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- JB/T 6307.4-1992 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管臂和臂对
标准号:
JB/T 6307.4-1992
标准名称:
电力半导体模块测试方法 双极型晶体管臂和臂对
标准类别:
机械行业标准(JB)
英文名称:
Test methods for power semiconductor modules Bipolar transistor arms and arm pairs标准状态:
现行-
发布日期:
1992-06-26 -
实施日期:
1993-01-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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中标分类号:
电工>>输变电设备>>K46电力半导体期间、部件
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标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本标准规定了双极型电力晶体管臂和臂对模块的电特性、热特性和额定值的测式方法及热循环负载试验方法。本标准适用于5A及5A以上外壳额定的NPN型电力晶体管模块。若适当规定温度规定点,除绝缘电压检验方法外,本标准其他测试方法也适用于双极型电力晶体管。 JB/T 6307.4-1992 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管臂和臂对 JB/T6307.4-1992
部分标准内容:
JB/T 63Q7.4-1991 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管臂和臂对
中华人民共和国机械行业标准
本标准规定了双极型电力晶体管臂和臂对模块的电特性、热特性和额定值的测试方法及热循环负载试验方法。本标准适用于5A及以上外壳额定的NPN型电力晶体管模块。只要改变电源和电表的极性,本标准也适用于PNP型电力晶体管模块。若适当规定温度规定点,除绝缘电压检验方法外,本标准其他测试方法也适用于双极型电力晶体管。
2 引用标准
GB 4728 电气图用图形符号
GB 7159 电气技术中的文字符号制订通则
3 术语
3.1 集电极-基极截止电流(IcBo)
发射极开路(即发射极电流Ig=0)时,在规定的集电极一基极电压下,流过集电极一基极结的反向电流。
3.2 发射极一基极截止电流(IzBo)
集电极开路(即集电极电流Ic=0)时,在规定的发射极一基极电压下,流过发射极一基极结的反向电流。
3.3 集电极-发射极截止电流(IceO、IcER、Icgx)
基极开路(即基极电流Is=0)时,在规定的集电极一发射极电压下,流过集电极一发射极的电流。有时,基极不是开路,而在基极与发射极间接有一个规定的电阻器或一个规定的电路,则相应的集电极一发射极截止电流分别用Icr和Iciex表示。
3.4 基极-发射极饱和电压(Va)
在规定的基极电流或基极一发射极电压条件下,基极与发射极之间的电压。注:这是当基极一发射极结和基极一集电极结均为正向偏置时,基极与发射极之间的电压。
3.5 集电极一发射极饱和电压(VcE)
在规定的基极电流或基极一发射极电压条件下,集电极与发射极之间的电压。注:这是当基极一发射极结和基极一集电极结均为正向偏置时,集电极与发射极之间的电压。
3.6 正向电流传输比的静态值(h21E)
输出电压保持不变时,直流输出电流与直流输入电流之比。
3.7 延迟时间(ta)
从在晶体管的输入端施加使其从非导通态转变为导通态的脉冲起,到在其输出端出现载流子产生的脉冲止的时间间隔。通常,此时间以分别对应于所施加脉冲及输出脉冲幅值的10%两点之间的时间间隔来度量。
3.8 上升时间(ta)
晶体管从非导通态向导通态转变时,其输出端脉冲值分别达到规定的下限和上限两时刻之间的时间间隔。注:通常,下限和上限分别为输出脉冲幅值的10%和90%。
3.9 开通时间(tan)
延迟时间与上升时间之和,即ta+ta。
3.10(载流子)贮存时间(tS)
从施加于晶体管输入端的脉冲开始下降的点起,到载流子在其输出端产生的脉冲开始下降的点止的时间间隔。注:通常,此时间以两脉冲幅值的90%点之间的时间间隔来度量。
3.11 下降时间(t)
晶体管从导通态向非导通态转变时,其输出端脉冲值分别达到规定的上限和下限两时刻之间的时间间隔。注:通常,上限和下限分别为输出脉冲幅值的90%和10%。
3.12 关断时间(ta)
贮存时间与下降时间之和,即tS+tD。
3.13 关断交迭时间(te)
晶体管从导通态向非导通态转变时,从集电极电压上升至其断态峰值的10%点起,到集电极电流脉冲下降至其通态峰值10%点止的时间间隔。
3.14 集电极-发射极维持电压(VcEO, VcERrun, VcEx)
基极开路(即基极电流I=0)时,在较大的集电极电流下的集电极一发射极击穿电压。在此集电极电流下,击穿电压对集电极电流的变化不敏感。有时,基极不是开路,而在基极与发射极间接有一个规定的电阻器或一个规定的电路,则相应的集电极一发射极维持电压分别用VcER(s)和Vcex()表示。
3.15 集电极-基极击穿电压(V(R)Cao)
发射极开路(即发射极电流Ig=0)时,集电极与基极间的击穿电压。
3.16 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBo)
集电极开路(即集电极电流Ic=0)时,发射极与基极间的击穿电压。
3.17 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO, V(BR)CER, V(BR)CEx)
基极开路(即基极电流I=0)时,集电极与发射极间的击穿电压。有时,基极不是开路,而在基极与发射极间接有一个规定的电阻器或一个规定的电路,则相应的集电极-发射极击穿电压分别用V(BR)CER和V(BR)CEx表示。
3.18 集电极基极电压(Vcro)
发射极开路(即发射极电流Ig=0)时的集电极-基极电压。
3.19 发射极-基极电压(V8o)
集电极开路(即集电极电流Ic=0)时的发射极-基极电压。
3.20 集电极-发射极电压(V)
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