【国家标准(GB)】 石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第1部分:总规范

GB/T 12273—1996
本标准等同采用国际电工委员会IEC1178-1:1993QC680000%石英晶体元件—：JFCQ规范第
1部分；总规范》，
这样，使我国石英品体元件国家标准与IEC电子元器件质量评定体系中标准相一致，以适应此领域中国际技术交流和经济贸易往来迅速发展的需要，便于我国生产的这类产品进行认证并在国际市场流通。
本标准与下述四项国家标准和电子行业标准构成石英晶体元件质量评定的完整系列标准GB/T165161996石英晶体元件电子元器件质评定体系规范第2部分；分规范能力批
雅(dtIEC1178-2:1993)
GB/T16517：-1996石实晶体元件电子元器件质量评定体系规范第3部分：分规范鉴定批
唯(1dt IEC1178-3:1993)
SJ/T10707一1996石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范第2部分，空白详细规范能力批准（idtJFC1178-2-1:1993）SJ/T107081996石英品体元件电子元器件质量评定休系规范第3部分：空白详细规范，鉴定批准（1dtIEC1178-3-1：1993）本标准自实施之起，同时废止GB12273：-90石英晶体元件总规范》。本标准由中华人民共利国电子工业部提出。本标推由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会财口：本标准起草单位：电子工业部标滩化研究所。本标准主要起草人：王数，邓鹤松GB/T 12273-—1996
IEC前言
1）IEC（国际电T委员会）是由各国家电工委员会（TEC国家委员会）组成的世界性标准化组织。IEC的月的是促进电工电子领域标准化间题的国际合作，为此目的，除其他活动外，IEC发布国际标准。国际标准的制定由技术委员会承拍，对所涉及内容关切的任何IEC国家委员会均可参加国际标准的制定工作。与IEC有连系的任何国际、政府和非官方组织也可以参功国际标准的制定，TEC与国际标准化组织(IS))根据两组察间协商确定的条件保持密切的合作关系2)TEC在技术题上的正式决议或协议，是由对这些问题特别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的,对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的…·致意见。3）这些决议或协议以标准、技术报告或导则的形式发布，以握荐的形式供国际上使用，并在此意义上，为各国家委员会认可，
4）为了促进国际上的统一，各IEC国家委员会有贵任使其涵家和地区标准尽可能采用1EC标难。1EC标准与柑应国家或地区标滩之间的任何差异应在国家或地区标准中指明。国际标准IEC1178-1是出IEC第49技.术委员会(频率控制和选择压电器件和介电器件)制定的。本标准部分技术内容依据IEC:122-1制定。本标准构成石英品体元件IECQ规范第1部分：总规范。IEC1178-2构成分规范：能力批准，IEC1178-2-1构成空白详细规范：能力批准，IFC1178-3构成分规范：鉴定批准，1EC1178-3-1构成空白详继规范：鉴定批准：本标准文本以下列文件为依据：国际标准草案
49(CO)222
表决批准本标准的详细资料可在上表列出的表决摄告中查阅。本标准封面上的QC 号是IECQ规范号，表决报告
49(CO)239
1总则
中华人民共和国国家标准
石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范
第1部分：总规范
Quarlz crystal unitsA specificatian in theQuality Assessment System for Electronic ComponentsPart 1:Generic spccification1.1范用
GB/T12273—1996
idt IEC 1178-1: 1993
QC680000
代 GB 12273—90
本标准按IECQC001002第11章规定了采用能力批准程序或鉴定批准程序评定质量的石英品体元件的试验方法和通用性要求，1.2引用长准
下列标准所包含的条文，通过在本标准巾引用而构成为本标准的条文。本标准山版时，所示版本均为有效。所有标避都会被修订,使用本标滋的各方应探讨、使用下列标准最新版本的可能性，GB/T16516--1996石英品体元件电了元器件质量评定体系规范第2部分：分规范能力批
