【电子行业标准(SJ)】 电子器件详细规范 ３ＤＤ８７１型硅ＮＰＮ低频放大管壳额定双极型晶体管

中华人民共和国电子工业部部标准电子元器件详细规范
3DD871型
硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管中国电子技术标准化研究所
评定器件质量的根据：
GB4936.1-85
《半导体分立器件总规范》
3DD871型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管详细规范订货资料：见本规范第7章
1机械说明
外形符合GB7581--87《半导体分立器件外形尺寸》中B*-01C的要求，详见下图：
中华人民共和国电子工业部1988-04-08批准3
SJ3127-88
简略说明
半导体材料：N型硅
金属封装
结构特点：三重扩散台面
主要用途：用于大屏幕彩
色电视机带阻
尼的行输出电
质量评定类别
参考数据：
Pro=50W
VcB0≥1500V
VEBO≥5V
25℃）
1988-12-01实施
中国电子技术标准化研究所
符号公
B2-01C
4.极限值（绝对最大额定值）
参数名称
管壳温度
贮存温度
最大集电极一基极直流电压
最大集电极一发射极直流电压
最大发射极一基极直流电压
最大集电极直流电压
SJ3127-88
1一基极
2-发射极
集电极接管壳
内部电连接图
最小值
hrE≥8
最大值
最大耗散功率：
T....=25℃
Tems=75℃
最高有效（等效的）结温
安全工作区（IcVcE曲线）
（见曲线图8）
5电特性
检验要求见本规范的第8章
特性和条件
除非另有规定
T.mb=25℃
SJ3127-88
最小值
共发射极正向电流传输比的静态值VeE-5V
特征频率
Vc-10V,Ic=0.1A
集电极一基极截止电流
VcB-500V,Ir-0
VcB=1500VIt=0
高温下的集电极-基极截止电流
T.m=100℃
Vcg-1000V.IE=0
集电极一发射极和饱电压
·仅供参券
IcBo(1)
IcRO (2)
VcE(sat)
最小值
最大值
最大值
试验组别
特性和条件
除非另有规定
Tamb=25℃
c-5A,I-1A
基极一发射极饱和电压
Ic5A,g=1A
下降时间
Ic5A,I=1A
IR2—-1A
Vcc=105V
阻尼二极管正向电压
结到管壳的瞬态热阻
VcR=30V,Ic-2.5A
1=10ms,Im=30mA
6标志
6.1器件上的标志
a产品型号：3DD871：
SJ3127-88
VhEsat
Zthd-e
b，类别标记（应放在型号后面）：c，制造厂商标
d，检验批识别代号。
6.2包装盒上的标志
a，重复器件上的标志；
b，标上“怕湿”等字样。
7订货资料
订货单上应有下列资料：
a，准确的型号；
b.本规范编号；
c.其他（在有特殊要求时）。
8试验条件和检验要求
最小值
最大值
试验组别
SJ3127-88
在本章中，除非另有规定，引用的条款号对应于GB4936.1-85的条款号；引用的测试方法按GB4936,1-85，6.1.1。A组一逐批
全部检验都是非·陂坏性的。
检验或试验
A1分组
A2a分组
不工作器件
IcBQ(1)www.bzxz.net
A2b分组
Ieno(1)
A3分组
Vce(eat)
A4分组
仅供参考
引用标准
GB4936.1-85，
除非另有规定，
Ta=25℃
Ve-500V,IE-0
Vce-5V
Vce==500V,Ie=o
Vc#-1500V,Ig-0
Ic=5A，Ve=105V
IBi=IA
IB2=-1A
检验要求
最小值最大值
只有标明（D）的试验是破坏性的。检验或试验
B1分组
B4分组
可焊性
B5分组
温度变化
继之以密封
B8分组
电耐久性
最后测试：
IcBo(1)
引用标准
GB4936.1-
附录C
GB4937-85半
导体分立器件机械和
气候试验方祛》
GB4937—85,
GB4937-85,
GB4938-85《半
导体分立器件接收和
可靠性》
SJ3127-88
B组一逐批
除非另有规定，
Tamb=25℃
本试验采用：试验b
受试引出端数：2
其他规定：见附录A
两槽法：
冷槽温度：0℃
热槽温度：100℃
严格度等级：I
循环次数：10次
细检漏，采用方法1
粗检漏：采用方法3
试验液体：氟油
Prat=30W
(Teasc=75±5.r)
VcE-100V
Vc#=500V,I=0
VcE=5V
最小值
检验腰
授大值
见本规范的
外形图
湿润良好
漏率：
0.5P.-cms.s-1
检验或试验
B9分组
商温必存
最后测试：
同B8分组
CRRL分组
引用标准
GB4937-85
SJ3127-88
除非另有规定，
Ta需-25℃
B4、B5、B8和B9的属性资料
C组一周期
只有标明（D）的试验是破坏性的条件
检验或试验
C1分组
C2a分组
C2b分组
Icno(2)
C2d分组
Zh(i-)
引用标准
GB4936.1—85
5.2和附录C
除非另有规定
Vce=10V,Ic=0.1A
1VeB=1000V,IE
Tam*100c
VeE=30V
t=10ms
Im=5mA
最小值
最大值
最小值
最大值
见本规范
的外形图
检验或试验
C3分组
拉力（D）
C4分组
耐焊接热
最后测试，
IcBo (n)
Ce分组
慎庭加速度
最后测试，
同C4分组
C8分组
电耐久性
最后测试，
IcBo(n)
C9分组
高温贮存
引用标准
GB4937—85，
GB4937-85，
GB493785
GB4938-85,
GB4937—85，
SJ3127-88
除非另有规定，
Tamb=25℃
受试引出端数：2
外加力：20N
采用方法1A
每6个月1次
VcB-500V,Iz-0
Vce=5V
严格度：19600m/s2
加速度轴和方向：
Y、Y方向，Y方向为管脚
(V.c=75±5r),
Vcg=-100V
VoB-500V,IE-0
1。1A
最小值
检验要求
最大值
无损伤
检验或试验
最后测试：
同C8分组
C11分组
标志耐久性
C13分组
间歌工作寿命
最后测试：
Z(j-c)
CRRL分组
引用标准
GB4937—85
·本试验采用专用设备进行。
9D组鉴定批准试验
不适用。
10附加资料（不作检验用）
特性曲线
SJ3127-88
除非另有规定，
Tamb-25℃
按方法2
AT-60℃
下限温度=25±5℃
t..=1min,t.=2-3min
5000次
同C2d分组
C2、C3、C4、C6、C9
和C11的属性资料：
C8试验前后的测量数据
最小值
最大值
标志应保解清晰
初始值
Teast(c)
图7 Ptot—To..c
器件制造厂应给出下列特性曲线：.Ic-Vc关系曲线，
b.bre-Ic关系曲线，
e.Vce(sat)-Ic美系邮设：
d.VBE(sat)-Ic关系曲线。
SJ3127-88
Te=25℃
(90V,0.5A)
(1Ebov,2）
(1500V)
VeE(V)
安全工作区（直流）
A.1加速老化
SJ3127—88
附录A
晶体管的可焊性
（补充件）
对于在器件制成后，又进行沾锡（或镀）的器件，需做加速老化。其条件是：100℃水蒸气中置放1h。
A.2试验方法
a优先采用焊槽法。
b，必要时，可采用润湿称量法。按GB2423.32-85《电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法可焊性试验方法》进行。润湿过程，按使用非活性焊剂时，在3S内达到理论润湿力的35%。
附加说明
本标准由电子工业部标准化研究所和742厂负起草，11
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