ20177-92
测试条件
lc=10mA
Ig=ImA
le50mA
Ig—5mA
le=50mA
le50mA
Im=5mA
le50mA
lm=5mA
Ic=50mA
Igi=5mA
1m=5mA
GB4587—84双极型晶体管测试方法GB7581一87半导体分立器件外形尺寸GJB33—85
半导体分立器件总规范
6半导体分立器件试验方法
GJB128—86
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计结构和外形尺寸
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
所有型号
所有型号
折有型号
所有型号
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
极限值
最小值
最大值
SJ20177-92
引出端材料应为柯伐，引线涂层应为镀金或镀锡。对涂层要求选择时，在合同或订单中应明确规定（见6）。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
(GIB33表2）
7.中间测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
Icoo和hrE
测试或试验
GT和GCT级
本规范表1的A2分组；
△/cB01=初始值的100%或10nA，取较大者；Ah+=±15%
TA-25C,Vcn=-100VP=1.0W
注：不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（A）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。5
4.5.2噪声系数测试应按表1的规定。4.5.3热阻（仅进行鉴定试验）
本试验应采用如下细节：
SJ20177—92
a.在施加功率期间的集电极电流幅值，对Rac应为160mAdc；对Ra应为32mAdc。b.集电极一发射极电压幅值应是1oVdc。c.基准温度测试点，对Rac应是管壳，对RaA应是环境空气。d.基准点温度应选在25℃C检验或试验
A1分组
外部目检
A2分组
集电极-基极击穿电压
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
发射极一基极击穿电压
集电极一发射极击穿电压
本规范附录A
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
集电极一基极截止电流
发射极一基极截止电流
集电极一发射极截止电流
正向电流传输比
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
GJB128
GB4587
发射极一基极开路
le=100μA
集电极基极开路
I-100μA
基极一发射极开路
le=10mA
脉冲法（见4.5.1)
发射极一基极开路
Vea=-100V
集电极一基极开路
V——3V
基极一发射极开路
Vee=—100V
Vcg=-10V
脉冲法（见4.5.1）
VRyCRO
V(HR)EBO
VcRyCEO
极限值
最小值
最大值
检验或试验
正向电流传输比
3CK3634
3CK3635
3CK3636
3CK3637
正向电流传输比
3CK3634
3CK3636
3CK3635
3CK3637
正向电流传输比
3CK3634
3CK3636
3CK3635
3CK3637
正向电流传输比
3CK3634
3CK3636
3CK3635
3CK3637
集电极一发射极饱和压降
集电极一发射极饱和压降
基极一发射极饱和压降
基极一发射极饱和压降
SJ20177-92
续表1A组检验
GB4587
VCE=-10V
脉冲法（见4.5.1)
Ve-10V
le=10mA
脉冲法（见4.5.1）
Vc--10V
e=50mA
脉冲法（见4.5.1）
Vcg=—10V
le=150mA
脉冲法（见4.5.1)
le=10mA
Ig=1mA
脉冲法（见4.5.1)
Ic=50mA
Is=SmA
脉冲法（见4.5.1）
Ic=10mA
Ig=ImA
脉冲法（见4.5.1)
Vcgcara
VeEani
极限值
最小值
最大值
检验或试验
A3分组
高温工作：
集电极一基极截止电流
低温工作：
正向电流传输比
3CK3634
3CK3636
3CK3635
3CK3637
A4分组
特征频率
3CK3634
3CK3636
3CK3635
3CK3637
小信号短路正向电流
传输比（需要时）
3CK3634
3CK3636
3CK3635
3CK3637
小信号短路输入阻抗
(需要时)
3CK3634
3CK3636
3CK3635
3CK3637
小信号开路反向电压
传输比（需娶时）
小信号开路输出导纳
（需要时）
输出电容（输入端交流开路）
SJ20177-92
续表1、A组检验
GB4587
lc=50mA
Ig=5mA
脉冲法（见4.5.1)）
TA=150℃
发射极一基极开路
VcB--100V
TA=-55C
Veg-10V
lc=50mA
VcE=-30V
Ic=30mA
f=100MHz
Vcg—-10V
Ic=10mA
f=1kHz
Ve=—10V
Ic=10mA
f=1kHz
VcE=-10V
Ic=10mA
f=1kHz
Vcg-—10V
Ic=10mA
f=1kHz
Vcg=—20V
f=1MHz
VorCnn
极限值
最小值
最大值
3×10-1
检验或试验
输入电容（输出开路）
噪声系数（需要时）
噪声系数（需要时）
噪声系数（需要时）
脉冲相应开关时间：
脉冲延迟时间
脉冲上升时间
脉冲贮存时间
脉冲下降时间
关闭时间
A5分组
安全工作区
（连续直流）
试验1
3CK3634、3CK3635
3CK3636、3CK3637
试验2
试验3
最后测试：
A6和A7分组不适用
本规范附录B
SJ20177—92
续表1A组检验
GB4587
f=1MHz
Veg=—10V
R,=1kn
（见4.5.1)
f100Hz
Veg=—-10V
R,=1kn
(见4.5.1)
f=1kHz
Vce--10V
(见4.5.1)www.bzxz.net
f=10kHz
le-50mA
I=l=5mA
Te=25℃
t=1s一个环
（见图2）
Ver=-100V
Ic=30mA
Veg=—130V
Ic=20mA
Ver=-50V
le-95mA
Vce——5V
见表4，步骤1和3
极限值
最小值
最大值
电极电
le(mA)
注：@T-200℃
2.03.04.05.0
②曲线下降系数为30%。
SJ20177—92
5.0ms500us
1100us
20304050
集电极—发射极电压Va(V)（-）-规范极限
200300
一热极限，在Tc=25℃下（单脉冲）二次击穿极限
图2最大安全工作区（连续直流）表2B组检验
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
GJB128
见表4，步骤1和3
检验或试验
最后测试：
B4分组
开帽内部目检
（设计验证）
键合强度
B5分组
B6分组
高温寿命
(不工作）
最后测试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
SJ20177—92
续表2B组检验
GJB128
GB4587
TA-25℃
Ptar-1.0W
Ve--100V
见表4，步骤2、4和5
目检标准按鉴定时的设计
试验条件A
Ta=200℃
见表4，步骤2、4和5
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4.步骤1和3
见表4，步骤1和3
每批一个器件，0失效
20(C=0)
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