【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ３ＤＧ９１８型ＮＰＮ硅超高频小功率晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20175—92
3DG918型NPN硅超高频
小功率晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for NPN silicon ultra-high frequencylow-power transistor of type 3DG9181992-11-19发布
中国电子工业总公司批准
1993-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforNPNsiliconultra-highfrequencylow-powertransistorof type3DGg18SJ20175—92
1.1主题内容
本规范规定了3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。该种器件按GJB33&半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20175—-92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A4-01B型及如下规定，见图1。
引出端极性：
1.发射极
图1外形尺寸
3.集电极
A4-01B
1.3最大额定值
TA-25℃
Te=25℃
SJ20175—92
注：1）T^>25C时，按1.14mW/C线性地降额。2）Te>25C时，按1.71mW/℃线性地降额。1.4主要电特性(T^-25℃）
符号(单位)
ft(MHz)
2引用文件
GB4587—84
GB7581--87
GJB33--85
测试条件
Vee-10V
le=3mA
Vee10V
lc=10mA
Veg=10V
Ic-4mA免费标准下载网bzxz
f=100MHz
Ig=-4mA
VcB-10V
f=31.8MHz
Vc=10VIe=0
f=1MHz
Vce-6V.lc=lmA
f-50MHz
Ves12V
le=6mA
f-200MHz
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
最小值
极限值
Tstg和Tj
—65~+200
最大值
SJ20175-92
6半导体分立器件试验方法
GJB128—86
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定（见6)。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
中间参数测试
功率老化
最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
TA-25±3℃
VcB-10V
Ptet=200mW
注：不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4质量一致性检验
Icsoi和heEa
见4.3.1条
测试或试验
GT或GCT级
按本规范表1的A2分组；
△/c80i=初始值的100%或5nA，取其较大者；h2=±20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4-
4.4.1A组检验
SJ20175-92
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1输入电容
本试验应按本规范附录B规定的方法进行。4.5.2管壳引线的安排
在所有的电试验和测量期间，管壳引线应是悬浮的。但下列试验除外：噪声系数、小信号功率增益和集电极一基极时间常数。这些试验应在管壳引线与共用的rf底盘的地相连接的情况下进行。
4.5.3热阻（仅进行鉴定试验）
本试验应采用如下细节：
施加功率时的集电极电流应为10mA。集电极一发射极电压为10V。
基准温度的测量点为管壳。
基准点温度应为25℃。
安装方法应是管壳带散热器或浸没在情性液体中。最大极限应为584℃/W。
表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极一基极击穿电压
发射极一基极击穿电压
集电极一发射极击穿电
集电极基极截止电流
发射极一基极截止电流
GJB128
本规范
附录A
GB4587
发射极-基极开路
Ie=lpA
集电极一基极开路
Ig=10μA
发射极一基极开路
lc-3mA
发射极一基极开路
VcB25V
集电极一基极开路
VCHRYCao
V(BR>EBO
VCBR)CEO
极限值
最小值最大值
检验或试验
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极一发射极饱和压
基极一发射极饱和压降
A3分组
高温工作：
集电极一基极截止电流
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
开路输出电容
开路输出电容
输入电容
(输出开路）
特征频率
噪声系数
小信号功率增益
集电极一基极时间常数
振荡器输出功率
(需要时）
集电极效率
（需要时）
A5、A6和A7分组
不适用
本规范
附录B
SJ20175--92
续表 1、A组检验
GB4587
Vee=10V
Ic=500μA
VCE-IV
Vce-10V
lc-10mA
lc=10mA
Ig=1mA
le=10mA
la=lmA
TA=+150℃
发射极一基极开路
VcB=25V
TA--55℃
Vea-1V
Ie=3mA
Ve8-01g=0
f=1MHz
Vca=-10V
f-1MHz
V=0.5V1c=0
f-1MHz
（见4.5.1)
Vc=-10VIg=4mA
f=100MHz
VcE=6V
f=50MHz
（见4.5.2)
Vcs-12V
Ie=6mA
f=200MHz
（见4.5.2)
VeB=10V
I=--4mA
f-31.8MHz
（见4.5.2）
Vc=15VIc-8mA
f≥500MHz
Vcs=15VIc=8mA
f≥500MHz
Ve(sat)
VE(sat)
极限值
最小值最大值
可焊性
检验或试验
B1分组
标志的耐久性
B2分组
热冲击(温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开幅内部目检
(设计验证）
键合强度
B5分组
B6分组
高温寿命
（不工作）
最后测试：
GB4587
SJ20175-92
表 2B组检验
GJB128
见表4，步骤1、3和4
Vcs10V;Ptot=200mW
TA=25±3℃
不允许器件加散热器或强迫风冷见表4，步骤2和5
目检标准按鉴定时的设计
TA=200℃
见表4，步骤2和5
每批一个器件，0失效
20(C—0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频报动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气(腐蚀）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
检验或试验
集电极一基极截止电流
集电极一基极截止电流
集电极一发射极饱和压降
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ2017592
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4，步骤1、3和4
见表4.步骤1、3和4
TA-25±3C.VcB-20V
Pw200mW
不允许器件加散热器或
强迫风玲
见表4，步骤2和5
表4B组和C组的电测试
GB4587
发射极一基极开路
Vca-25V
发射极一基极开路
Vca-25V
le-10mA
Ig=1mA
Ic=3mA
Vce-1V
le=3mA
注：1）对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。8
Vce(sat)
Ahrezt
极限值
最小值最大值
极限值
最小值
最大值
初始值的士25%
交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
说明事项
SJ20175—92
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1）。9-
A1目的
SJ20175—92
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。
A2测试电路
测试电路见图A1。
电压源
A3步骤
集电极一发射极击穿电压测试电路电阻器R，为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极一基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格。10
SJ20175—92
附录B
输人电容（输出端开路或短路）测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，测试晶体管输入端的并联电容。B2测试电路
测试电路见图B1。
电压漆
电压源
注：对于其他电路组态，可修改电路以能证明晶体管与详细规范的最低要求一致。图B1输入电容（输出端开路或短路）测试电路B3步骤
电桥输入端之间的直流电阻应小，并能传输所要求的发射极电流而不影响测试要求的精度。将规定的电压及电流加到引出端上，并将交流小信号加到输入端上。将开关S断开或闭合则取决于输出端在交流短路或开路状态。然后测试输入电容。电容读数仪应与连接的电路无关，从而消除寄生电容和电路布线所引起的误差。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营九七厂负贵起草。本规范主要起草人，王长福、张宗国、任继利、谢佩兰。计划项目代号：B91004。
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