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【电子行业标准(SJ)】 用于光纤系统(或分系统)带尾纤或不带尾纤的PIN-FET模块空白详细规范
本网站 发布时间:
2024-07-14 11:40:50
- SJ/T11165-1998
- 现行
标准号:
SJ/T 11165-1998
标准名称:
用于光纤系统(或分系统)带尾纤或不带尾纤的PIN-FET模块空白详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1998-03-11 -
实施日期:
1998-05-01 出版语种:
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标准简介:
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本空白详细规范规定了制订用于光纤系统或子系统带尾纤/或不带尾纤的PIN-FET模块详细规范的基本要求,制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列IEC标准一起使用。 SJ/T 11165-1998 用于光纤系统(或分系统)带尾纤或不带尾纤的PIN-FET模块空白详细规范 SJ/T11165-1998

部分标准内容:
ICS31.260
备案号:2069-1998
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T11165-1998
idtIEC747-12-4
用干光纤系统或子系统带尾纤/
或不带尾纤的PIN-FET模块空白
详细规范
Blank detail specification of PIN-FETmodules with/without pigtail forfibre optic systems or subsystems1998-03-11发布
中华人民共和国电子工业部
1998-05-01实施
TYYKAON KAca
本空白详细规范等同采用国际电工委员会(IEC)标准IEC747—124《半导体器件第12部:光电子器件第四篇
用于光纤系统或子系统带尾纤/或不带尾纤的PIN一FET模块空白详细规范》。
本标准引用的国家标准GB/T15651-19955等同采用IEC747—5(1994)
本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准起草单位:电子工业部标准化研究所。本标准主要起草人:于洋、常利民。YKAoNrKAas
IEC前
1)IEC(国际电工委员会)是由各国家电工委员会(IEC国家委员会)组成的世界性标准化组织。IEC的目的是促进电工电子领域标准化问题的国际合作。为此目的,除其他活动外,IEC发布国际标准,国际标准的制定由技术委员会承担,对所涉及内容关切的任何IEC国家委员会均可参加国际标准的制定工作。与IEC有联系的任何国际、政府和非官方组织也可以参加国际标准的制定。IEC与国际标准化组织(ISO)根据两组织间协商确定的条件保持密切的合作关系。
2)IEC在技术问题上的正式决议或决议,是由对这些问题特别关注的国家委员会参加每一个技术委员会制定的,对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。3)这些决议或协议以标准、技术报告或导则的形式发布,以推荐的形式供国际上使用,并在此意义上,为各国家委员会认可。4)为了促进国际上的统一,各IEC国家委员会有责任使其国家和地区标准尽可能用采用IEC标准。IEC标准与相应国家或地区标准之间的任何差异应在国家或地区标准中指明。5)IEC未制定使用认可标志的任何程序,当宣称某一产品符合相应的IEC标准时,IEC概不负责。
6)本标准是由SC47C(光电子器件、显示和图像器件)和EC47(半导体器件)制定的。本标准系用于光纤系统和子系统的PIN一FET模块空白详细规范。本标准文本以下列文件为依据:最终草案
47C/151/FDIS
表决报告
47C/XXX/RVD
本标准表决批准的详细资料可在上表列出的表决报告中查阅。本标准封面的QC编号是IEC电子元器件质量评定体系(IECQ)规范号。rYkAoNrKAcas
中华人民共和国电子行业标准
半导体器件第12部分:光电子器件第4篇:用于光纤系统或子系统
带尾纤/或不带尾纤的PIN一FET模块空白详细规范
