【电子行业标准(SJ)】 电子器件详细规范 ３ＤＧ１７７９型高频放大型额定双极型晶体管

中华人民共和国电子工业部部标准电子元器件详细规范
3DG1779型高频放大型额定双极型晶体管中华人民共和国电子工业部
评定器件质量的根据：
GB4936.1-85
《半导体分立器件总规范》
3DG1779型详细规范
订货资料：见本规范第7章
1机械说明
2简要说明：
SJ3123-88
SJ3123-88
外形标准：GB7581一87《半导体分立器件外高频放大用环境额定双极型晶体管半导体形尺寸》中代号A3—07A
外形图及引出端识别
标志：见本规范第6章
材料：硅
封装：塑料（非空腔）
应用：用于VHF频段机械调谐器高及其它高频AGC电路中
质录评定类别：工类
参考数据：
Pot=250mW(Tamb=25℃)
Ic-20mA
F>450MHz
GP>16dB
VAGc<6.2V
中华人民共和国电子工业部1988-04-08批准1988-12-01实施
4极限值（绝对大额定值）
除非另有规定，Tamb=25c
条文号
5电特性
环境温度
忙存温度
最大集电极一基极直流电压
SJ3123-88
最大集电极一发射极直流电压
最大发射极一基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极耗散功率
最高有效结温
检验要求见规范第8章
条文号
特性和条件
除非另有规定，Tumb=25℃
共发射极正向电流传输比静比值Vc-10V.Ic-3mA
特征频率
VcB-10V
Ic-3mA
f-200MHz
集电极一基极截止电流
高温下的集电极一基极裁止电流Vch-24V,Ig-0
Tamb=100c
发射极一基极截止电流
Icho (n)
Icno (2)
最小值
最小值
最大值
最大值
条文号
6标志
特性和条件
SJ3123—88
除非另有规定，Temb-25℃
终控AGC电压
Vec12V
f200MHz
AGP---30dB
共发射极反向传辅电容
Vea-10V
Ig-ImA
(-10.7MHz
躁声系数
Vos10v
Ig-3mA
f-200MHz
功率增益
Va-12V
Ig-3mA
f-200MHz
6.1器件上的标志
2。简略型号和质量类别：
b.制造厂商标；
检验批识别代码，
6.2包装盒上的标志
型号（和简略型号）和质量类别；a.
b。制造厂名称和商标；
检验批识别代码；
d。“防潮\等.
7订货资料
量。准确的型号；
b。本规范的编号；
8试验条件和检验要求
最小值
最大值
本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.185的条文号：测试方法引自GB4936.1-85第6.1.1条
SJ3123-88
A组一逐批
全部试验都是非破坏性的（3.6.6)条
检验或试验
A1分组
外部自检
A2a分组
不工作器件
共发射极正向电流
传输比静态值
集电极一基极截止电流
A2b分组
共发射极正向电流
传输比静态值
集电极一基极截止电流
发射极一基极截止电流
A3分组
功率增益
噪声系数
A4分组
终控4GC电压
特征频率
hFE(1)
Icnorm)
hpE(a)
IcBocn
T—002
GB4587,
附录A.3
GB4587，
附录B
T—041
除非另有规定
Tamb=250
(见GB4936.1
第4章)
Vc10V,I-3mA
Vc=30V,Ig0
Vcm-10VJ.-3mA
Vcg=30V,Ig=0
V-2V-0
Vca=12V,Ig-3mA
f-200MHzA
Vca10VIg3mA
f-200MHzA
f=200MHZ
AGB--30dB
Vce-10V,Ic-3mAWww.bzxZ.net
f=200MHz
检验要求
最小值最大值
标志清晰，表
面无机械损伤
SJ3123-88
B组一逐批
只有标明（D）的试验是破坏的（3.6.6)条
除非另有规定
检验或试验
B1分组
B3分组
引出端强度：
弯曲 (D)
B4分组
可焊性
B5分组
温度变化
继之以
交变湿热(D)
最后测试：
集电极一基截止
