【其他行业标准】 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南

ICS77.150.99
中华人民共和国有色金属行业标准YS/T935—2013
电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南Standard guide for analysis and reporting the impurity content and grade of highpurity metallic sputtering targets for electronic thin film applications2013-10-17发布
中华人民共和国工业和信息化部发布
2014-03-01实施
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。YS/T935—2013
本标准参照了ASTMF2113-01(2011)《电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量的分析及报告标准指南》。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)归口。本标准起草单位：有研亿金新材料股份有限公司。本标准主要起草人：张涛、何金江、丁照崇、万小勇、徐建卫、廖赞、尚再艳、王欣平、熊晓东、吕保国。I
1范围
电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南YS/T935—2013
本标准规定了电子薄膜制备用高纯金属溅射靶材的纯度等级的定义方法、杂质含量分析方法、抽样规则及靶材纯度等级报告标准规范等内容。本标准适用于电子薄膜用各类高纯金属溅射靶材（以下简称靶材）。其他对纯度有较高要求的靶材纯度等级、杂质含量分析及报告规范也可参照使用。2
规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则GB/T20975（所有部分）铝及铝合金化学分析方法GB/T29658电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材YS/T871高纯铝化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法YS/T922高纯铜化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。3.1
靶材target
物理气相沉积(PVD)工艺中用于溅射的阴极部分，本标准中指加工后待用的靶材。3.2
materiallotbatch
原材料批
制造同批系列靶材所用的原材料锭批。3.3
靶材规范target specification电子薄膜用溅射靶材的产品规范。4要求
4.1成分要求
电子薄膜制备用高纯金属溅射靶材因用途不一，对不同材质靶材的纯度要求也不一致。靶材成分要求，一般包含金属杂质和非金属杂质检测，要求如下：4.1.1靶材由纯金属制成，按靶材规范要求检测原材料批的金属杂质含量，并在靶材规范中提供检1
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测值。
4.1.2靶材由合金制成，按靶材规范要求分别检测原材料批的合金成分和其余金属杂质含量，并在靶材规范中提供检测值。
4.1.3靶材规范中应包含非金属元素如：碳、氢、氮、氧、硫的检测值。4.2
杂质检测其他要求
4.2.1靶材规范中应列出杂质元素含量的上限值和具体检测值，且注明检测方法。将仪器不能检测出具体数值的杂质元素，按仪器的检出限报告其值。4.2.2供方可按需方要求检测靶材标准外的杂质含量，并按供需双方协商方式提供报告，但其不包含在确认相应纯度等级的杂质元素值内。4.2.3某元素检测时可能存在特殊的分析问题，如干扰问题。需由供需双方商定分析方法和杂质检出限。
4.2.4对电子薄膜使用性能产生严重影响的特定元素，如放射性元素U、Th、U+Th总和及有害杂质S的含量应明确规定，并要求明确所允许的上限值和分析检测方法。4.2.5杂质含量上限值和分析检测方法，或由供需双方商定。5纯度等级
靶材纯度等级为100%减去要求的杂质总和的余量，其中不含碳、氢、氮、氧、硫等非金属杂质含量，应符合表1要求。
5.1电子薄膜用高纯金属溅射靶材的纯度及纯度等级的划分应符合表1规定，杂质含量总和按4.1所规定的靶材杂质元素检测值计算，杂质检测值以质量分数w(B)，即（1×10-*）%的形式表述。5.2按4.1中规定的杂质元素种类计算杂质含量总和，并确定靶材纯度和纯度等级，等级判定应符合表1规定。
表1靶材纯度等级分类及要求
杂质含量总和要求
纯度/%
6试验方法
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(1×10-4)/%
最大值
(1×10-*)/%
对4.1中规定的杂质元素进行检测，采用的分析方法和技术、仪器检测限应符合4.2中规定的材料或相应等级。靶材规范中应明确优选的检测方法。对于6N纯度等级的，检出限应<0.01X10-°，而5N5和5N纯度等级，检出限应<0.1×10-‘；4N5和4N纯度等级，检出限应<1×10-6。检出限可参考2
YS/T922中提供的测试方法部分。6.1合金元素按照GB/T20975中的方法进行检测。6.2金属杂质元素和磷的分析可参考YS/T871或YS/T922规定的方法进行检验。YS/T935-—2013
6.3非金属杂质元素中碳、氢、氮、氧、硫采用熔融后气体分离/红外光谱法检测，检出限<10×10-‘，具体可按照GB/T14265执行。
6.4除靶材规范中规定的靶材化学成分分析方法外，其他等效检测方法亦可检测靶材所要求的杂质。7取样和判定
7.1对靶材原材料批或成品靶材靶坏进行金属杂质和非金属杂质含量检测，取样位置和方法可参考GB/T29658中的取样部分。
7.1.1若未经供需双方特意商定，供方应提供至少一份能代表批量靶材的样品，以供需方进行金属和非金属杂质含量检测。
7.1.2若检测样品超过--份或检测多组数据，则结果应取检测值的平均值。7.2纯度等级判定
7.2.1将杂质检测值总和，按表1规定进行判定，若杂质总和及各单项杂质检测值都满足相应纯度等级要求，则判定该靶材纯度等级合格。7.2.2若杂质总和满足某纯度等级要求，而个别杂质检测值不在该纯度等级对该元素的要求含量之内，则判该件靶材纯度等级不合格，剩余产品双倍抽样进行检验，若有一项结果仍不合格，则判整批产品不合格。
8质量证明书
8.1靶材纯度应由供方技术监督部门进行检测并判定，保证产品质量符合需方订货单（或合同）的规定。
8.2供方应提供每批产品质量证明书，作为成品靶材纯度等级凭证。8.3供方质量证明书应注明：供方名称、产品批号、纯度等级、杂质含量、检测方法、供需双方商定的其他条例内容。
8.4供方纯度等级报告
8.4.1纯度等级方法I
若供需双方达成协议，可采用靶材原材料杂质元素检测值来确定纯度等级。除放射性元素U和Th外,其余杂质均以质量分数w(B),即(1×10-4)%的形式表述；电子薄膜器件材料中要求含有较低含量的U和Th，以质量分数w(B)，即（1X10-7）%的形式表述；其余杂质未能检测到具体数值的，应提供该杂质在此仪器分析的检出限值。8.4.2纯度等级方法Ⅱ
可由供需双方协议，也可采用同批原材料杂质检测值确定本批其余靶材纯度等级。地点
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字数6千字
2014年3月第一次印刷
2014年3月第一版
书号：155066·2-26635
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