Semiconductor devices Part 12:Optoelectronic devicesSection 4:Blank detail specification forPIN--FET modules with/without pigtailforfibreoptic system or subsystem1引言
SJ/T11165-1998
idtIEC747-12-4
本空白详细规范规定了制订用于光纤系统或子系统带尾纤/或不带尾纤的PIN一FET模块详细规范的基本要求,制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列IEC标准一起使用。
IEC747--10/QC700000:1991半导体器件第10部分分立器和集成电路总规范IEC747一12/QC720100:1991半导体器件第12部分光电子器件分规范2要求的资料
本页及下页方括号内的数字与下列各项要求的资料相对应,这些资料应填入相应栏中。[1]授权发布详细规范的国家标准化机构名称。[2]详细规范的IECQ编号
[3]总规范、分规范的编号及版本号。【4]详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何资料。3器件的识别
[S]主要功能和型号
【6]外形图、引线识别、标志和/或有关的外形图文件。[7]典型结构(材料、主要工艺)和封装资料。中华人民共和国电子工业部1998-03-11批准YYKAONrKAcas
1998-05-01实施
SJ/T11165--1998
如果器件具有若干种派生产品,则应指出其差异。例如,在对照表中列出特性差异。如果器件属静电敏感型,在详细规范中应附加预防说明。[8]按总规范2.6的质量评定类别。【本规范下面方括号给出的条款构成了详细规范的首页,那些条款仅供指导详细规范的编写,而不应纳入详细规范中1
[【国家代表机构(NAI)(和可以提供规范的团体)名称(地址)
评定电子元器件质量的依据
总规范:IEC747-10/QC700000
分规范:IEC747—12/QC720100
【编号不同时的国家标准号】
[IECQ详细规范编号、版本号和/或日期]】【详细规范的国家编号]
【若国家编号与IECQ编号相同,本栏可不填]用于光纤系统或子系统的带尾纤(或不带尾纤)的PIN一FET详细规范[有关器件和结构相似性器件的型号]订货资料:见本规范第7章
机械说明
外形或底座和管壳标准
IEC191-2
国家标准(如果没有IEC外形标准)外形图和连接:
【与外壳相连的引出端]
[光窗的特性]
有关输入光纤的资料
(尾纤)(见第9章)
光纤类型、芯径和包层直径:
数值孔径;
一被覆层(一次/二次);
一尾纤结构;
尾纤长度:
带连接器的尾纤端面的制备(适用时)。【可以移入本规范第9章或给出更详细的资料
标志:字母和图形或色码
【见本规范第6章】
【如采用特殊方法需标明极性]
极限值(绝对最大额定值体系)2
简要说明
用于光纤系统或子系统带尾纤的PIN—FET模块
半导体材料
光电二极管:Si,GeInGaAs..
FET.GaAs,Si.InGaAs...
放大电路GaAs,Si,InGaAs*
封装:金属/玻璃/塑料/其它
光纤类型:被覆
应用:数字信号、模拟信号
工作波长:0.85μm,1,3μm
【某个重要参考日期可以填入]质量评定类别
【按总规范2.6]
除非另有规定,这些极限值适用整个工作温度范围。[8]
【只重复使用带有标题的条款号。任何附加值在适当的地方给出,但没有条款号。]【曲线最好在本规范的第10章给出。]2-
YYKAONrKACas
条款号
5光电特性
工作环境温度或管尧温度
贮存温度
焊接温度
SJ/T11165—1998
Tamb Tcase
(应给出焊接时间以及距管壳的最小距离)
[在第10章中可给出推荐安装条
件(温度,持续时间)
尾纤的曲半径
(距管壳规定的距离处)
加速度(适用时)
沿尾纤轴线方向上的张力
松套结构:
光纤的张力
光缆的张力
紧套结构:
光缆的张力
工作电压
入射功率
检验要求见本规范第8章。
最小值
最大值Ⅱ
mm(cm)
m/s?/s
m/s,Hz
【在本章及有关检验的章节中凡标有“适用时”的那些特性在详细规范中要么省略,若不省略,则要进行测试。
【可以选择较好的等效特性进行替换,以便让不同的制造厂使用相同的详细规范。]【只重复使用带有标题的条款号,任何附加特性应在适当的地方给出,但没有条款号。]「当在同一详细规范中规定了几种规格的器件,有关的值应以连续方式给出,以避免重复。
【曲线最好在本规范第10章给出。]特性和条件
条款号