准(idt IEC 1178-2:1993)
GB/T16517—1996石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范第3部分：分规范鉴定批(idt IEC 1178-3:1993)
TEC和ISO成员国存有现行有效国际标准善录。IEC27出气术语市文字符号
IEC50国际电工技术汇（IEV）
IEC68-1（1988）环境试验
JEC6821(1990)
坏境试验
第1部分:总则和导则
第2部分：各种试验
试验 A,寒冷
TEC 68-2-2(1974)环境试验——第2部分：各种试验试验B：T热
补充A(1976)
IEC 68-2-3(1969）：环境试验
第2部分：各种试验
试验Ca：稳态湿热
第1次修订(1984)
1EC68-2-6(1982）环境试验——第2部分：各种试验试验Fc及其导则：振动(正弦）
第1次修订（1983)
第2次修订（1085）
IEC:68-2-7(1983）环境试验
第2部分：各种试验
试验Ga及其导则：稳态加速度
国家技术监督局1996-09-09批准1997-05-01实施
GB/T 12273--1996
第1次修订(1986)
IEC 68-2-14(1984）环境试验——第2部分：各种试验一试验N:温度变化
第1次修订(1986)
IEC-2-17(1978）环境试验——第2部分：各种试验试验Q：密封
第4次修订(1991)
1EC68-2-20(1979）环境试验——第2部分：各种试验一试验T:锅焊
第2次修订(1987)
IEC 68-2 21(1983)
环境试验
第2部分：各种试验
试验U号张端及体安装件强度
第 1次修订(1985)
IEC68-2-27(1987）环境试验·第2部分：各种试验试验 Fa 及其导则;冲击
IEC68-2-29(1987）环境试验-第2部分：各种试验试验Fb及其导则：碰撞
JEC68-2-30(1980）环境试验第2部分：各种试验-…---试验T)h及其导则;循坏禄（12 h+12h循环）第1次修订（1985）
IEC68-2-32（1975）环境试验——第2部分：各种试验试验 Fcl;自由跌落
第2次修订（1990）
IEC 68-2-45(1980)
环境试验——第2部分：各种试验试验文A及其导则：在猜洗剂中浸遗1EC: 122-1(1976)
频率控制和选择用石英晶体元件第1部分：标准值和试验条件第1次修订(1983)
频率控刮和选择用石英晶休元件第3部分：标准外形及插脚连接IEC 122-3(1977)
第2次修订（1991)
第3次修订（1992)
第4次修订（1993)）
工作频率达30MHz的下电握了的标推定义和测量方法JEC302(1969)
IEC410(1973）计数检查灿举方案和程序IEC144-1（1984）元型网络零相位法测量石英晶体元件参数第1部分：元型网络零捐位法测量石英品体元件谐摄频率和诺振电阻的基本方法IFC444-2(1980）元型网络零相位法测量石英晶体元件参数第2部分，测量石英晶体元件动态电容的相位偏置法
IEC414-3(1986）元型网络零相位法测量石英晶体元件参数第3部分：有并电容C。补偿的元型网络相法测量频率达200MHz的石英晶体元件两端网络参数的基本方法IEC4444（1988）元型网络零相位法测量石英品体元件参数第4部分：频率达30MHz石英晶体元件负载谐娠频率、负载谐振电阻R，的测量力法和其它导出值的计算行法
IEC617电气图用图形符号
GB/T 12273-1996
IECQC001001(1986）IEC电子元器件质量评定体系（IECQ)基本章程IECQC0010021986）IEC电子元器件质量评定体系（IECQ）程序规IECQC001005（1992）鉴定合格产品清中IEC/102导则（1989）电子元器件质量评定用规范结构（鉴定批准和能力批准）IS0)1000(1981）国际单位及其倍数单位和某些其他单位用法的建议2技术细则
2.1优先顺序
各标准中，无论何种源因引起的不一致之处应以下列优先顺序米评判；详细规范；
——分规范；
总规范：
：：任何其他被引用的国际标准（如IEC标准)。上述优先顺序适用于等效的国家标准中。2. 2 单位,符导和术语
2.2.1概述
单位、图形符号、文字符号和术语应尽可能从下列标准中选取：-1EC27;
IEC50：
-ISO 1000。
以下各条为适用丁石英晶体元件的补充术语：2.2.2晶片(白片） crystal element(crystal blank)切成规定几何形状,尺寸并相对于晶体结晶轴有一定取向的压电体。2.2.3电极electrode
