【电子行业标准(SJ)】 电子器件详细规范 ３ＤＧ１２１５型高频放大环境额定双极型晶体管

中华人民共和国电子工业部部标准SJ3120--88
电子元器件详细规范
3DG1215型、3DG2464型、
3DG3177型、3DG1779型
高频放大环境额定双极型晶体管1988-04-08发布
1988-12-01实施
中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子工业部部标准电子元器件详细规范
SJ3120-88
3DG1215型高频放大环境额定双极型晶体管中华人民共和国电子工业部
评定器件质量的依据：
GB4936.1-85
《半导体分立器件总规范》
3DG1215型详细规范
订货资料：见本规范第7章
1机械说明
外形标准：GB7581-87《半导体分立器件外形尺寸》中代号A3-07A
外形图及引出端识别：
标志：见本规范第6章
2简要说明
SJ3120—88
高频放大用环境额定双极型晶体管半导体材料：硅
封装：塑料 (非空腔)
应用：主要用于UHF、VHF机调高频调谐器本振和电视机中放及其它高频线路中
3质量评定类别Ⅱ类
参考数据：
Ptor=250mW(Tamb=25℃)
Ic=50mA
f>600MHz
>900MHz
Ib*·Cc<25PS
中华人民共和国电子工业部1988-0408批准(B档)
(C档)
1988-12-01实施
4极限值（绝对最大额定值）
除非另有规定，Tamb=25c
条文号
5电特性
环境温度
贮存温度
最大集电极一基极直流电压
SJ312088
最大集电极一发射极直流电压
最大发射极一基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极耗散功率
最高有效结温
检验要求见本规范第8章
条文号
特性和条件
除非另有规定，Tmb-25℃
共发射极正向电流传输比静态值Vc-10V,Ic2mA
共发射极正向电流传输比静态值VcB-10V,I.-0.1mA,
特征频率
Ven-10V
Ic-15mA
f-200MHz
集电极一基极截止电流
Vca-30V
高温下的集电极一基极裁止电流VcB24V.Ig-0
Tamb-100℃
hpg (n)
Icno ()
IcBo (2)
最小值
最小值
最大值
最大值
条文号
6标志
SJ3120—88
特性和条件
除非另有规定，Tam-25℃
发射极一基极裁止电流
Vga-3V
集电极一发射极炮和压降
I-10mA
Ig-ImA
基极一发射极电压
Vea-10V
Ig-2mA
功率增益
Ig=ImA
=200MHz
共发射极反向传摘电窃
Vcn-10V
Ig=ImA
f-10.7MHz
集电极一基极时向常数
Vea10V
Ig-10mA
f=31.9MHz
器件上的标志
简略型号和质量类别
制造厂商标；
检验批识别代码。
包装盒上的标志
型号（和简略型号）和质量类别：a.
制造厂名称和商标；
检验批识别代码；
“防潮\等，
7订货资料
。型号；
b.本规范编号；
c。其它，
8试验条件和检验要求
rbb'Ce
最小值
最大值
在本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1一85的条文号；测试方法引自GB4936.1—85第6.1.1条
SJ3120-88
A组一逐批
全部试验都是非破坏性的（3.6.6)条
检验或试验
A1分组
外部目检
A2a分组
不工作器件
共发射极正向电流传
输比静态值
集电极一基极截止电流
A2b分组
共发射极正向电流传输
比静态值
集电极一基极截止电流
符号用标准
IcBo(n)
发射极一基极截止电流
集电极一发射极饱和压降
VcBal)
基极一发射极电压
A3分组
功率培益
A4分组
特征频率
T--005
GB4587，
附录A.3
除非另有规定
Tamb=25℃
（见GB4936.1第4章）
Vc-10V,Ic-2mA
Vc-30VIg-0
Vc-10V,c2mA
Vc30V,Ig0
VgB-3V,Ic-0
Ic10mA,Ig-ImA
Vca10V,Ig-2mA
Voa-10v
Ig=ImA
f-200MHz
Vc-10V,Ic-15mA
f-200MHz
注：1）GB4587《双极型晶体管测试方法》4
检验要求
最小值
最大值
标志清晰，表
面无机械损伤
SJ3120-88
B组一逐批
只有标明(D）的试验是破坏性（3.6.6)条
除非另有规定
检验或试验
B1分组