除非另有规定,
Tamb/Tcase=25C和规定的
VR\条件下
最小可探测光功率
数字信号
在规定信噪比下的
最小可探测光功率
(在规定的V和BER下)
试验分组
最小值
最大值
YYKAONrKAca
或dBm
条款号
特性和条件
除非另有规定,
SJ/T11165-1998
Tamb/Tcase=25C和规定的
V\条件下
模拟信号
在规定信噪比下的
(在规定的V、a
和B下)
输出噪声功率密度
响应度
PIN—FET模块的响应度
在规定的Vof、
R和@e下
仅光电二极管的响应度2)
在规定的V△、、
R,和@e下
模拟信号
光电二极管反向
暗电流
在规定的Vr、e=0下
开关时间
在规定的入、、R,输入
辐射脉冲峰值功率e下
上升时间
下降时间
频率特性:
小信号裁止频率
在规定的V、aRL
、de下
额率响应平坦度
在规定的B、Vop、Ap、A1、
RLf、@e下
低额噪声
在规定的V、、B下
反射损耗(条件:按规定)
1)除非另有规定,对所有的特性Vr是相同的。2)适用时。
6标志
【标志应打在器件上和初始包装上]-4-
最小值
最大值
rYKAoMrKAa
试验分组
或dBm
SJ/T11165-1998
【除了前面(6)栏(第1章)和/或IEC747-10的2.5条给出的内容外,其它特定资料应在本章规定。]
订货资料
除非另有规定,订购一种具体器件至少需要以下资料:一准确的型号:
一当有关时,IECQ详细规范的发布号和(或)日期;一质量评定类别(按IEC747一12);一其它细节。
8试验条件和检验要求
[在下列中,给出的数最和确切的试验条件应按照给定型号和有关测试的规定。表中的X应在详细规范中填入数值。
当在同一详细规范中包括几种器件时,有关的条件和(或)数值以连续的方式给出,以尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。1「在本章中,参考的条款号按IEC747一10的规定,除非另外给出,试验方法引用分规范的3.4条。1
【抽样要求,按照适用的质量评定类别,参照或重述IEC74712中3.7条的数值。1[对于A组,在详细规范中选定AQL或LTPD方案。]A组1)逐批
全部试验都是非破坏性的(3.6.6)条件除非另有规定,
检验或试验
A1分组
外部目检
A2a分组
不能工作器件3)
A2b分组
最小可探测光功率
响应度
光电二极管反向暗电流
开关时间
S(pD)t)
引用标准
GB/T15651
GB/T15651
GB/T15651
GB/T15651
Tamb/Tcage=25C,V
为规定值2)
在规定的Vop、A、f、
RL和.条件下
在规定的在规定的V、Qp、f、
A、R和e条件下
@e=0VR按规定
在规定的VR、入p、△入、
RL、输入辐射脉冲峰值
YKAONrKAcas
检验要求极限
最小值
最大值
小信号
检验或试验
截止频率
A3分组
(如果详细规范需要)
输出噪声功率密度
低颊噪声
额率响应平坦度
反射损耗
SJ/T11165—1998
条件除非另有规定,
Tamb/Tcase=25CV
引用标准
GB/T15651
GB/T15651
GB/T15651
GB/T15651
为规定值2)
功率@el和补偿辐射功率
在规定的V、、
R,和@.条件下
在规定的V、B、R,下
在规定的Vepf、B、R,下
在规定的B、V、A。、
M,def下。
在详细规范中规定
检验要求极限
最小值
1)A组的最大值和最小值与B组和C组的LSL和USL一致(规范下限值/规范上限值)。2)除非另有规定,全部特性中的VR是相同的。3)不能工作器件的规定如下;
I.>规定电流的100倍;
钜误极性:
引线或尾纤断裂;
一短路Vz<0.1Vrmax;
开路V>5Vmax;
给定的测试见本规范第5章。
4)适用时。
B组一逐批
LSL=规范的下限
USL=规范的上限,
标注(D)的试验是破坏性试验(3.6.6)务
检验或试验
Bla分组
Blb分组
光学的有关尺寸
引用标准
IEC747—10中
4.2.2和附录B
除非另有规定
Tamb/Tcase=25℃
按规定
rYKAOMrKAa
最大值
根据A组
检验要求极限
最小值
最大值
见本规范第1章栏目[6]
见本规范第1章栏目[6]
检验或试验
B2b分组
极限温度下
的测量
B3分组(D)
引出端和尾纤
弯曲和拉力
B4分组(D)
可焊性(适用时)
B5分组(D)
温度快速变化
继之以
湿热循环
最后测试
(仅对气密性封装)
B8分组
电耐久性
最后测试
ESD分组(D)
SJ/T11165—1998
