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【电子行业标准(SJ)】 KSM-MJB3型掩膜对准曝光机完好要求和检查评定方法

本网站 发布时间: 2024-07-31 09:33:51
  • SJ/T31120-1994
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ/T 31120-1994

  • 标准名称:

    KSM-MJB3型掩膜对准曝光机完好要求和检查评定方法

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 实施日期:

    1997-01-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    123.17 KB

标准分类号

  • 中标分类号:

    电子元器件与信息技术>>电子工业生产设备>>L97加工专用设备

关联标准

出版信息

  • 页数:

    3页
  • 标准价格:

    8.0 元

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SJ/T 31120-1994 KSM-MJB3型掩膜对准曝光机完好要求和检查评定方法 SJ/T31120-1994

标准内容标准内容

部分标准内容:

中华人民共和国电子行业标准
KSMMJB3型掩模对准曝爆光机
完好要求和检查评定方法
1主题内容与适用范压
SJ/T 31120 -- 94
本标准题您了KSM---MJB3型掩模对推曝光机的完好要求和检查,评定方法:本标能造H于德国产KSMMJB3型曦光机:也适于德产KSM、MA56和美产CA800型掩模对裤曝光机
2引用标准
GB11481-89俺模对准骤光机薄用技术条件3术语
3.1光分辨率
在集成电路租其它半导体器件制造中,曝光分辫率是指在定环境条件和工艺条件下,基片曝光,显形后,状得的细小图形的清晰度,通常用曝光后所获得的最细图形线宽表示,3.2对推精度
在禁片与掩模对准完成后,对准标记中心线之间允许的最大误差称为对推精度,以掩模板和基片下标记中心线的最终相对位置的偏差量作为判据。4完好要求
4.1主要技术指标
4.1.1有效曝光面积内光强均匀性达到或优于土6%。4.1.?低光强装放的光强波动假不尺于士5%。4.1.3对推精度优爆光分辨率,或优于土0.5pIm4.1.4曝光分辨率优于1.5um,或满足使用要求,4.1.5扫部件移动时垂直方间跳动量不大于10μm。4.2操作系统
4.2.1各操作手柄、开关、按钮、启动灵钙、定位可靠。4.2.2、爆光系统动作灵活可靠,与显微镜升降,快门房闭,动作协调,准确到位,4.2.3微动台X、Y、2移动,转角达到使用要求,移动利转动时全程于感平滑。4.2.4承片台载片牢靠,吸片、送片没有误动作,满足.1.艺要求。中华人民共和国电子工业部19940415批准1994-06-01实施
4.3润滑系统
SJ/T 31120—94
4.3.1机械泵润滑良好,油路通畅,油面在规定刻线!4.3.2曝光系统运动导轨润良好。4.4气E系统
4.4.1有压缩空气控制的机构.减压阀等调整灵活可靠,压力范画满足工作要求,4.4.2真空吸片、真空吸版,真空复印时,负压应满足工作要求。4.5电气系统
4.5.1汞灯电路启动迅速,电磁阀控制的快门无漏光和卡死现象。4.5.2高压泵灯输出功率稳定,电流或光强在定范围可调。4.5.3各电器部分无漏电现象,满足工作要求。4.6光学系统
4.6.1显微镜的分辨率优于对准标记要求的分辨率;双目分离视场显微镜的两物及两目镜的中心距在“定范内能连续可调。4.6.2有效光光束直径应大于等于基片尺寸加X、Y方向调节范围。4.7附件:
4.7.1附件齐全,保管良好,无锈蚀与损伤。4.8附属装置:
4.8-1机械泵空压机,保管良好,光锈蚀与损伤。49安全保护
4.9.1整机接地良好,装置齐全,有效。4.10维护保养
4.10.1汞灯照度降低后及时更换新灯以满足照度要求。4.10.2定期清洁设备,更换机械泵油。4.10.3环境条件保持在温度20~25℃,湿度35~70%.级或干缴净化,环境振动幅度小于4fn。
4.10.4其它接SJ/T31002—94%设备维护保养通则执行,5检查、评定方法
5.1检查方法
5.1.1光强均勾性的检查方法:精度不低于0.33mW/cm的紫外照度计检查有效曝光面积内的五点光强(中心一点,周围均布4点),其光强均匀性按下式计算光强均勾性V:V-±(EnarEmm)/(Em+Emm) X 100%+++++++.+...++++()
式中E-x—设大光强值,mW/cm\bzxZ.net
E...~最小光强值.mw/cm
如此测三次,取平均值
TTTKAONTKAca-
S.I/T 31120—94
5.1.2恒光强波动度的检查方法,用同5.1.1照度计检查4h内的光强变化值,按下式计算光强波动度D
D=(Em-Em.)/EX100%
式中:Ema、Eia最人和最小光强度,mW/cmE——4小时内的平均光强,mW/cm.-(2)
5.1.3对准精度的检查方法:将涂好胶的基片用有特定标记的版精确对准,然后骤光、显影腐蚀,再次涂胶完成精确对准,曝光、显影,用线宽测量仪测出待定标志X、Y向偏离值,如此6次,取具均值。
5.1.4爆光分辨率的检查方法:将基片涂胶,在规定的工艺条件下,骤光显影,观测刻线宽度,按下式计算线宽变化率B:
(h. - h)/b, X 100%......
式中:h—-掩模版的标称线觉.mb·基本线宽极值·m;
其值小丁·10兆的最细线觉为曝光分辨率。+**(3)
5.1.5垂直跳动误差的检查方法:将带支架的千分表固定在扫描部件上,扫描部件移动时,测其Z方向跳动量。
5-1.6对各系统完好要求,在设备现场采用主观法检查5.2评定方法
5.2.1主要项目有,4.1.1+4.1.3+4.1.4;其余为饮要项门。5.2.2主要项口有项不符合要求,为不究好设备;次要项目有两项不符合要求亦为不完好设备。
5.2.3完好设备的维护保养,应达到优等设备标准。附加说明:
本标准由电子部工业部经济运行及体制改革司提出。本标准由机电部第13所组织起草。本标推主要起草人:薛中堂,
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