【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ３ＣＴ１０７型反向阻断闸流晶体管详细规范

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3CT107型反向阻断闸流晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for reverse-blockingthyristorfortype3CT107
1.1主题内容
SJ20181--92
本规范规定了3CT107型反向阻断闸流品体管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP，GT和GCT级）。1.2外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的C2-02C型，见图1。中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
SJ20181-92
注：控制极尺寸O的实际值应大于阴极O的实际值。图1外形图
最小值
C2-02C
公称值
最大值
1.3最大额定值
3CT107A
3CT107B
3CT107C
3CT107D
3CT107E
3CT107F
3CT107G
3CT107A
3CT107B
3CT107C
3CT107D
3CT107E
3CT107F
3CT107G
ITavi>
ITsaga
PGCAVS
SJ20181—92
—40~+125
VDeRMS)
Rethahe
—40～+150
注：1）最高壳温Tc=83℃和正弦半波导通角为180°下的通态平均电流。2）为不重复的浪涌电流额定值。3）适用于零或负的控制极电压的值。主要电特性（除非另有规定，T^=25℃）1.4
极限值
最小值
最大值
引用文件
GB7581--87
GJB33—85
GJB128—86
SJ/Z9014.3--87
3要求
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
半导体分立器件第6部分
闽流晶体管
低气压
螺栓转矩
(V/μs）
3.1详细要求
SJ20181-92
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质需保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件应予剔除。
（见GJB33表2）
3.热冲击
4.恒定加速度
7.中间参数和(4)参数测试
8.电老化
(交流阻断）
9.最后测试
4.4质量一致性检验
测试或试验
低温：一40℃，其余按试验条件F.循环10次24500m/s2
IuRMI、IDKMI.VeT,和VTM、
96h,Rek=
Tc=125C,VRM-VxRM;VoM=VoRM
本规范表1的A2分组：
AIsM，=初始值的100%或1mA，取较大者：AIpkMl=初始值的100%或1mA，取较大者；质量一致性检验应按GJB33的规定，由A组、B组和C组检验或试验组成。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
SJ20181—92
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按GJB128和本规范表1、表2、表3的规定。表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
反向重复峰值电流
断态重复峰值电流
控制极触发电压和
通态峰值电乐
维持电流
控制极反向电流
A3分组
高温工作：
反向重复峰值电流
断奋重复峰值电流
控制极不触发电压
低温工作：
反向重复峰值电流
断态重复峰值电流
控制极触发电压和
GJB128
附录A
SJ/Z9014.3
VuM=VKRM
fm50Hz
VpMVDRM
f-50Hz
Vo-6oV,Ri=100
R，252(max)
Icm=150A
占空因数≤2%
V,=24V
Vo=-5V
Te-125C
VRM=VkRM
f=50Hz
VDM=VDRM
VpVoRm
Te=40℃C
VuM=VRM
f-50Hz
VnM-VDHM
/=50Hz
R=250(max)
LTPD符号
极限值
最小值最大值
检验或试验
A6分组
浪涌电流
最后测试：
A7分组
断态电压临界上升率
电路换向关断时间
SJ20181—92
：续表1
SJ/Z9014.3
ITSM=1000A
每分钟1次，共10次
Te=125℃
VRM-VRRM
浪涌持续时间=7ms（min）
按表4、步骤1、3、5和6
Te-125℃
do/dz-200V/μs
试验持续时间=15s
3CT107A
Vom-50V
3CT107B
VpM=100V
3CT107C
VDM=200V
3CT107D
VoM=300V
3CT107E
Vom=400V
3CT107F
Vnm-500V
3CT107G
Vom=600V
re=100C1m-50A
≥50us
di/dz=25A/μs(max)
Vm-VkRM
重复率≤60pps
dv/dz=20V/μs
VoMVDRM
控制极偏置条件：
控制极电源电压-OV
控制极电源电阻=1000
最小值
最大值
检验或试验
B1分组
标志的耐久性bzxZ.net
B2分组
热冲击（温度循环）
密封：
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
交流阻断
最后测试：
B4分组
开帽内部直观设计
B5分组
B6分组
高温寿命
（非工作状态）
最后测试：
SJ20181-92
表2B组检验
GJB128
低温，—40℃：其余按试验
条件F，循环10次
按表4.步骤1、3、5和6
试验条件A
Tc=125℃，=170±24h
VeM-VRRM
VDM-VDRMRGK=00
按表4.步骤2、4、5和7
SJ/Z9014.3/n=5A,T=125C(max)
ITz一保证完全导通的最低值
TA=150C;t=340h
按表4，步骤2、4、5和7
每批1个
器件/0
极限值
最小值最大值
5×10-Pacm*/s
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
螺栓转矩
密封：
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期
外观检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气(侵蚀）(适用时）
C5分组
低气压
C6分组
间款工作寿命
最后测试：
按图1
SJ20181-—92
表3C组检验
GJB128
试验条件B
试验条件Ds;
转矩=17Nm
=15±3s
按表4步骤1、3、5和6
4900m/s*.1.0ms
XI、Y，和Y，方向，每个方向各5次98m/s
24500m/s*，XY，和Y，方向，
按表4，步骤1、3、5和6
VoM=VDRMVeM=VRkM1=60s
2000Pa
ITaV,=50A
to=50min
t=10min
Te=80±5℃
Te不控制
按表4步骤2、4.5和7
LTPD符号
入=10
极限值
最小值
最大值
5×10-Pacm*/s
反向重复峰值电流
反向重复峰值电流
断态重复峰值电流
断态重复峰值电流
SJ20181—92
表4A组、B组和C组检验的电测试SJ/Z9014.3
控制极触发电压和电流
通态峰值电压
通态峰值电压
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GIB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
VaMVRRM
f=50Hz
VRMVRRM
f=50Hz
VoMVoRM
VOM=VDRM
Ri=10n
R,=25n(max)
ITM=150A
tp10ms
占空因数≤2%
1TM=150A
tps10ms
占空因数≤2%
GJB33中规定的说明事项适用于本规范。符
极限值
最小值
最大值
SJ20181-92
附录A
控制极反向电流测试方法
（补充件）
本测试的目的是为了在规定的控制极反向电压下测量器件的控制极真流反向电流。A2测试电路
选择R以限制超过控制极反向击穿电压时的电流。注：电流表两端之间应呈现短路，否则应对电压表读数作电流表压降方面的修正。图A1控制极反向电流测试电路
A3步骤
调节规定的控制极反向电压并读出控制极反向电流。A4规定条件
控制极直流反向电压应在详细规范中加以规定。附加说明：
本标准由中国电子工业总公司科技质量局提出。本标准由中国电子技术标准化研究所归口。本标准由中国电子技术标准化研究所、青岛电器元件厂共同起草。本标准主要起草人：金贵永、陈照春、郭美琪。计划项目代号：B91016*
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