【电子行业标准(SJ)】 电子器件详细规范 ３ＤＧ３１７７型高频放大环境额定双极型晶体管

中华人民共和国电子工业部部标准电子元器件详细规范
SJ3122-88
3DG3177型高频放大环境额定双极型晶体管中华人民共和国电子工业部
评定器件质量的根据：
GB4936.1—85
《半导体分立器件总规范》
3DG3177型详细规范
订货资料：见本规范第7章
1机械说明
外形标准：GB7581-87《半导体分立器件外形尺寸》中代号A3一07A
外形图及引出端识别：
标志：见本规范第6章
简要说明
SJ3122—88
高频放大用环境额定双极型晶体管半导体材料：硅
封装：塑料（非空腔）
应用：主要用于VHF频段机调高频调谐器混频，也可用于U.V频段本振
和电视机中放及其它高频线路中。3质量评定类别：Ⅱ类
参考数据：
Prot=150mw(Tamb=25C)
Ic=30mA
f>900MHz
Cob<2pF
中华人民共和国电子工业部1988-04-08批准1988-12-01实施
4极限值（绝对最大额定值）
除非另有规定，Tamb=25c
条文号
5电特性
环境温度
贮存温度
SJ3122--88
最大集电极一基极直流电压
最大集电极发射极直流电压
最大发射极一基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极耗散功率
最高有效结温
检验要求见本规范第8章
条文号
特性和条件
除非另有规定，Tamb=25℃
共发射极正向电流传输比静态值Vce=10V,Ic-3mAa
共发射极正向电流传输比静态值Vc=10V,Ic=0.1mAa
集电极一基极载止电流
Vcn=20V
高温下的集电极一基极裁止电流Vca-15V,Ic0
Tamb-100c
发射极一基极截止电流
VEn=2V
hpB(1)
hpe(3)
Icso(1)
IcBo(2)
最小值
最小值
最大值
最大值
条文号
6标志
特性和条件
SJ3122—88
除非另有规定，Tamb=25c
集电极一发射极饱和压降
Ic=10mA
特征频率
Ve-10V
Ic=3mA
f=200MHz
共基极输出电容
Vn= 4V
f=1MHz
基极一发射极电压
VcB=10V
Ig=2mA
功率增益
Vcn=12V
f=200MHz
6.1器件上的标志
8。简略型号和质量类别：
b.制造厂商标；
c。检验批识别代码。
6.2包装盒上的标志
型号（和简路型号）和质盘类别；a.
制造厂名称和商标；
检验批识别代码；
d.“防潮\等.
7订货资料
8.准确的型号
b.本规范的缩号；
c.其它.
8试验条件和检验要求
最小值最大值
本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1一85的条文号：测试方法引自GB4936.1—85的6.1.1条，
SJ3122-88
A组一逐批
全部试验都是非破坏性的(3.6.6)条
检验或试验
A1分组
外部目检
A2a分组
不工作器件
共发射极正向电流传输
比静态值
hearny
集电极一基极截止电流
Icnot)
A2b分组
共发射极正向电流传输比hps(1)静态值
集电极一基极截止电流
发射极一基极截止电流
引用标准
IcBo(1)
T—002
T—003
集电极一发射极饱和压降V
ce(sat)/
基极发射极电压
A3分组
功率增益
A4分组
特征频率
T—005
除非另有规定
Tamb=25℃
（见GB4936.1第4章）
Vcg-10V,Ic-3mA
Ve-20V,Ig0
Vc-10V,Ic-3mA
Va-20V,Ig-0
Va-2V-0
Ic-10mA,I,ImA
Va-10V,I,-2mA
GB4587
Vca-12V,Ia-3mA
附录A.3
T—041
f=-200MHz
Vc-10V,Ic-3mA
f=200MHz
注：1）GB4587《双极型晶体管测试方法》极
最小值
检验要求
最大值
标志清晰
表面无机械
SJ3122--88
B组一逐批
只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)条
除非另有规定
检验或试验
B1分组
B3分组
引出端强度：
弯曲(D)
B4分组
可焊性