与晶片表面接触或接近的导电板或导电薄膜，通过它给晶片施如电场，2.2.4晶体振子crysLal resonator随电极之间交变电场振动的已装架品片。2.2-5支架mounting
支撑晶体握子的部件（晶体盒内）2.2-6品体盒enclosure
保护晶体振子和支架的外壶，
2.2.7晶体盒型号enciosure type有确定密封方法的规定外形尺小和材料的晶体盘：2.2.8品体元件crystal unit
晶体振子安装在品体盒中的整体。2.2.9 插座 sockel
供插入品体元件，使其固定并提供电连接的范件。2.2.10 振动模式mode of vihration由于振动体受到外部应力作用使各质点所产生运动的模型、振荡频率以及存在的边界条件，常用的振动模式为：
奕曲；
伸缩：
面切变：
厚度切变
GB/T12273
2.2.11基频品体元件fundametital crystal unit晶体振了设非工作在给定报动模式的最低阶次上的品体元件。2.2. 12 泛音晶体元件overtone crystal unit品休振子设计工作在比给定振动模式最低阶次高的阶次上的品体元件。2.2.13泛音次数ovcronc nrdc:
将给定握动模式的逐次泛音从基频作为1开始分配以一系列递增的整数，这些数就是泛音次数。对丁切变和伸缩模式，H泛音次数是接迁泛音频率与基顺频率之比的·个整数。2.2.14品体元件等效电路crystal unit equivalent circuit嘉一个频定在谐振额率或反潜振频率谢近具有与晶偿元件相同阻抗的电路，它由个电感，电容和电阻的串联臂,再与晶体元件两端的电容并联案表示，串联支路的电感、电容和电阻分别以L,,C.和R表示。并且把它们称为晶体元件的\动态参数”。并电容用C。表示(见图1)。证
1、等效电路柔代表品体示件的全部特性。2 R、X、G,和 B在谐振恢率附近变化巡速,其中：R·子等效电路丰联电阻：
振子等效路中送电杭
G·振子等效电路并联回号：
振子等效电路并联电练
图谐娠频率附近医电振子的符号利等效电路2.2. 15 动态电用(R） motional resistance(R1)等效电路中动态(串联)臂的电阳，2.2.16动态电感(L,)motinnal inductance(L)等效电路中动态(串联)臂的电感，2.2. 17动态电容(Ch)motional cup:ilance(C.)等效电路中动态(串联)臂的电容，2.2. 18 并电容(C) shunt capacitance(Cc)等效电路中与态臀并联的电容。2.2. 19 请振率(/)resonance frequence(f.)在规定条件下，晶体元件电气阻抗呈电阻性的两个频率中较低的一个疑率。2.2.20请振电阻(R,）resonance resistance(R.)品体元件在谐振频率(7.)时的电阻。GB/T12273-1996
2.2.21反谐振频率（f,）anti-resonance frequency(f.）在规定条件下，晶体元件电气阻抗呈电阻性的两个频率中较高的一个频率，2.2.22负载电容(C)load capacitance(C)与晶体元件一起确定负载谐振赖率的有效外接电容。2.2.23负载谐振额率(fi）load resunance frequency(ft）在规定条件下、晶体元件与负载电穿中联或并联，其组合电气阻抗呈电阻性的两个颇率中的一个频率,负载电容串联时,负载谐振顺率是两个频率中较低的、而在负载电容并联时，负载谐振频率则是其中较高的（见图2)。
电批电
1 图 b)和图c)新示的实较电容相等的。2见 2. 2. 19,2, 2, 21 和 2. 2. 23。图2谱振频率、反谐振凝率和负载谐振频率对某一给定的负载电容值(CL).就实际效果，这些频率是相同的，并表示为：Fc.(C+c
1在2. 2.19,2.2,21甜2.2. 23所定义的频率最骨旧的术语。关不英战休频率很多,应参见IEC302所给出的诺细择
2要式较高准确度或要由频率测单推导出闻接数据（如晶体元件动态象整俏2时，立查阅IEC:302和IEC1111。GB/T 12273-1996
2.2.24 负载谐振电阻(Rt) load resonance resistance(Rr.)品体元件与规定外部电容相申联，在负教谐振频率时的电阻，往;R 慎与R.慎密切相关,近似表达式为：RRi+
2.2.25标称频率（f.）nominal Frequeney（f.）制造商赋予品体元件的频率，
2.2.26工作频率(fu）warking Irerjuency(fw）晶体元件和与其配合的电路一起工作的额率，2.2.27负载谐振频率偏置（△fL）laad resnnance [retuency al[sel(△f)af = f. - f.
