【电子行业标准(SJ)】 电子器件详细规范 ３ＤＤ８２０型硅ＮＰＮ低频放大管壳额定双极型晶体管

中华人民共和国电子工业部部标准电子元器件详细规范
3DD820型
硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管中国电子技术标准化研究所
评定器件质量的根据：
GB4936.185
《半导体分立器件总规范》
3DD820型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管详细规范订贷资料：见本规范第7章
1机械说明
外形符合GB7581-87《半导体分立器件外形尺寸》中B2-01C的要求，详见下图；电
中华人民共和国电子工业部1988-04-08批准2简略说明
SJ3128-88
半导体材料：N型硅
金属封装
结构特点：三重扩散台面结构
主要用途：用于彩色电视机的
开关电源电路或其
它低频放大电路
质量评定类别
参考数据：
Ptot=50W
I。5A
Vcno≥1500V
VEB05V
(T...=25℃)
1988-12-01实施
B2-01C
4极限值（绝对最大额定值）
管壳温度
贮存温度
最大集电极一基极直流电压
最大集电极一发射极直流电压
最大发射极一基极直流电压
最大集电极直流电流
SJ3128-88
1一基极
2一发射极
集电极接管壳
hFE≥8
最小值
最大值
最大耗散功率：
T.a.= 5℃
Tens,-75℃
最高有效（等效的）结温
安全工作区（Ic-Vcr两线）
（见曲线图10）
SJ3128-88
5电特性检验要求见本规范的第8章特性和条件
除非另有规定
Tamb=25℃
共发射极正向电流传输比的静态值VeE-5V
特征频率
VcE-10V,I.-0.1A
集电极一基极截止电流
VcB=500V
VcB-1500V.
高温下的集电极一基极截止电流Tamb=100℃
VcR=1000V,Ig==0
集电极一发射极饱和电压
Ic=4A，IB=0.8A
·仅供参考
IcBo(1)
IcBo(2)
VcE(sat)
最小值
最大值
最小值最大值
单位试验组别
特性和条件
除非另有规定
Tmb=25℃
基极一发射极饱和电压
Ic=4A,IB=0.8A
下降时间
Ic=4A,IB1=0.8A
Vcc=105V
集电极一发射极维持电压
Ic=100mA
结到管壳的瞬态热阻
VcE=30V,Ic=2.5A
t=10ms,Iu=5mA
6标志
6.1器件上的标志
a产品型号：3DD820
b.类别标记（应放在型号后面）：c.制造厂商标：
d．检验批识别代号。
6.2包装盒上的标志
a.重复器件上的标志；
b．标上“怕湿”等字样。
7订货资料：
订货单上应有下列资料
a，准确的型号；
b本规范编号；
c，其他（在有特殊要求时
试验条件和检验要求
SJ3128-88
Ve(sat)
最小值最大值
VpEO(sus)i600
Zthti-e)
试验组别
在本章中，除非另有规定，引用的条款号对应于GB4936，1一85的条款号：引用的测试方法按GB4936.1-85，6.1.1.
全部检验都是非破坏性的
检验或试验
A1分组
A2a分组
不工作器件
IcBo(1)
A2b分组
IcBo(1)
Ver(sat)
A3分组
Vce(sat)
YcBo(sus)
A4分组
·仅供参考
引用标准
GB4936.1—85,
SJ3128-88
A组一逐批
除非另有规定，
Tamh=25r
Vc=500V,Ig=0
Vce-5V
Vc-500V,Ig=0
VcB=1500V,Je=0
VcE-5V
Ic=100mA
Ic=4A，Vcc-105V
最小值最大值
SJ3128-88
B组一逐批
只有标明（D）的试验足破坏性的。条
检验或试验
B1分组
B1分组
可焊性
B5分组
温度变化
继之以密封
B8分组
电耐久性
最后测试：
Ieno(1)
B9分组
高温贮存
最后测试：
同B8分组
CRRL分组
引用标雅
IGB4938.1—85,
附录C
GB4937-85《半
导体分立器件机械
和气候试验方法》
GB4937-—85，
GB4937+85,
GB4938-85《半
导体分立器件接收
和可靠性》
GB4937—85
除非另有规定
Tamb25r
本试验采用：试验b
受试引出端数：2
其他规定，见附录A
两椭法：
冷槽温度：0℃
热槽温度：100℃
严格度等级：I
循环次数：10次
细检漏：采用方法1
粗检漏：采用方法3
试验液体：
(Teas.=75±5c)
VcE100V
Ven=500V,Tz=0
B4、B5、B8和B9的属性资料
最小值
最大值
见本规范的外
湿润良好
SJ3128-88
C组一周期
只有标明（D）的试验是破坏性的，条件
检验或试验
C1分组
C2a分组
C2b分组
IcBo(2)
C2d分组
Zth(j-c)
C3分组
拉力(D)
C4分组
耐焊按热
最后测试，
IcBo(1)
C6分组
恒定加速度
最后测试
同C4分组
引用标准
GB4935.1—85
5.2和附录C
GB4937-85，
GB4937-85，
GB4937-85，
除非另有规定，
Tamb=25℃
Vrg-10V,Ic-0.14
Vc#1000V,Ig0
Tamb100℃
VcE-30V
t=10ms
Im=5mA
受试引出端数：2
外加力：20N
采用方法1A
每个月1次
Vc-500V,Ig-0
Vcr-5V
严格度：19600m/s2
加速度轴和方向：
Y方向，Y方向为管脚
最小值最大值
见本规范
的外形图
无损伤
检验或试验
C8分组
电耐久性
最后测试：
Ico(1)
C9分组
高温贮存
最后测试：
同C8分组
C11分组
标志耐久性
C13分组
间歇工作寿命
最后测试
Zth(i-e)
CRRL分组
引用标准
GB4938-85
GB4937—85，
GB4937--85，
本试验采用专用设备进行，
SJ3128-88
除非另有规定，
Tamb=25c
Ptot=30W
(T.a..=75±5u)
Vce-100V
Vc-500V,Ig0
Vce=5V
Tstg=150t
按方法2
下限温度=25±5℃
-imintote
2~3min
5000次
同C2d分组
检验要求
最小值最大值
标志应保
持消晰
初始值℃/W
C2、C3、C4、C6、
C9和C11的属性资料：
C8试验前后的测量数据
D组一鉴定批准试验
不适用。bzxz.net
10附加资料（不作检验用）
特性曲线
CIov,5
Te-25°c
(oaV05A)
(600V,3m)
(1500V）
Vee(V)
图9Ptot-Tcase
件制进厂应输出下列特性曲线，a，Ic-Vce关系曲线，
b、hFE-Ic关系曲线，
c.Vce（sat）—Ic关系曲线：
d，Vee（sat）-Ic关系曲线
Sj3128-88
Tcase('℃)
安全工作区（直流）
SJ3128-88
附录A
晶体管的可焊性
（补充件）
A.1加速老化
对于在器件制成后，又进行沾（或镀锡）的器件，需做加速老化。其条件是，100℃水蒸气中置放1h。
A2试验方法
，优先采用焊槽法。
b必要时，可采用润湿称量法，按GB2423.32—85《电工电子产品基本环境试验规程润显称量法可焊性试验方法》进行。润湿过程，按使用非活性焊剂时，在3s内达到理论润湿力的35%。
附加说明：
本标准由电子工业部标准化研究所和742厂负责起草，10
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