【国家标准(GB)】 半导体集成电路双极型存储器系列和品种

中华人民共和国国家标准
半导体集成电路双极型存储器
系列和品种
Families and products of bipolar memoryfor semiconductor ntegrated circuitsUDC
621.382.049
.15 -181.4
GB 3438—82
本标准规定了半导集成电路双极型存储器（以下简称器件）各系列和品种的逻辑功能、外引线排列和主要电参数。
生产（研制》或选用器件时，其系列和品种应符合本标准的规定。本标准是参考国际通用的双极型存储器系列和品种制订的。若无特殊说明，本标准涉及的逻辑均为正逻辑。1符号、代号　
1.1本标准采用的逻辑图形符号的含义如附录A（补充件）所示；采用的文字符号的含义如附录B（补充件）所示。
1.2本标准列出的器件类型、系列和品种代号为器件型号的第○、一、二部分。2双极型TTL随机存储器（RAM）系列的品种器
16 ×4
16 ×4
64 ×9
256 ×1
256 ×l
256×1
256×1
256×4
266 ×4
256 ×4
256 ×4
1024×1
1024 ×1
1024×1
4096 ×1
4096 ×1
TTL-RAM (OC)
TTL-RAM(3S)
TTL-RAM (OC)
TTL -RAM (OC)
TTI -RAM (OC)
TTL-RAM(3S)
TTL-RAM<低功耗，3S)
TTL-RAM (OC)
TTLRAM《低功耗，OC）
RAM(3S)
TTL-RAM（低功耗，
TTI.RAM(OC)
TTL-RAM《低功耗，OC）
TTL-RAM(35)
TTL-RAM ((C)
TTL-RAM(3S)
国家标准局1 98 2
212-31发布
类型。系列品种代号
CM53289
CM7599
CM93410
CM93411
CM93421
CM193421
CM93412
CM193412
CM93422
CM193422
CM93415
CM193415
CM93425 A
CM93470
CM93471
1983-1001实施
GB343B—B2
2.1 16 ×4TTL -RAM(OC)
CM53289
2.1.1逻辑框图
功能表
地址级冲及
译码驱动器
片选控制
读亏热制
2.1.3外引线排列
2.1.4主要电参数
t A4<.50ns
t4c<35ns
存储器阵列
读、写放大器
P<550mW
未选中
写“#
写“1”
2.2 16× 4 TTL-RAM (3S)
2.2.1逻辑框图
功能表
2.2.3外引线排列
2.2.4主要电参数
t a4 50 ns
GB3438—82
CM7599
存储器陈阵列
Pm≤550mW
未选中
写*1”
D。寄存
2.3 64 × 9 TTL =RAM (OC)
2.3.1逻辑框图
Dh ～ Da
2.3.2功能表
2.3.3外引线排列
主要电参数
tAA60ns
GB3438-82
eM93419
TAC 50 Qs
Pm725mW
存储器肆列
32 ×18
读放及写驱动器
未选中
写“o”
2.4 256x1TTL -RAM (OC)
2.4.1逻辑框图
2.4.2功能表
Cs,+cs,
2.4.3外引线排列
2.4.4主要电参数
TAG25ns
GB3438-82
CM93410
存储咨阵列
16×16
读、写故大及题动器
Pwx675m W
D, csts.cs.
未选中
未选中
写*0”
写\1 \
2.5 256× 1 TTL -RAM (OC)
2.5.1逻辑框图此内容来自标准下载网
2.5.2功能表
cs, +es,+cs.
2.5.3外引线排列
2.6.4主要电参数
A4≤45ms
GB8438--82
CM93411
tAC<25ns
PM<475m W
存催器阵到
16×16
读，写放大及题动器
D, cs,cs,cs.
未选中
写“”
写“1
2.6 256 × 1TTL -RAM (3S)
2.6.1逻辑框图
2. 6.2功能表
CS++cS,+Cs,
2.6.3外引线排列
2.B.4主要电参数
tAAK40ns
1AC30ns
GB 3438-82
CM93421
存储器阵列
读、放大器
WEGS,CSCS
Pm<620mW
未选中
写“0”
写“ \
GB3438-82
2.7256×1TTL-RAM（低功耗，3S）CM193421
2.7.1遂辑框图
2.7.2功能表
cS +cS,+cs.
2.7.8外引线排列
2.7.4主要电参数
TAA<451S
TAC30IS
存储器阵列
16×16
读、写嵌大器
We cs,cs,cs,
Pu≤275mW
未选中
写\”
写“量梦
GB 3438--82
2.8 256 × 4 TTL-RAM (OC) CM934122.B.1逻辑框图
数据输人控制
2.8.2功能表
存诺髓阵列
32 ×32
卵地证玛驱动器
WE s,cS,
未选巾
未选中
写“”
写“1\
Da寄存
2.8.3外引线排列
2.8.4主要电参数
GB3438--82
Pm650mw
EBEEEEE
2.9 256× 4 TTL RAM （低功耗,OC）CM1934122.9.1. 逻辑框图
WECSCSTOE
Dn Di D Dh
数据输人辩制
存储器阵别
32×32
烈地压译码驱动器
2.9.2功能表
2. 要,3外引线排列
GB 3438-82
2.9.4 主要电参数
tAc35ns
TA460ns
D0OO0OE
P400mW
未选中
未选中
写*α\
写“1\
Du寄存
GB3438—82
2.10 256 × 4 TTL -RAM (3S) CM934222.10.1逻辑框图
功能表
译码聚动器
数据人控制
有储器阵列
32×32
烈地址详码弱动器
WFcs2cs,oE
未选中
末选中
写“”
Do寄存
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