【国家标准(GB)】 半导体集成电路MOS存储器系列和品种

中华人民共和国国家标准
半导体集成电路MOS存储器
系列和品种
Familles and products ofMosmemoryfor semiconductor integrater circultsuDC 621,382
.049.75
GB3437—82
本标准规定了半导体集成电路MOS存储器（以下简称器件）各系列和品种的逻辑功能、外引线排列和主要电参数。
生产（研制）或选用器件时，其系列和品种应符合本标准的规定。本标准是参考国际通用的MOS存储器系列和品种制订的。芜无特殊说明，本标准涉及的逻辑均为正逻辑。1符号、代号
1.1本标准采用的逻辑图形符号的含义如附录A（补充件）所示，采用的文字符号的含义如附录B（补充件）所示。
1.2本标推列出的器件类型、系列和品种代号为器件型号的第、一、部分。
2动态NMOS随机存储器（RAM）系列的品种器
动态NMOS-RAM
动态NMOS-RAM
动态NMOS-RAM
动态NMOS-RAM
（地址分时输入）
（多电源）
（单电源）
（单电源）www.bzxz.net
2.14096× 1动态NMOS-RAM（地址分时输入）国象标准局1982-12-31发布
CM2014
类型、系列品种代号
CMZ104
CM2117
CM2118
CM2164
1983-10-01实施
2.1.1 逻辑椎图
2.1.2波形图
读周期
地址总线
(行）
343782
(列）
时发生器（2）
列详码
++ 64 +++
64位该出效
人o选通
存储器阵列
时钟发生器（1）
数据输
人新锁
输出存
和冲器
写周期
读一改写周期
地址文
-t R.44 -
3437--82
2.1.3外引线排列
2.1.4上要电参数
faa:120~300ms;
Tac:250~5001
tvr: 250~ 500ns;
GB3437-82
Vn=12V, Vec- 5 V, Va-- 5 V,.Vss= 0 V:P,750mW。
2.216K×1动态NMOS-RAM（多电源）CM2117。2.2.1逻辑框图
行、刻
时钟发生器与控刷端
64 × 128
存储器降列
列强码与
读出人器
64 ×[28
存储器弹列
1控制与
轮出缓冲器
输人数据
锁孕器
2.2.2波形图
读周期
写周期
读一收写周期
D商阻
GB3437-82
+t caH
It rcst-
仅发RAS刷新周期
隐含剧新周期
2.2.3外引线排列
GB 3437-82
++ nch
2.2.4主要电参数
ta: 150~300 ns;
IRw: 300 ~ 475 ns;
GB 3437-82
Vpn=12V, Van=- 5 V,Vee=15V, Vss= 0 ViP.≤500mw.
2.316K×1动态NMOS-RAM（单电源）2.3.1逻辑框图
行、列
2.3.2波形图
读周期
CM2118
84×128
存储器阵列
例译码与
读出放大器
64 ×128
存储器阵列
时钟发主器与控制器
-IRAH-
1/0密制与
输出缓冲器
编入数据锁存器
写周期
读一改写周期
仅发我A.S 刷新周期
电址：
GB 343782
htepy-
隐含刷新周期
地址：
页面读周期
页面写周期
-t wp-
GB 343792
页面读一政写周期
2.3.3外形线排列
2.3.4 主要电参数
tA:100~150mS;
tewc:225~270mss
P.≤300mW
Von= 5 V, Vss= 0 V。
GB3437-B2
2.4 64K×1动态NMOS-RAM（单电源）月
CM2164
2.4.1逻辑框图
行时钟
缓冲器
2.4.2波形图
读周期
[28×128
存储器降列
128读
嵌太器
128选——列
详码举
128读
就人器
128×128
存帖墨阵列
列时钟
缓冲器
GB3437B2
128×128
存储器阵列
12B读
放大器
128选-
译码器
128该
放大器
12名×128
存储器阵列
写使能
缓种器
输人数据
缓冲器
写周期
读一改写周期
仅发RAS刷新周期
GB3437--82
RAPAsGH
+t Rcs
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