B5分组
温度变化
继之以
交变湿热(D)
最后测试：
集电极一基极截止电流
共发射极正向电流传输
比静态值
B8分组
电耐久性
最后测试
集电极一基极截止电流
共发射正向电流传输
比静态值
集电极一发射极饱和压降
B9分组
高温贮存
最后测试
同B8分组
CRRL分组
IcBot)
hpe(t)
hpEru)
VcBbat
引用标准
GB4937，
B4937.2.2.1
GB4937,
B2423.41)
GB4938，2)
GB4937，
Tamb-25c
检验要求
（见GB4936.1第4章）最小值最大值按本规范
第丨章
方法1
受试引出端数：3
外加力：2.5N
试验b
受试引出尴数：3
其它规定见本
规范附录A
TA--55C,
TB-125℃
t,-30min
严酷等级：
温度55℃，
周期数6天
恢复条件：正常的
试验大气条件
按A2b分组
按A2b分组
工作寿命168h
Ptet=150mW
Vcg-10V
Vcn-20V,Ig=0
Va-10v
Ic-3mA
Ic10mAIg-ImA
t-168h
Tu-125
按B8分组
无报伤
按GB4937，
按A2b分组
按A2b分组
按B8分组
就B3、B4、B5、B8和B9分组提供计数检查结果注：1）GB2423.4《电工电子产品基本环境试验规程试验D：交变湿热试验方法》2）GB4938《半导体分立器件接收和可靠性》5
SJ3122—88
C组一周期
只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)条
除非另有规定
检验或试验
C1分组
C2a分组
共基极输出电容
C2b分组
高温下集电极一基极截止IcBo(2)电流
共发射极正向电流传输比
静态值
C3分组
引出端强度：
拉力(D)
C4分组
耐焊接热(D)
最后测试：
间5分组
C7分组
稳态湿热(D)
最后测试；
同BS分组
C8分组
电耐久性
最后测试；
同B8分组
C9分组
高温贮存(D)
最后测试：
同B8分组下载标准就来标准下载网
CH1分组
标志耐久性
C12分组
易燃性（外部引起）
CRRL分组
hpB(3)
引用标准
T—001
GB4937
GB4937，
GB4937
GB4938
GB4937，
GB4937,
GB4937
Tamb-25℃(见
GB4936.1第4章）
Vca-4V,Ig-0
f-IMH,
Vc-15V,Ig-0
Tamb-100℃
Vce10V
外加力：5N
受试引出端数：3
方法1A
按B5分组
严格度1.
VcB-16V
t=168h
按B5分组
Pal=150mw
工作寿命t1000h
按B8分组
Tstg=125
t=1000h
接B8分组
方法2
按4937，4.1.1
就C2、C3、C4、
检验要求
最小值最大值
按本规范
第1章
按GB4937，
按B5分组
按B5分组
按B8分组
接B8分织
按GB4937，
按GB4937
C7、C9分组提供计数检查结果：提供C8分组试验前后的计量检查结果类
D组一鉴定批准试验
SJ3122-88
D组试验除鉴定时必须进行外，每12个月应进行一次，仅为了提供资料，不作验收依据。
检验或试验
电耐久性
最后测试：
同B8分组
CRRL分组
符号引用标准
除非另有凝定
Tamb=25t
（见GB4936.1第4章
工作寿命
t=2000h,
Pet-j50mw:
Vo-10v
同B8分组
提供D组试验前后的计量检查结采极
最小值
检验要求
最大值
同B8分组
A.1加速老化
SJ3122—88
附录A
晶体管可焊性
(补充件)
对于在器件制成后，又进行沾锡（或镀锡）的器件，需做加速老化。其条件是：100℃水蒸气中置放一小时，
2试验方法
。优先采用槽焊法。
b必要时，可采用润湿称量法.按国标GB2423·32-—85《电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法可焊性试验方法》进行。润湿过程，按使用非活性焊剂时，在3秒钟内达到理论润湿力的35%。
附加说明：
本标准由丹东半导体器件总负责起草。8
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