引用标准
GB/T4937
I1.1和I1.2
GB/T4937
GB/T4937
GB/T4937
GB/T4937
除非另有规定,
Tamb/Tcase=25℃
在规定Tamb,min
Tamb,max下
拉力见GB/T4937
IⅡ1.1和1.2条
按规定,优先采用焊槽法
循环次数n按规定。
按规定
按A2b分组
工作寿命:t=168h
T=Tamb.max或
Tcase.max,@e=O;Vp
和VB按规定
按A2b分组
按规定
检验要求
最小值
最大值
在详细规范中规定
无损伤
润湿良好
2IVDl)
rYKAOMrKAa
检验或试验
最后测试
CRRL分组
放行批的证明记录
SJ/T11165—1998
引用标准
1)IVD为单个被测样品的初始值。除非另有规定,
Tamb/Tcase=25℃
提供B3,B4,B5和B8的
检验结果
C组—周期
检验要求
最小值
10IVDD
LSL=规范的下限
USL=规范的上限
只有标注(D)的试验是破坏性试验(3.6.6)条
检验或试验
C1分组
C2分组
光电特性:
输出噪声
功率密度
低颊噪声
额率响应平坦度
反射损耗
C4分组(D)
耐焊接热
最后测试
S(M)或S(PD)
C5分组(D)
温度快速变化
最后测试
S(m)或S(p)
引用标准
IEC747—10中
4.2.2和附录B
GB/T15651
GB/T15651
GB/T15651
在考虑中
GB/T 4937,I 2.2
GB/T 4937,IⅡ 1
除非另有规定,
Tamb/Tcase=25C
按A3分组
按A分组
按A3分组
按规定
按A1分组
按A2b分组
循环次数10次
T=Tstg.min和
按A2b分组
rYKAOMrKAa
最大值
根据A组
检验要求极限
最小值
最大值
见本规范第1章栏
目[6]
检验或试验
C6分组
(仅对空腔器件)
冲击(D)
继之以恒定加速度
(适用时)
最后测试
S(M)或S(PD)
C7分组(D)bzxz.net
稳态湿热
(仅用于塑封或非
空腔器件)
最后测试
S(M)或S(PD)
C8分组
电耐久性
最后测试
S(M)或S(PD)
C9分组(D)
高温贮存
最后测试
S(M)或S(PD)
SJ/T11165—1998
引用标准
GB/T4937,I3
GB/T 4937,ⅡI5
GB/T4937,Ⅲ7
GB/T4937.5A
GB/T4937,Ⅱ2
除非另有规定,
Tamb/Tcase=25℃
按规定
按A2b分组
I规定,@e=0.56d
按A2b分组
工作寿命:至少
1000h,在规定的
Tamb.max或Tcasemax,
V.和VR,中。=0
按A2b分组
在最高贮存温度下至少
按A2b分组
YYKAONrKAca
检验要求极限
最小值
最大值
10IVD!)
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备案号:2069-1998
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T11165-1998
idtIEC747-12-4
用干光纤系统或子系统带尾纤/
或不带尾纤的PIN-FET模块空白
详细规范
Blank detail specification of PIN-FETmodules with/without pigtail forfibre optic systems or subsystems1998-03-11发布
中华人民共和国电子工业部
1998-05-01实施
TYYKAON KAca
本空白详细规范等同采用国际电工委员会(IEC)标准IEC747—124《半导体器件第12部:光电子器件第四篇
用于光纤系统或子系统带尾纤/或不带尾纤的PIN一FET模块空白详细规范》。
本标准引用的国家标准GB/T15651-19955等同采用IEC747—5(1994)
本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准起草单位:电子工业部标准化研究所。本标准主要起草人:于洋、常利民。YKAoNrKAas
IEC前
1)IEC(国际电工委员会)是由各国家电工委员会(IEC国家委员会)组成的世界性标准化组织。IEC的目的是促进电工电子领域标准化问题的国际合作。为此目的,除其他活动外,IEC发布国际标准,国际标准的制定由技术委员会承担,对所涉及内容关切的任何IEC国家委员会均可参加国际标准的制定工作。与IEC有联系的任何国际、政府和非官方组织也可以参加国际标准的制定。IEC与国际标准化组织(ISO)根据两组织间协商确定的条件保持密切的合作关系。
