【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ２ＣＺ５５５０～５５５４型硅整流二极管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ2018792
2CZ5550～5554型硅整流二极管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for silicon rectifier diodesfortypes2Cz5550through2Cz55541992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
：1范围
1.1主题内容
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CZ5550～5554型硅整流二极管
详细规范
Semiconductor discretedeviceDetailspecificationforsilicon rectifierdiodesfortypes2Cz5550through2Cz5554SJ20187-92
本规范规定了2CZ5550～5554型硅整流二极管（以下简称器件）的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20187—92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸的D2-10B型，见图10
最小值
L：为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。D2-10B
公称值
图1外形图
1.3最大额定值
V(aR)mla
2CZ5550
2CZ5551
2CZ5552
2CZ5553
2CZ5554
TA=40℃
注1)TA>40℃时，按27.3mA/℃线性降额。2
t1/100s
TA=40℃
最大值
-55~+175
-55~+150
低气压
1.4主要电特性（TA25℃）
最小值
2CZ5550
2CZ5551
2CZ5552
2CZ5553
2CZ5554
2引用文件
SJ20187—92
Vr-VxwM
最大值
最大值
GB4023-86
半导体分立器件第2部分整流二极管Ira
VR=VRwM
T=100℃
最大值
GB6571—86
小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB7581-87
GJB33-—85
GJB128—86
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定。3.2.1引线涂层
最大值
引线表面应镀锡。在不影响器件的合格产品性能或G标志的情况下，对引线涂层另有要求时，应在合同或订货单中规定（见6.1条）。3.2.2器件结构
在芯片的两面和引线之间采用高温冶金键合结构。3.3标志
器件标志应按GJB33的规定，型号标志可不限于一行内。制造厂可根据自已的意图省略下列标志。
制造厂的识别；
检验批识别代码；
c.型号命名中的2C部份。
3.3.1极性
器件的负极端应采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性。4质量保证规定
4.1抽样和检验
SJ20187—92
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
（见GJB33表2）
4.3.1功率老化试验条件
功率老化试验条件如下：
TA=25C,VR=VRWM。
Io-3.0A,f=50Hz.
4.4质量一致性检验
质量一致性检验应按GJB33的规定4.4.1A组检验
不要求
本规范表1的A2分组；
△Im=初始值的100%或300nA，取较大者AVm=±0.1V
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（A)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。
4.5检验和试验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1稳态工作寿命
在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电流，整流电流的正向导通角应不大于180°不小于150%。4.5.2脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
正向电压
正向电压
反向电流
A3分组
高温工作：
反向电流
正向电压
低温工作：
正向电压
正向电压
A4分组
反向恢复时间
A6分组
浪涌电流
最后测试：
GJB128
GB6571
2.1.4.2.2
SJ20187—92
表1A组检验
GB4023
脉冲法
tp=10ms
占空因数≤2%
直流法
直流法
VR-VRwM
TA=100℃
直流法
Vu-VrWM
脉冲法
tp10ms
占空因数≤2%
TA=—55℃
脉冲法
tp=10ms
占空因数≤2%
直流法
I=50mA
VR-10V
IFsM=80A
脉宽10ms，每间1min
一次浪涌，共10次，在10
2A上叠加Vm=Vm
（见1.3);TA=40℃
见表4，步骤1、2
LTPD符号
极限值
最小值最大值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B6分组
高温寿命
(非工作状态）
最后测试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
引出端强度
弯曲试验
SJ20187—92
表2B组检验
GJB128
试验条件B
见表4，步骤1和3
1o=3Af=50Hz
TA=25±3℃
按表4,步骤1、2.3和4
TA175℃
见表4，步骤1、2、3和4
表3C组检验
GJB128
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C4分组
盐气（侵蚀）（适用时）
C5分组
低气压
见图1下载标准就来标准下载网
试验条件B
试验条件A
试验条件E
省略预处理
见表4，步骤1和2
气压（见1.3）
t=1min
极限值
最小值
最大值
最小值
最大值
检验或试验
试验期间测试：
反向电流
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
正向电压
正向电压
反向电流
反向电流变化
GB4023
SJ20187—92
续表3
GJB128
Vr-VwM
lo-3A;f-50Hz
TA=25±3C，VzVwM
见表4,步骤1、2.3和4
入=10
表 4A组、B组和C组检验的电测试GB4023
脉冲法
t,=10ms
占空因数≤2%
直流法
直流法
Vx=VxwM
注：1）本试验超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定
6说明事项
6.1订货资料
合同或订货单中应规定引线的涂层。符
6.2如需典型特性曲线，可在合同或订货单中规定。极
最小值
极限值
最小值
最大值
最大值
初始值的100%或
300nA，取较大者。
附加说明：
SJ20187-92
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七三厂共同起草。本规范主要起草人：金贵永、刘东才。计划项目代号：B91007。
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