共发射极正向电流
传输比静态值
Icso (1)
hpa (n)
引用标准
GB4937,
G34937
GB4937,
Tambm25c
(见GB4936.1
第4章)
方法1
受试引出端数：3
外加力：2.5N
试验b
受试引出端效：3
其它规定见本规范
附录A
TA--55C
TB125t
tlas30min
严醋等级：
温度55℃
周期数6天
检验要求
最小值最大值
按本规范
第1章
无损伤
按GB4937，
恢复条件正常的试验
大气条件
按A2b分组
按A2b分组
按A2b分组
按A2b分组
检验或试验
B8分组
电耐久性
最后测试：
集电极一基极截止电流
共发射极正向电流传
输比静态值
B9分组
高温贮存
最后测试：
同B8分组
GRRL分组
icBo ()
hpe ()
SJ3123-88
除非另有规定
引用标准
GB4938
GB4937
Tamb-25℃
（见GB4936.1
工作寿命t=168h
Pto=250mW
Ves-14V
VcB-30V,Ig=0
Vcg=10V
Ic-3mA
t=168h
Tstg=150℃
按B8分组
检验要求
最小值最大值
按B8分组
就B3、B4、B5、B8和B9分组提供计数检查结果注：1）GB4938《半导体分立器件接收和可靠性》单
SJ3123-88
C组一周期
只有标明（D）的试验是破坏性的(3.6.6)件
除非另有规定
检验或试验
C1分组
C2a分组
共发射极反向
传输电容
C2L分组
高温下巢电极一基
极截止电流
C3分组
引出端强度：
拉力 (D)
C4分组
耐焊接热(D）
最后测试：
同B5分组
C7分组
稳态湿热(D)
最后测试：
同B5分组
Icaoa)
引用标准
T--042
GB4937，
GB4936
Tamb-25℃
(见GB4936.1
第4章)
Nca10V,Ig1mA
f-10.7MHz
Vca-20V,dgo
Tamba100℃
外加力：5N
受试引出端数：3
方法1A
按B5分组
严格度1
Vea25V
t-168h
按B5分组
最小值
最大值
按本规范第1章
按GB4937、
按B5分组
按B5分组
检验或试验
C8分组
电久性
最后测试：
同B8分组
C9分组
商温忙存（D）
最后测试：
同B8分组
CI1分组
标志耐久性
C12分组
易燃性（外部引起）
CRRL分组
SJ3123-88
引用标准
除非另有规定
Tamb-25t
(见GB4936.1
第4章)
Ptot=250mW
GB4938
GB4937，
GB4937，
GB4937，
VCE-14V
工作寿命t=1000h
按B8分组
stg-150℃
t-1000b
按B8分组
方法2
按GB4937，
检验要求
最小值
最大值
按B8分组
按B8分组
按GB4937，
按GB4937，
就C2、C3、C4、C7、C9分组提供计数检查结果；提供C8分组试验前后的计量检查结果9D组一鉴定批准试验
D组试验除鉴定时必须进行外，每12个月应进行一次，仅为了提供资料，不作验收依据。
除非另有规定
检验或试验
电耐久性
电后测试：
同B8分组
CRRL分组
引用标准
GB4938
Tamb-25c
（见GB4936.1
第4章)
工作寿命t2000h，
Ptot-250mw，
VcB-14V
同B8分组
提供D组试验前后的计量检查结果极
最小值
检验要
最大值
同B8分组
A.1加速老化
SJ3123-88
晶体管可焊性
(补充件)
对于在器件制成后，又进行沾锡（或镀锡）的器件，做加速老化。其条件是：100℃水蒸气中置放一小时。
A.2试验方法
a，优先采用槽焊法。
b.必要时，可采用润湿称身法。按国标GB2423.32一85《电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法可焊性试验方法》进行，润湿过程，按使用非活性焊剂时，在3秒钟内达到理论润湿力的35%。
附加说明：
本标准由丹东半导体器件总厂起草。9
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