2)IEC在技术问题上的正式决议或决议,是由对这些问题特别关注的国家委员会参加每一个技术委员会制定的,对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。3)这些决议或协议以标准、技术报告或导则的形式发布,以推荐的形式供国际上使用,并在此意义上,为各国家委员会认可。4)为了促进国际上的统一,各IEC国家委员会有责任使其国家和地区标准尽可能用采用IEC标准。IEC标准与相应国家或地区标准之间的任何差异应在国家或地区标准中指明。5)IEC未制定使用认可标志的任何程序,当宣称某一产品符合相应的IEC标准时,IEC概不负责。
6)本标准是由SC47C(光电子器件、显示和图像器件)和EC47(半导体器件)制定的。本标准系用于光纤系统和子系统的PIN一FET模块空白详细规范。本标准文本以下列文件为依据:最终草案
47C/151/FDIS
表决报告
47C/XXX/RVD
本标准表决批准的详细资料可在上表列出的表决报告中查阅。本标准封面的QC编号是IEC电子元器件质量评定体系(IECQ)规范号。rYkAoNrKAcas
中华人民共和国电子行业标准
半导体器件第12部分:光电子器件第4篇:用于光纤系统或子系统
带尾纤/或不带尾纤的PIN一FET模块空白详细规范
Semiconductor devices Part 12:Optoelectronic devicesSection 4:Blank detail specification forPIN--FET modules with/without pigtailforfibreoptic system or subsystem1引言
SJ/T11165-1998
idtIEC747-12-4
本空白详细规范规定了制订用于光纤系统或子系统带尾纤/或不带尾纤的PIN一FET模块详细规范的基本要求,制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列IEC标准一起使用。
IEC747--10/QC700000:1991半导体器件第10部分分立器和集成电路总规范IEC747一12/QC720100:1991半导体器件第12部分光电子器件分规范2要求的资料
本页及下页方括号内的数字与下列各项要求的资料相对应,这些资料应填入相应栏中。[1]授权发布详细规范的国家标准化机构名称。[2]详细规范的IECQ编号
[3]总规范、分规范的编号及版本号。【4]详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何资料。3器件的识别
[S]主要功能和型号
【6]外形图、引线识别、标志和/或有关的外形图文件。[7]典型结构(材料、主要工艺)和封装资料。中华人民共和国电子工业部1998-03-11批准YYKAONrKAcas
1998-05-01实施
SJ/T11165--1998
如果器件具有若干种派生产品,则应指出其差异。例如,在对照表中列出特性差异。如果器件属静电敏感型,在详细规范中应附加预防说明。[8]按总规范2.6的质量评定类别。【本规范下面方括号给出的条款构成了详细规范的首页,那些条款仅供指导详细规范的编写,而不应纳入详细规范中1
[【国家代表机构(NAI)(和可以提供规范的团体)名称(地址)
评定电子元器件质量的依据
总规范:IEC747-10/QC700000
分规范:IEC747—12/QC720100
【编号不同时的国家标准号】
[IECQ详细规范编号、版本号和/或日期]】【详细规范的国家编号]
【若国家编号与IECQ编号相同,本栏可不填]用于光纤系统或子系统的带尾纤(或不带尾纤)的PIN一FET详细规范[有关器件和结构相似性器件的型号]订货资料:见本规范第7章
机械说明
外形或底座和管壳标准
IEC191-2
国家标准(如果没有IEC外形标准)外形图和连接:
【与外壳相连的引出端]
[光窗的特性]
有关输入光纤的资料
(尾纤)(见第9章)
光纤类型、芯径和包层直径:
数值孔径;
一被覆层(一次/二次);
一尾纤结构;
尾纤长度:
带连接器的尾纤端面的制备(适用时)。【可以移入本规范第9章或给出更详细的资料
标志:字母和图形或色码
【见本规范第6章】
【如采用特殊方法需标明极性]
极限值(绝对最大额定值体系)2
简要说明
用于光纤系统或子系统带尾纤的PIN—FET模块
半导体材料
光电二极管:Si,GeInGaAs..
FET.GaAs,Si.InGaAs...