B3分组
引出端强度：
弯曲(D)
B4分组
可焊性
B5分组
温度变化
继之以
交变湿热(D)
最后测试：
集电极一基极截止电流IcBO(1)
共发射极正向电流传输比hpE(1)静态值
B8分组
电耐久性
最后测试
Icsou)
集电极一基极截止电流
共发射极正向电流传输比
静态值
集电极一发射极饱和压降Vce（)B9分组
高温贮存
最后测试：
同B8分组
CRRL分组
引用标准
GB4937
GB4937,
GB4937,
GB49383
GB4937
Tmb-25℃此内容来自标准下载网
（见GB4936.1第4章）
方法1
受试引出端数：3
外加力：2.5N
试验h
受试引出端数：3
其它规定见本规范附录A
TA#-55C
TB-125℃
t-30nin
严酷等级：
温度55℃，
阔期数6天
恢复条件正常的试验
大气条件
A2b分组
按A2b分组
工作寿命t=168h
Puot-250mW
VcB-14V
Vc-30V,I.-0
Vca-10V
Je-2mA
L-10mAImA
t-168h
T-150℃
按B8分组
检验要求
最小值最大值
按本规范
第1章
无摄伤
按GB4937，
按A2b分组
按A2b分组
按B8分组
就B3、B4、B5、B8和B9分组提供计数检查结果注：1)GB4937《半导体分立器件机械和气候试验方法》2）GB2423《电工电子产品基本环境试验规程试验Db：交变湿热试验方法》。3）GB4938《半导体分立器件接收和可靠性》曾位
SJ3120—88
C组一周期
只有标明（D）的试验是破坏性的（3.6.6)条
检验或试验
C1分组
C2a分组
共发射极反向传输电容
集电极一基极时间常数
C2b分组
高温下集电极一基极
截止电流
共发射极正向电流传输
比静态值
C3分组
引出端强度：
拉力(D)
C4分组
耐焊接热(D)
最后测试：
同B5分组
C7分组
稳态湿热(D)
最后测试：
同B5分组
C8分组
电耐久性
最后测试
同B8分组
C9.分组
高温贮存(D)
最后测试：
同B8分组
C11分组
标志耐久性
C12分组
易燃性(外部引起）
CRRL分组
2Bo(2)
hpe(3)
引用标准
T--006
GB4937，
GB4937
GB4937，
GB4938
GB4937
GB4937,
GB4937
Tmh25c
（见GB4936.1第4章）
Vo-10VI.-1mA
f-10.7MHz
Vcs-10V,g-10mA
f-31.9MHz
本规范附录B
Va-24V,Ig-0
Tamb-100t
Vee-10v
外加力：5N
受试引出端数：3
方法1A
按B5分组
严格度1，
VCB-25Y
t=168h
按B5分组
P.o.=250mW
VcB-14V
工作寿命t=1000h
按B8分组
T150℃
t=1000h
按B8分组
方法2
按GB4937,4.1.1
检验要求
最小值最大值
按本规范第1章
按GB4937，
按B5分组
按B5分组
同B8分组
按B8分组
按GB4937,4.2
按GB4937,4.1.1
就C2、C3、C4、C7、C9分组提供计数检查结果；提供C8分组试验前后的计盘检查结果，PF
9D组一鉴定批准试验
SJ3120--88
D组试验除鉴定时必须进行外，每12个月应进行一次，仅为了提供资料，不作验收依据。
除非另有规定，
检验或试验
电耐久性
最后测试：
同B8分组
CRRL分组
引用标准
GB4938
Tamb=25c
（见GB4936.1第4章）
工作寿命t=2000h
P-250mW,Vcg-14V
同B8分组
提供D组试验前后的计量检查结果检验要求
最小值最大值
同B8分组
A.1加速老化：
SJ3120-88
附录A
体管的可焊性
(补充件）
对于在器件制成后，又进行沾汤（或镀汤）的器件，需做加速老化，其条件是：100c水蒸汽中置放1h
A.2试验方法：
a。优先采用焊法，
b.必要时，可采用润湿称盘法，按GB2423、32-85《电工电子产品基本环境试验规程。润湿称盘法可焊性试验方法》进行，润湿过程，按使用非活性焊剂时，在3S内达到理论润湿力的35%。
附加说明：
SJ3120—88
附录B
集电极一基极时间常数测试电路(补充件)
12Crm0.0tuF
(2CLo.otaf
12L318
L3300pF
12CoL0.01M4
准由丹东半导体器件总厂负责起草，输入
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