GB 6354-1986 电子器件详细规范 2CL24、2CL25、2CL27、2CL29型玻璃钝化封装高压硅堆(可供认证用) GB6354-1986

GB 7151-1987 电子器件详细规范 3DG131A 3DG131B 3DG131C型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用) GB7151-1987

GB 7149-1987 电子器件详细规范 3DK105A 3DK105B型开关用双极型晶体管(可供认证用) GB7149-1987

本标准适用于CS111，CS112，CS113，CS114，CS115，CS116型单栅结型场效应晶体管，它是按照GB 6219-86《1GHz 、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》制订的。符合GB 4936.1-85《半导体分立器件总规范》2类的要求。 GB 7148-1987 电子器件详细

GB 7147-1987 电子器件详细规范 3DG80型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用) GB7147-1987

GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法 GB4587-1984

本标准使用于3DD103型和3DD104型硅NPN低频高反压大功率三极管(台面型)。该产品主要用于电视机的行输出、帧扫描电路，稳压电源、功率放大和高压变换器等电路。 SJ 936-1975 3DD103(104)型硅NPN低频高反压大功率三极管 SJ936-1975

本标准适用于3DG181硅NPN外延平面型高频小功率高泛亚半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定 SJ 801-1974 3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管 SJ801-1974

本标准适用8DG180硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大和振荡用 SJ 800-1974 3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管 SJ800-1974

本标准适用于3DG161硅NPN平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。 SJ 797-1974 3DG161型NPN硅平面高频小功率高反压三极管 SJ797-1974