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- YS/T 1061-2015改良西门子法多晶硅用硅芯
标准号:
YS/T 1061-2015
标准名称:
改良西门子法多晶硅用硅芯
标准类别:
其他行业标准
英文名称:
Silicon core for polysilicon by improved siemens method标准状态:
已作废-
发布日期:
2015-04-30 -
实施日期:
2015-10-01 -
作废日期:
2025-05-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.pdf .zip
标准ICS号:
电气工程>>29.045半导体材料中标分类号:
冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料
替代情况:
被YS/T 1061-2024代替

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标准简介:
本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准起草单位:江苏中能硅业科技发展有限公司、河南协鑫光伏科技有限公司、无锡中硅新材料股份有限公司、昆明冶研新材料股份有限公司。
本标准主要起草人:李军正、胡伟、张晓东、耿全荣、刘丹、陈晶、亢若谷、赵建为。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T11336 直线度误差检测
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质
GB/T29849 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法

部分标准内容:
中华人民共和国有色金属行业标准YS/T1061—2015
改良西门子法多晶硅用硅芯
Silicon core for polysilicon by improved siemens method2015-04-30发布
中华人民共和国工业和信息化部发布
2015-10-01实施
中华人民共和国有色金属
行业标准
改良西门子法多晶硅用硅芯
YS/T1061—2015
中国标准出版社出版发行
北京市朝阳区和平里西街甲2号(100029)北京市西城区三里河北街16号(100045)网址:www.gb168.cn
服务热线:400-168-0010
010-68522006
2015年11月第一版
书号:155066·2-29172
版权专有免费标准bzxz.net
侵权必究
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。YS/T1061—2015
本标准起草单位:江苏中能硅业科技发展有限公司、河南协鑫光伏科技有限公司、无锡中硅新材料股份有限公司、昆明冶研新材料股份有限公司。本标准主要起草人:李军正、胡伟、张晓东、耿全荣、刘丹、陈晶、亢若谷、赵建为,1范围
改良西门子法多晶硅用硅芯
YS/T1061—2015
本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。本标准适用于以多晶硅为原料,通过直拉法(CZ)生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。
规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1550
GB/T1551
GB/T1558
GB/T2828.1
GB/T11336
GB/T14264
GB/T24582
GB/T29849
术语和定义
非本征半导体材料导电类型测试方法硅单晶电阻率测定方法
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划直线度误差检测
半导体材料术语
酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法GB/T11336和GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4要求
4.1分类
4.1.1硅芯按截面形状分为圆形状、方形状、菱形状。4.1.2硅芯按纯度等级分为太阳能级多晶硅用硅芯和电子级多晶硅用硅芯4.2
尺寸及外形
硅芯的尺寸及外形应符合表1的规定。表1尺寸及外形
直径(圆形状)/mm
边长(方形、菱形状)/mm
长度/mm
$(6~12)±1
(8×8)±0.5~(15×15)±0.5
2000±2~3200±2
YS/T 1061—2015
直线度误差
表1(续)
≤1/1000
注:直径、边长、长度超出表1规定的范围时,由供需双方协商确定并在合同中注明4.3
电学性能及成分
硅芯的导电类型分为N型、P型。硅芯的电学性能参数及成分应符合表2的规定表2
N型电阻率/(Q·cm)
P型电阻率/(α2·cm)
碳浓度/(atoms/cm2)
电学性能及成分
太阳能级多晶硅用硅芯
≥100
≤4.5×1016
基体金属(铁、铬、镍、铜、锌)杂质含量/(ng/g)表面金属(铁、铬、镍、铜、锌)杂质含量/(ng/g)外观质量
硅芯的表面应洁净,无氧化、沾污、气孔、裂纹。检验方法
硅芯尺寸及外形用相应精度的量具进行测量硅芯直线度误差的测试按GB/T11336的规定进行,硅芯导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。5.3
硅芯电阻率的测试按GB/T1551的规定进行5.4
硅芯碳浓度的测试按GB/T1558的规定进行硅芯基体金属杂质含量的分析方法由供需双方协商确定。30
硅芯表面金属杂质含量的检测按GB/T24582或GB/T29849规定进行。5.7
硅芯外观质量用目视检查。
6检验规则
检查和验收
电子级多晶硅用硅芯
≥100
≥500
≤2×1016
6.1.1产品应由供方质量监督检验部门进行检验,保证产品质量符合本标准及订货单(或合同)的规定,并填写产品质量证明书。
6.1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验。若检验结果与本标准或订货单(或合同)规定不符时,应在收到产品之日起30日内书面形式向供方提出,由供需双方协商解决。6.2组批
产品应成批提交验收,每批应由相同规格、相同等级、相同导电类型的硅芯组成。6.3检验项目
YS/T1061—2015
每批产品应进行尺寸及外形、导电类型、电阻率及外观质量的检验。需方要求对碳浓度、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量进行检验时,应在订货单(或合同)中注明。6.4取样
硅芯的取样应符合表3的规定。
表3取样
检验项目
尺寸及
直径、边长、长度
直线度误差
导电类型
电阻率
碳浓度
基体金属杂质含量
表面金属杂质含量
外观质量
检验结果的判定
取样位置
在整支硅芯上等距离取
不少于6点
在整支硅芯上等距离取
不少于6点
距离直拉法生产硅棒、基座
法生产硅芯尾部15%的位置
取样数量
按每批的5%进行
按每批的2%进行
按GB/T2828.1程
序中一般检验Ⅱ水
平,AQL4.0,按抽
样程序要求进行
由供需双方协商
6.5.1尺寸及外形检验结果不合格时,判该批产品不合格要求章条号
4.2、表1
4.2、表1
4.3、表2
4.3、表2
4.3、表2
4.3、表2
4.2、表1
检验方法章条号
6.5.2导电类型、电阻率的检验结果按GB/T2828.1程序中一般检验Ⅱ水平,AQL4.0,按抽样程序要求进行判定。
6.5.3碳浓度、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量的检验结果不合格时,允许从该批产品中取双倍数量的样品进行重复试验,重复试验的结果作为最终判定的依据。6.5.4外观质量的检验结果不合格时,判该件产品不合格。7标志、包装、运输、贮存及质量证明书7.1标志
包装箱外应标有“小心轻放”及“防震、防腐、防潮”字样或标志,并标明:a)1
供方名称;
需方名称;
产品名称;
YS/T1061—2015
d)产品规格、数量;
e)产品导电类型与电阻率范围。7.2包装
7.2.1硅芯检测合格后经酸洗,用大于18MQ2·cm高纯水清洗,干燥后,装人洁净的聚乙烯包装袋内真空包装、密封,再将包装袋装人包装箱内。7.2.2硅芯每袋单独包装,然后用箱子固定、封装。包装时应防止聚乙烯包装袋破损,以避免外来沾污。
7.3运输
产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震措施。7.4购存
产品应贮存在清洁、干燥环境中。7.5
质量证明书
每批产品应附有质量证明书,其上注明:供方名称;
b)产品名称;
c)产品批号;
d)产品毛重;
各项检验结果及检验部门印记;本标准编号;
出厂日期。
订货单(或合同)内容
订购本标准所列产品的订货单(或合同)内应包括下列内容:产品名称;
产品批号、净重;
产品规格;
各项技术参数要求;
特殊包装要求;
其他特殊要求;
本标准编号。
版权专有侵权必究
YS/T1061-2015
书号:155066·2-29172
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