【其他行业标准】 改良西门子法多晶硅用硅芯

ICS 29.045 H82 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T 1061—2015 改良西门子法多晶硅用硅芯 Silicon Core for Polysilicon by Improved Siemens Method 2015-04-30 发布 2015-10-01 实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 前言 本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）提出并归口。 本标准起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司、河南协鑫光伏科技有限公司、无锡中硅新材料股份有限公司、昆明冶研新材料股份有限公司。 本标准主要起草人：李军正、胡伟、张晓东、耿全荣、刘丹、陈晶、亢若谷、赵建为。 1 范围 本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于以多晶硅为原料，通过直拉法（CZ）生产硅棒，再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件；凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 11336 直线度误差检测 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 GB/T 29849 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 3 术语和定义 GB/T 11336 和 GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。 4 要求 4.1 分类 4.1.1 硅芯按截面形状分为圆形状、方形状、菱形状。 4.1.2 硅芯按纯度等级分为太阳能级多晶硅用硅芯和电子级多晶硅用硅芯。 4.2 尺寸及外形 硅芯的尺寸及外形应符合表1的规定。 表1 尺寸及外形 直径（圆形状）：Φ（6～12）±1 mm 边长（方形、菱形状）：（8×8）±0.5 mm ～（15×15）±0.5 mm 长度：2000±2 mm ～ 3200±2 mm 直线度误差：≤1/1000 注：直径、边长、长度超出表1规定范围时，由供需双方协商确定并在合同中注明。 4.3 电学性能及成分 4.3.1 硅芯的导电类型分为 N 型、P 型。 4.3.2 硅芯的电学性能参数及成分应符合表2的规定。 表2 电学性能及成分 太阳能级多晶硅用硅芯： N 型电阻率：＞10 Ω·cm P 型电阻率：≥100 Ω·cm 碳浓度：≤4.5×10^16 atoms/cm³ 基体金属（铁、铬、镍、铜、锌）杂质含量：≤30 ng/g 表面金属（铁、铬、镍、铜、锌）杂质含量：≤30 ng/g 电子级多晶硅用硅芯： N 型电阻率：≥100 Ω·cm P 型电阻率：≥500 Ω·cm 碳浓度：≤2×10^16 atoms/cm³ 基体金属（铁、铬、镍、铜、锌）杂质含量：≤10 ng/g 表面金属（铁、铬、镍、铜、锌）杂质含量：≤10 ng/g 4.4 外观质量 硅芯表面应洁净，无氧化、沾污、气孔、裂纹。 5 检验方法 5.1 硅芯尺寸及外形用相应精度的量具进行测量。 5.2 硅芯直线度误差的测试按 GB/T 11336 的规定进行。 5.3 硅芯导电类型的测试按 GB/T 1550 的规定进行。 5.4 硅芯电阻率的测试按 GB/T 1551 的规定进行。 5.5 硅芯碳浓度的测试按 GB/T 1558 的规定进行。 5.6 硅芯基体金属杂质含量的分析方法由供需双方协商确定。 5.7 硅芯表面金属杂质含量的检测按 GB/T 24582 或 GB/T 29849 的规定进行。 5.8 硅芯外观质量采用目视检查。 6 检验规则 6.1 检查和验收 6.1.1 产品应由供方质量监督检验部门进行检验，保证产品质量符合本标准及订货单（或合同）的规定，并填写产品质量证明书。 6.1.2 需方应对收到的产品按本标准规定进行检验。