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- JB/T 6307.5-1994 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥
标准号:
JB/T 6307.5-1994
标准名称:
电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥
标准类别:
机械行业标准(JB)
英文名称:
Test methods for power semiconductor modules Bipolar transistor single-phase bridge and three-phase bridge-
发布日期:
1994-12-19 -
实施日期:
1995-06-01 -
作废日期:
2002-05-22 出版语种:
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中标分类号:
电工>>输变电设备>>K46电力半导体期间、部件
部分标准内容:
中华人民共和国机械行业标准
电力半导体模块测试方法
双极型晶体管单相桥和三相桥
JB/T 6307.5-94
本标准规定了双极型电力晶体管单相桥和三相桥模块(带续流二极管)的电特性、热特性和额定值的测试方法及热循环负载试验方法。本标准适用于电流为5A及5A以上外壳额定的NPN型电力晶体管管芯组成的单相桥和三相桥模块。双极型电力晶体管组成的单相桥和三相桥组件也可参照使用。只要改变电源和电表的极性,本标准也适用于PNP型电力晶体管管芯组成的单相桥和三相桥模块。
2 电路符号说明与测试要求
2.1 电路符号说明
本标准中采用的图形符号和文字符号遵循GB4728《电气图用图形符号》和GB7159《电气技术中的文字符号制订通则》。
2.2 测试一般要求
2.2.1 试验电源
测试电路中的所有电源均应有钳位措施,以保护被测模块在通断、调整和测量时,不致由于浪涌等瞬态现象损坏。
2.2.1.2 电源波动应不影响测量准确度。交流电源频率为50±1Hz,波形为正弦波,波形失真系数不大于10%。直流电源纹波因数对于反向待性测量应不大于1%,对于正向特性测量应不大于10%。
2.2.2 测量仪表和电路条件
2.2.2.1 仪表应有保护措施,以防止由于被测模块的故障或接线错误引起的过负荷。为防止不需要的半周脉冲进入示波器的放大器,可在电路中接入二极管保护。
2.2.2.2 直流和交流电压表、电流表以及测量用分流器的准确度一般应为0.5级或更高,且其阻抗对测量系统的影响应可以忽略。在下列情况可用低于0.5级准确度的仪表:对测量结果没有重要影响;
a. 对判定产品合格与否没有重要影响;
b. 按国家标准没有0.5级标准仪表。
2.2.2.3 测量大电流模块时,电压测量结点应与电流传导结点分开。若测量电流时电路上的电压降引起的误差可观或测量电压时电路上的电流引起的误差可观,则必须对测量结果进行修正。测量小电流时,应采取适当措施,确保杂散电容、电感不影响测量准确度,并使寄生电路电流和外部漏电流远小于被测电流,或对测量结果进行修正。
2.2.3 环境条件:
a. 基准大气条件:环境温度25℃,相对湿度65%,大气压强101.3kPa;
b. 常规测试大气条件:环境温度15~35℃,相对湿度45%~85%,大气压强86~106kPa。当相对湿度和大气压强对被测参数没有可观影响时,大气条件可仅以环境温度为准。
2.2.4 对所有电气性测试均应规定漏度条件。除非另有规定或在特殊条件下进行完或测量,所有电气性测试均应在热平衡条件下进行。被模块在高、低温箱中或控温夹具上进行高温测试或低温测试时,温度变化范围为1~1℃。当温度对被测参数没有明显影响时,温度变化范围可为2~2℃,否则应对测量结果进行修正。
3 电特性测试
3.1 集电极一发射极截止电流(IcR、Icx、Icex)(直流法)
3.1.1 目的
在规定条件下,测量模块中晶体管管芯的集电极一发射极截止电流。
3.1.2 电路图
(图1)
3.1.3 电路说明与要求
限流电阻器R,的值应足够大,以避免过大的电流流过被测管芯和电流表,R为基极偏置电阻器,用于测量IcR。
3.1.4 规定条件:
a. 外壳温度(Tc):25℃和最高外壳温度T;
b. 集电极一发射极电压:Vce>VCEO;
c. 基极一发射极间电路参数:对于IoIg=0;
3.1.5 测量程序
按规定连接被测管芯基极一发射极间电路,增加电源的电压,直至电表的读数达到规定值。测量模块中每只管芯的截止电流,取最大值作为模块的集电极一发射极截止电流。
3.2 集电极一基极截止电流(IcBo)(直流法)
3.2.1 目的
在规定条件下,测量模块中管芯的集电极一基极截止电流。
3.2.2 电路图
(图2)
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