【电子行业标准(SJ)】 电子器件详细规范 ３ＤＤ２０２７型硅ＮＰＮ低频放大管壳额定双极型晶体管

中华人民共和国电子工业部部标准电子元器件详细规范
3DD2027型
硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管中国电子技术标准化研究所
评定器件质量的根据：
GB4936.1--85
《半导体分立器件总规范》
3DD2027型硅NPN低频放大管壳额定双极型品体管详细规范订货资料：见本规范第7章
1机械说明
外形符合GB7581-87《半导体分器件外形尺寸》中B2-01C的要求。详见下图，ob050oz
中华人民共和国电子工业部1988-04-08批准2
简略说明
半导体材料：N型硅
SJ3125-88
金属封装
结构特点：三重扩散台面结构
主要用途：用于大屏幕彩色电视机的行输出和低频放大电路
3质量评定类别
参考数据：
Pt。t=50W（Tcase=25℃）
1988-12-01实施
中国电子技术标准化研究所
B2-01C
SJ3125-88
1—基极
2—发射极
集电极接管壳
4板限值（绝对最大额定值）
管壳温度
存温度
最大集电极一基极直流电压
Vcno≥1500V
VEBO≥7V
hrE≥8
最小值
最大值
参数名称
最大集电极一发射极直流电压
最大发射极一基极直流电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率：
T...=25℃
T...=75℃
最高有效（等效的）结温
安全工作区（I。一VcE曲线）
（见曲线图4）
5电特性
检验要求见本规范的第8章。
特性和条件
除非另有规定
Tamb=25℃
共发射极正向电流传输比的静态值VeE=-5V
特征频率
VcE-10V,I-0.1A
集电极一基极截止电流
VcB=600V,Ig=0
VcB=1500V,Ve=1.5V
SJ3125-88
IcBO()
IcBx1）
最小值
最大值
最小值最大值
试验组别
特性和条件
除非另有规定
Tamb=25℃
高温下的集电极一基极截止电流Tam6=100℃
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IcBX（2)
Vc=1000V,Ven-1.5V
集电极一发射极饱和电压
Ic=4A,I=1.3A
基极一发射极饱和电压
Ic=4A,In=1.3A
下降时间
Ic-4A,m=1.3A
Is2=-1.6A
集电极一发射极维持电压
结到管壳的瞬态热阻
VcE-120V,1c=0.7A
t=10ms,Im=3mA
6标志
6.1器件上的标志
a，产品型号：3DD2027；
b类别标记（应放在型号后面）；c.制造厂商标；
d．检验批识别代号。
6.2包装盒上的标志
a，重复器件上的标志；
b、标上“怕湿”等字样。
7订货资料
VcE(Sat)
VBEtat
Ztnti-o)
最小值最大值
试验组别
订货单上应有下列资料：
a准确的型号：
b.本规范编号：
c：其他（在有特殊要求时）
8试验条件和检验要求
SJ3125-88
在本章中，除非另有规定，引用的条款号对应于GB4936.1一85的条款号；引用的测试方法按GB4936.1-85，61.1。
A组逐批
全部检验都是非破坏性的。
检验或试验
A1分组
A2a分纽
不工作器件
IcBo()
A2b分组
IcBoa)
IcBxa)
VBe(sat)
A3分组
VcB(smT)
VcEO SUS
A4分组
引用标准
-85，
除非另有规定，
Tamb=25℃
VCB-600V, Ig-0
Vcz-5y
Ic=-1A
Vc=600V,Ig-0
Vcn-1500V,Vgg=1.5V
Ic=100mA
IcdA,Vcc=105V
IB2—1.3A
最小值最大值
SJ3125-88
B组一逐批
只有标明（D）的试验是破坏性的。条
检验或试验
B1分组
B4分组
可焊性
B5分组
度变化
继之以密封
B8分组
电耐久性
最后测试：
IcBo(n)
引用标准
GB4936.J-85,
附录C
GB4937—85《半
导体分立器件机械和
气候试验方法》
GB4937—85，
GB4937-85，
GB4938-85
《半导体分立器件接
收和可靠性》
除非另有规定，
Tamb=25℃
本试验采用：试验b
受试引出端数，2
其他规定：见附录A
两槽法：
冷槽温度：0℃
热槽温度：100℃
严格度等级：I
循环次数：10次
细检漏：采用方法1
粗检漏：采用方法3
试验液体：氟油
Ptot-30w
（T.as。=75±5℃）
Veg=100V
Vca=600VIg0
段小值
最大值
见本规范的
外形图
湿润良好
漏率：
0.5P.cm8.5-1
检验或试验
B9分组
高温购存
最后测试：
B8分组
CRRL分组
引用标准
GB4937-85
SJ3125-88
除非另有规定，
Tamb25c
Ta+g=150℃
B4、B5、B8和B9的属性资料
C组周期
只有标明（D）的试验是破坏性的。条件
检验或试验
C1分组
C2a分组
C2b分组
IcEx(2)
C2d分组
Zhh(ia)
引用标准
GB4936.1—85
5.2和附录C
除非另有规定，
Tamb=25c
VcE10V,Ic0.1A
Vcg=1000V,VB-1,5V
Tamb=100℃
VcE=120V
t=10ms
最小值
最大值
检验要
最小值
最大值
见本规范
的外形图
检验或试验
C3分组
拉力(D)
C4分组
耐焊接热
最后测试：
C6分组
恒定加速度
最后测试：
同C4分组
C8分组
电耐久性
最后测试：
引用标准
GB4937-85，
GB493973-85，
GB4937--85，
GB4938-85
SJ3125-88
除非另有规定，
Tamb=25℃
受试引出端数：2
外加力：20N
采用方法1A
每6个月1次
Vc2=600V,Ig=0
Vcg-5V
严格度，19600m/s
加速度轴和方面：
X，Y方向，Y方向为管
脚向内
Prut-30W
最大值
无损伤
(T.e75±5c).
VcE100V
VcB=600V,Iz-0
Vce—5V
检验或试验
C9分组
高温贮存
最后测试：
同C8分组
C11分组
标志耐久性
C13分组
间歌工作寿命
最后测试：
Zth(i-e)
CRRL分组
引用标准
GB4937—85，
GB4937-—85,
·本试验采用专用设备进行，
9D组鉴定批准试验（不适用）。10附加资料（不作检验用）
特性曲线
SJ3125-88
除非另有规定，
Tab-25℃
1000五
按方法2
△T=60r
下限温度=25±5℃
to.=1min,
tan=2~3min
5000次
同C2d分组
C2、C3、C4、C6、
C9和C11的属性资料：
C8试验前后的测最数据
最小值
检验要求
最大值
标志应保持清晰
初始值
SJ3125-88
Tcase('c)
图3Ptot-Te*$e
器件制造厂应给出下列特性曲线：a.Ic-Vce关系曲线：
b.hFE--Ic关系曲线：
c.VcE(sat)-Ip关系曲线；
d.Vce(sat）-Ic关系曲线：
e，Vpe(sat）Ic关系曲线
Te=25℃
f=5/75kHa
Vce(V)
图4安全工作区
A.1加速老化
SJ3125-88
附录A
晶体管的可焊性
（补充件）
对于在器件制成后，又进行沾锡（或镀锡）的器件，需做加速老化，其条件是；100℃水蒸气中置放1h。
A.2试验方法
a，优先采用焊槽法
b．必要时，可采用润湿称量法。按GB2423。32一85《电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法可焊性试验方法》进行。润湿过程，按使用非活性焊剂时，在3s内达到理论润湿力的35%。
附加说明：
本标准由电子工业部标准化研究所和742厂负责起草11
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