放大电路GaAs,Si,InGaAs*
封装:金属/玻璃/塑料/其它
光纤类型:被覆
应用:数字信号、模拟信号
工作波长:0.85μm,1,3μm
【某个重要参考日期可以填入]质量评定类别
【按总规范2.6]
除非另有规定,这些极限值适用整个工作温度范围。[8]
【只重复使用带有标题的条款号。任何附加值在适当的地方给出,但没有条款号。]【曲线最好在本规范的第10章给出。]2-
YYKAONrKACas
条款号
5光电特性
工作环境温度或管尧温度
贮存温度
焊接温度
SJ/T11165—1998
Tamb Tcase
(应给出焊接时间以及距管壳的最小距离)
[在第10章中可给出推荐安装条
件(温度,持续时间)
尾纤的曲半径
(距管壳规定的距离处)
加速度(适用时)
沿尾纤轴线方向上的张力
松套结构:
光纤的张力
光缆的张力
紧套结构:
光缆的张力
工作电压
入射功率
检验要求见本规范第8章。
最小值
最大值Ⅱ
mm(cm)
m/s?/s
m/s,Hz
【在本章及有关检验的章节中凡标有“适用时”的那些特性在详细规范中要么省略,若不省略,则要进行测试。
【可以选择较好的等效特性进行替换,以便让不同的制造厂使用相同的详细规范。]【只重复使用带有标题的条款号,任何附加特性应在适当的地方给出,但没有条款号。]「当在同一详细规范中规定了几种规格的器件,有关的值应以连续方式给出,以避免重复。
【曲线最好在本规范第10章给出。]特性和条件
条款号
除非另有规定,
Tamb/Tcase=25C和规定的
VR\条件下
最小可探测光功率
数字信号
在规定信噪比下的
最小可探测光功率
(在规定的V和BER下)
试验分组
最小值
最大值
YYKAONrKAca
或dBm
条款号
特性和条件
除非另有规定,
SJ/T11165-1998
Tamb/Tcase=25C和规定的
V\条件下
模拟信号
在规定信噪比下的
(在规定的V、a
和B下)
输出噪声功率密度
响应度
PIN—FET模块的响应度
在规定的Vof、
R和@e下
仅光电二极管的响应度2)
在规定的V△、、
R,和@e下
模拟信号
光电二极管反向
暗电流
在规定的Vr、e=0下
开关时间
在规定的入、、R,输入
辐射脉冲峰值功率e下
上升时间
下降时间
频率特性:
小信号裁止频率
在规定的V、aRL
、de下
额率响应平坦度
在规定的B、Vop、Ap、A1、
RLf、@e下
低额噪声
在规定的V、、B下
反射损耗(条件:按规定)
1)除非另有规定,对所有的特性Vr是相同的。2)适用时。
6标志
【标志应打在器件上和初始包装上]-4-
最小值
最大值
rYKAoMrKAa
试验分组
或dBm
SJ/T11165-1998
【除了前面(6)栏(第1章)和/或IEC747-10的2.5条给出的内容外,其它特定资料应在本章规定。]
订货资料
除非另有规定,订购一种具体器件至少需要以下资料:一准确的型号:
一当有关时,IECQ详细规范的发布号和(或)日期;一质量评定类别(按IEC747一12);一其它细节。
8试验条件和检验要求
[在下列中,给出的数最和确切的试验条件应按照给定型号和有关测试的规定。表中的X应在详细规范中填入数值。
当在同一详细规范中包括几种器件时,有关的条件和(或)数值以连续的方式给出,以尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。1「在本章中,参考的条款号按IEC747一10的规定,除非另外给出,试验方法引用分规范的3.4条。1
【抽样要求,按照适用的质量评定类别,参照或重述IEC74712中3.7条的数值。1[对于A组,在详细规范中选定AQL或LTPD方案。]A组1)逐批
全部试验都是非破坏性的(3.6.6)条件除非另有规定,
检验或试验
A1分组
外部目检
A2a分组
不能工作器件3)
A2b分组
最小可探测光功率
响应度
光电二极管反向暗电流
开关时间
S(pD)t)
引用标准
GB/T15651
GB/T15651
GB/T15651
GB/T15651
Tamb/Tcage=25C,V
为规定值2)
在规定的Vop、A、f、
RL和.条件下
在规定的在规定的V、Qp、f、
A、R和e条件下
@e=0VR按规定
在规定的VR、入p、△入、
RL、输入辐射脉冲峰值
YKAONrKAcas
检验要求极限
最小值
最大值
小信号
检验或试验
截止频率
A3分组
(如果详细规范需要)
输出噪声功率密度
低颊噪声
额率响应平坦度
反射损耗