其值可由下近似计算：
应用中.为标明某负载电容实际值（单位：pF)对已给定负载电容值的负载谐报频率偏置Af：可写为 A/s或 4/u:
2.2.28相对负载谐振频率偏置(D)）frautictial loarl Tesonanre Eregjuency offsel(Dr）h-f
其值可由下式近似计算：
D. 2。+ C)
相对负载谐振频率偏置也可写为D3c,以表示负载电容为30 pF时的相对负载谐振频率偏置 DL2.2.29频率牵引范围（fLl.-2）frequcncypulling ange(fLi.L2）Aft,t2 = [/h, - fr2
其值可出下式近似计算：
f.C(CLa - Cr)
2(Ce + Cr:)(C, + Ct2)
频率牵引范用也可写为/2g:.以表示20pF和30pF负载电容之间的额率牵引范围，2.2.30相对额率率引范国（Di,t2）fractional pulliog range(Di.i-1.2)Du = -fu - D. - Del
其值可由下式近似计等；
C,(ci - Cil)
2(C+ C,>(C, - Ct2)
相对频率牵引范围可写为 Ds,,以表示 20 pF与30 pF负裁电容之间的相对频率牵引范用，2.2.31频率牵引灵敏度(S）pulling sensitivity(S）s-2
频率牵引灵敏度可写为Ss,以表示30 pl负载电容的频率牵引灵敏度。2.2.32工作溢度范围opcratingtcmpcraturcrangc是在晶体盒上测得的温度范阈，在其范围内，晶体元件必须工作在规定频差之内。2.2.33可工作温度范围operablr.Ecmpraturcrangec是一在晶体盒上测得的温度范围,在其范围内晶体元件必须工作，但不一定工作在规定频差之内，并不出现永久损坏。
GB/T 12273--1996
2.2. 34贮存温度范围slorage temperature range在晶体盒上测得的最低温度和最高温度，在这两个温度下贮存晶体元件应无性能退化或损坏。2.2.35基准温度relerence temperature进行品体元件可信测量的温度。对温控晶体元件,基准温度为控温范围的中点;对非溢控晶体元件，基推温度通常为 25 ℃=2℃ ,
2.2.36 激励电平 level nf drive施加于晶体儿件的激励条件的量度。激励电平可用通过晶片的电流或品片耗散功率表示。2.2.37激励电平相关尘driveleveldependency激励电平相关性(DI,D)是品体元件谐振电阻随激励电平条件变化的效应。该参数可用两个规定激励电平所对应的电阻之比来确定，该比值由下式表达：R-1
式中：R.1-一为较低激励电平时的电阻;R“为较高微励电平-时的电阻。2.2.38 无用响应unwanted response晶体子与有关工作频率不同的谐振状态，2.2.39频差frequency tolerance山规定原因或综合源因引起的工作显率的最人允许偏差。题差一般以标称频率的百万分之一(1X10-5)表示。
注：通带，采用下述几种频烂：规定条件下,基准温度时下作赖率相对于标称频率的偏差：整个温度范围内的工作赖率相对于规定基准温度时工作频率的偏差+规是条件下也时间引起的频率偏差+“一·各种原圈引起的工作频率相对于标称频率的确差（总储差）：2.3优先额定值和特性
各种值应优先从下述条款中选取：2.3.1适合于人气条件T作的温度范围（℃）55+125
—55～+105
-55～+100
55~+90
40-+90
—40-+85
—40~±8
40～+70
- 30~ --80
30～ 70
-25～+80
-20～+85
--20~+80
-20-+70
—20-+60
-10~+70
2.3.2适合十恒温器控制的高温范用（℃）60±5
2.3.3颜差(1×10-6)
—10~+60
-10～+50
+5～+55
+10～+40
+15~～ +50
2.3.4电路条件
10 pF负载电容
负载电容
20 pF负载电穿
负载电容
50 pF负载电容
中联谐振
2.3.5激励电平
一厚度切变/AT：
电流(μA)
功率（μW）
弯曲和面切变：
电流（MA）
一伸缩：
电流(uA）
激励电平相关性
诺振电阻
20～35
35~-50
2.3.7气候类别
55/105/56
GB/T 12273—1996
电阻比
要求晶体元件工作温度比--55℃～+105℃宽时，应规定与工作温度范相-致的气候类别2.3.8碰撞严酷度
GB/T 12273-1996
招三个和五垂克轴的每-个方向在峰值加速度890m/*下碰撞4000=10次（见4.8.6）。脉冲持续时间6 ms。
2.3.9振动严醋度
10 Hz~55 Hz
0.75mm位移幅俏
(蜂值）
55 Hz~500 Hz
或 55 Hz~-2 (( Hz
98.1m/s*加速度幅值
(峰值)
10Hz~ 55Hz
1.5 位移幅值
（峰值）
55 Hz~2 000 Hz
1.96. 2 m/s°加逆度幅值
(峰值）
随机振动严酷度：在考虑中。
2.3.10冲击严酷度
个相互垂直轴的免费标准下载网bzxz
每个方向上30min，
lort/min(见4.8.7)
三个相互垂直轴的
每个方向上30min.
