【电子行业标准(SJ)】 2AP30～2AP31型锗宽带检波二极管

中华人民共和国第四机械工业部部标准
2AP30～2AP31型锗宽带检波二极管SJ1228-77
本标准适用于频率为400MHZ以下的2AP30、1000MHZ以下的2AP31储半导体宽带检波二极管（以下简称产品）：该产品主要用于无线电电子设备的超高频检波和超高频毫伏表中作探头检波之用。1.产品除应符合本标准规定外，尚应符合SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》的规定。2.产品外形尺寸应符合部标准SJ206一78《半导体二极管外形尺寸》的规定，管壳上的极性符号应为“”，3,环境试验项目、顺序及环境试验后考核标准按SJ908—74《半导体二极管（二类）总技术条件》第23条和第24、25条.4.技术要求与试验方法，
（1）产品电参数应符合电参数规范表的规定，其测试方法应符合部标准SJ171~180--77、SJ1230~1231-77《锗检波和开关二极管测试方法》的规定。
（2）振动强度试验：bzxZ.net
将非工作状态的产品管身紧固在振动台上，其规范是：振动频率为50士10HZ，振动加速度为10士1g，振动方向为沿管轴平行和垂直两个方向；振动时间为每个方向0.5个小时，试验后测最JS类电参数，以不超过电参数规范表的规定为合格。（3）机械冲击试验：
将非工作状态的产品管身紧固在冲击台上，其规范为：冲击频率为50土10次/分，冲击加速度100士10g；冲击方向为沿管轴平行和垂直两个方向，冲击次数为每个方向500次，试验后测量JS类电参数，以不超过电参数规范表的规定为合格。一九七八年六月一日实施
SJ122877
（4）产品经变频振动验验、热冲击试验、交变潮热试验后，测量产品的JS类电参数、以不超过电参数规范表的规定为合格。（5）瞬间断路试验（SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》第12条）本试验应与机械冲击试验结合进行将产品管身紧固在冲击台上，其规范按本标准第4条（3）款的规定，所加正向电流应大于产品正向特性的拐点值，用显示灵敏度不低于1μS的“瞬间短断路监测仪”作监测，如试验中出现断路现象，试验后应测量产品的JS类电参数，如超过电参数规范表的规定则判为瞬间断路试验及机械冲击试验不合格，符合电参数规范表的规定，则仅判为瞬间断路试验不合格。（6）高温性能试验（SJ90874《半导体二极管（二类）总技术条件》第13条），将产品置于70土2℃的环境中加最高反向工作电压和最大整流电流，工作15分钟，以此时产品的整流电流与电参数规范表规定的整流电流的变化率不超过士15%为含格。（7）低温性能试验（SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》第14条），将产品置于－55士3C的低温箱中放置1小时后，加最高反向工作电压和最大整流电流，此时产品的整流电流与电参数规范表的整流电流的变化率不超过土15%为合格，要求对每个产品在30秒内测完。
（8）短期寿命试验（SJ90874《半导体二极管（二类）总技术条件》第16条），在室温下将产品加最高反向工作电压和最大整流电流进行该项试验，试验后考核产品的JS类电参数，以不超过电参数规范表的规定为合格。
（9）高温贮存试验（SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》第17条），将产品在电参数规范表规定的结温下连续贮存，试验后在室温下放置2小时，考核JS类电参数以不超过电参数规范表的规定为合格。（10）频率特性试验：此试验按部标准SJ177一77《锗检波二极管频率特性的测试方法》的规定进行。频率400MHZ，所加负载电阻为75Q，频率为1000MHZ所加负载电阻为50，按定义用标准电压表作监视，以频率为0.1MHZ时的整流电压为标准，然后坛加频率到400MHZ，此时2AP30产品的整流电压下降不得超过0.1M1Z时的整流电压的士20%；2
SJ12287
此时2AP31产品的整流电压下降一般不得超过0.1MHZ时的整流电压的土5%。最后坛加频率到1000MHZ，此时2AP31产品的整流电压下降一般不得超过0.1MHZ时的整流电压的士30%。该试验每半年进行一次，从成品检验合格的产品中抽取10只，频率特性试验后允许有2只不合格。若不合格产品数超过2只时，应另抽联加倍数量产品进行该项试验，若仍有2只以上产品不合格则该产品应停产整顿质量，直到此项试验合格。3
SJ1228—77
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附录1
SJ1228-77
参数符号说明
（1）Ir正向电流——错检波二极管加规定的正向电压（Vr）在极间通过的电流。
（2）V反向电压——储检波二极管通过规定的（反向电流Ir）在极间产生的电压。
（3）VRM最高反向工作电压（峰值）一—一般等于或小于2/3的储检波二极管的击穿电压值（Vz）。VRM1、VRM2分别为高、低温性能试验时的最高反向工作电压。
（4）I.高频整流电流一一在特定线中规定频率新定电压条件下所通过储检波二极管的工作电流。
（5）IoM最大整流电流（平均值）—在电阻性负荷的工频正弦半波整流电路中允许连续通过错检波二极管的最大工作电流。（6）Vε击穿电压（峰值）-—储检波二极管在给定的反向电流下的电压值。
(7）C。零偏压电容在零偏压下，锗检波二极管的总电容。（8）C极间电容——在二极管二端加规定偏压下错检波二极管的总电容.
（9）n检波效率一—锗检波二极管输入端加上规定的正弦波电压（峰值）时在输出端上直流电压与输入端电压（峰值）之比。Vout×100%
（10）Isu浪涌电流—通过储检波二极管正向脉冲电流的最大（11）TM额定结温（℃）—锗检波二极管在规定使用条件下所允许的最高结温。
附录2
2AP10B
SJ1228—77
新旧型号对照表
原型号
L2AP23
(2AP24
(2AP8A
(2AP8B
2AP27A
2AP3CC
2AP30D
2AP30E
2AP31A
2AP31B
原型号
2AP27A
2AP30A
2AP30B
12AP30C
2AP30D
2AP30E
2AP31A
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