SJ/T11165—1998
条件除非另有规定,
Tamb/Tcase=25CV
引用标准
GB/T15651
GB/T15651
GB/T15651
GB/T15651
为规定值2)
功率@el和补偿辐射功率
在规定的V、、
R,和@.条件下
在规定的V、B、R,下
在规定的Vepf、B、R,下
在规定的B、V、A。、
M,def下。
在详细规范中规定
检验要求极限
最小值
1)A组的最大值和最小值与B组和C组的LSL和USL一致(规范下限值/规范上限值)。2)除非另有规定,全部特性中的VR是相同的。3)不能工作器件的规定如下;
I.>规定电流的100倍;
钜误极性:
引线或尾纤断裂;
一短路Vz<0.1Vrmax;
开路V>5Vmax;
给定的测试见本规范第5章。
4)适用时。
B组一逐批
LSL=规范的下限
USL=规范的上限,
标注(D)的试验是破坏性试验(3.6.6)务
检验或试验
Bla分组
Blb分组
光学的有关尺寸
引用标准
IEC747—10中
4.2.2和附录B
除非另有规定
Tamb/Tcase=25℃
按规定
rYKAOMrKAa
最大值
根据A组
检验要求极限
最小值
最大值
见本规范第1章栏目[6]
见本规范第1章栏目[6]
检验或试验
B2b分组
极限温度下
的测量
B3分组(D)
引出端和尾纤
弯曲和拉力
B4分组(D)
可焊性(适用时)
B5分组(D)
温度快速变化
继之以
湿热循环
最后测试
(仅对气密性封装)
B8分组
电耐久性
最后测试
ESD分组(D)
SJ/T11165—1998
引用标准
GB/T4937
I1.1和I1.2
GB/T4937
GB/T4937
GB/T4937
GB/T4937
除非另有规定,
Tamb/Tcase=25℃
在规定Tamb,min
Tamb,max下
拉力见GB/T4937
IⅡ1.1和1.2条
按规定,优先采用焊槽法
循环次数n按规定。
按规定
按A2b分组
工作寿命:t=168h
T=Tamb.max或
Tcase.max,@e=O;Vp
和VB按规定
按A2b分组
按规定
检验要求
最小值
最大值
在详细规范中规定
无损伤
润湿良好
2IVDl)
rYKAOMrKAa
检验或试验
最后测试
CRRL分组
放行批的证明记录
SJ/T11165—1998
引用标准
1)IVD为单个被测样品的初始值。除非另有规定,
Tamb/Tcase=25℃
提供B3,B4,B5和B8的
检验结果
C组—周期
检验要求
最小值
10IVDD
LSL=规范的下限
USL=规范的上限
只有标注(D)的试验是破坏性试验(3.6.6)条
检验或试验
C1分组
C2分组
光电特性:
输出噪声
功率密度
低颊噪声
额率响应平坦度
反射损耗
C4分组(D)
耐焊接热
最后测试
S(M)或S(PD)
C5分组(D)
温度快速变化
最后测试
S(m)或S(p)
引用标准
IEC747—10中
4.2.2和附录B
GB/T15651
GB/T15651
GB/T15651
在考虑中
GB/T 4937,I 2.2
GB/T 4937,IⅡ 1
除非另有规定,
Tamb/Tcase=25C
按A3分组
按A分组
按A3分组
按规定
按A1分组
按A2b分组
循环次数10次
T=Tstg.min和
按A2b分组
rYKAOMrKAa
最大值
根据A组
检验要求极限
最小值
最大值
见本规范第1章栏
目[6]
检验或试验
C6分组
(仅对空腔器件)
冲击(D)
继之以恒定加速度
(适用时)
最后测试
S(M)或S(PD)
C7分组(D)bzxz.net
稳态湿热
(仅用于塑封或非
空腔器件)
最后测试
S(M)或S(PD)
C8分组
电耐久性
最后测试
S(M)或S(PD)
C9分组(D)
高温贮存
最后测试
S(M)或S(PD)
SJ/T11165—1998
引用标准
GB/T4937,I3
GB/T 4937,ⅡI5
GB/T4937,Ⅲ7
GB/T4937.5A
GB/T4937,Ⅱ2
除非另有规定,
Tamb/Tcase=25℃
按规定
按A2b分组
I规定,@e=0.56d
按A2b分组
工作寿命:至少
1000h,在规定的
Tamb.max或Tcasemax,
V.和VR,中。=0
按A2b分组
在最高贮存温度下至少
按A2b分组
YYKAONrKAca
检验要求极限
最小值
最大值
10IVD!)
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