loct/min( 4. 8. 7)
除详继规范另有现定外.峰值加速度为981m/s*,持续时间为6m5沿=.个相互乘直轴的每一个力问种击三欲（见4.8.8)。波形为半正弦波。2. 3. 11 滞率
10 iPa +cm'/s(10-8mbar -1./s).2.4标志
2.4.1标志给出的内容从下述项目单中选取：每一项月的相对重要程度由其在项日单的位置表明：1）详细规范规定的型号名称：
2)标称频率(kHz 或 MHz):
3）制造年和周（用四位数字)；4）制造厂识别代码；
5）制造商名殊或商标：
6)合格际志(采用合格证者除外)2.4.2靠体元件上应清楚地标出上述1)、2)和3>项，并应尽可能多地标出其余的项日，晶体元件上的标志内容应避免重复，
小型化品体盒的可利用表面积使标志数量受到文际限制时，详细规范中应给出使标志的说明。2.4.3包有晶体元件的切级包装应清楚地标志2.4.1所列的全部内容。2.4.4应采用不致引起混的任何附加标，3质量评定程序
评定质量的石英品体元件的批准现有两种方法。它们是鉴定批准和能力批准。3.1初始制阶段
接IEC:QC:001002的11.1.1规定,初始制造阶段是品片的最终表面加上。江：品片景终表面加工可以是下列研磨，抛光、腐蚀、摊光片的消洗工予中的任何一种。3.2结构类似元件
GB/T12273-1996
供鉴定批准，能力批准和1质量一致性检验用的结构类似元件的划分应在有关分规范中规定。3.3分包
分包程序应按1ECQC001002的11.1.2规定。但是晶片的最终表面工.及所有后续工序应由已授权批推的制造商进行。3.4制造厂批准
为获得制造批准，制造厂应满足TEC:QC 001002的10.2要求。3.5批推程序
3.5.1概述
为鉴定石英晶体元件，可采用能力批准程序或鉴定批准程序。这些程序符合IECQC001001和IECQC001002中的规定。
3.5.2能力批准
当结构类似石英品体元作以共有的设计规则为基础，采用一组共有的加士丁艺制造时，适合采用能力批，
能力批准详细规范分下述三种类型。1)能力鉴定元件(CQCs）
经国家监督检查机梅认可的每种能力鉴定元件应制定详细规范，详细规范应能辨别CQC的意图，并包括所有相关应力水平和试验限值，2）标准元件
当能力批准程序已包含的元件有意要作为标准元件时，应遵守空白详细规范编写详细规范，这种规范应由IECQ注册并将其列入IECQC001005合格产品清单，3）定制石英晶体元件
详细规范的内容应由制造！和而户按1ECQC001002的11.7.4.2协调确定。有关详细规范的更多内容包括在分规范GB/T16516中。产品和能力鉴定元件（CQCs）按组合形式试验，并根据批准的设计准则，工艺和质量控制程序，给予制造设施批准。进步的内容现定在3.6和分规范GB/T16516中,3.5.3鉴定批摊
鉴定批准适用于标准设计所生产的元件，并且已确立了牛产过程月遵守已己发布的详细规范要鉴的石英品体元件，按3.7和分规范GB/T16517定，直接采用适合的评定水平和严酷度等级.按详细规范确定试验大纲(方案)。3.6能力批推程序
3.6.1概述
能力批准程序应按1ECQC:001002规定。3.6.2能力批准资格
制造厂应遵守IECQC 001002的11.1和本总规范3.1初始制造阶段规定的要求3.6.3能力批准的申请
制造厂为获得能力批难应采用IECQC001002的11.7规定的程序规则。3. 6. 4能力批准的授予
在成功地完成IFCC001002的11.7规定的程序后，应接予能力批准3.6.5能力手册
能力手册的内容应符合分规范要求。NSI(国家监督检查机构)应将能力手册作为保密文件。若制造厂有愿塑时，可以将能力手册的部分内容或全部内容透露给第三方，3.7鉴定批准程序
3.7.1概逝
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