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- SJ 1413-1978 3DA2型NPN硅高频大功率三极管

【电子行业标准(SJ)】 3DA2型NPN硅高频大功率三极管
本网站 发布时间:
2024-07-11 06:31:08
- SJ1413-1978
- 现行
标准号:
SJ 1413-1978
标准名称:
3DA2型NPN硅高频大功率三极管
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1979-07-01 -
实施日期:
1979-07-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
114.43 KB
中标分类号:
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管

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标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本标准适用于3DA2型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和振荡。 SJ 1413-1978 3DA2型NPN硅高频大功率三极管 SJ1413-1978

部分标准内容:
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DA2型NPN硅高频
大功率三极管
SJ1413—78
1,本标准适用于3DA2型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和振荡。2三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。
3.三极管的外形尺寸应符合SJ139—78《半导体三极管外形尺寸》中的G-1型的规定。
4.技术要求和试验方法:
(1)三极管的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SI300~314-72《半导体三极管测试方法》的规定。(2)环境试验后,测量JS类电参数,其值仍应符合参数规范表的规定。(3)高温贮存试验温度为175°C。试验后测量IcEO,VcEs,HpE三项参数。IcEo不超过参数规范值的2倍,VcEs不超过参数规范值的1.2倍,H相对变化不超过35%,则为合格。
(4)额定功率试验时,壳温Tc=70±5°C,所加电压Vc=20V。试验后考核标准同高温贮存试验。
5.各生产厂应在产品说明书、手册或样本中,提供下列资料供使用方参考:(1)Ic——Vc曲线:
(2)I—V曲线:
(3)HRE—-Ic曲线:
(4)fr-—Ic曲线
(5)Pc—Tc曲线,
(6)HPE,VCEO,IcEO-
-T。曲线;
(7) Po, Kp, ne-1
-Pi曲线:
(8)Po,Kp,ne——Vc曲线:
中华人民共和国第四机械工业部发布
1979年7月1日实施wwW.bzxz.Net
共3页第2页
(9)直流安全工作区,
SJ1413-78
(10)典型运用状态和典型阻抗值。3DA2型NPN硅高频大功
测武条件
试验类别
:C/W
Vuo9-1
率三极管参数规范表
SJ1413-78
共3页第3页
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
3DA2型NPN硅高频
大功率三极管
SJ1413—78
1,本标准适用于3DA2型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和振荡。2三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。
3.三极管的外形尺寸应符合SJ139—78《半导体三极管外形尺寸》中的G-1型的规定。
4.技术要求和试验方法:
(1)三极管的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SI300~314-72《半导体三极管测试方法》的规定。(2)环境试验后,测量JS类电参数,其值仍应符合参数规范表的规定。(3)高温贮存试验温度为175°C。试验后测量IcEO,VcEs,HpE三项参数。IcEo不超过参数规范值的2倍,VcEs不超过参数规范值的1.2倍,H相对变化不超过35%,则为合格。
(4)额定功率试验时,壳温Tc=70±5°C,所加电压Vc=20V。试验后考核标准同高温贮存试验。
5.各生产厂应在产品说明书、手册或样本中,提供下列资料供使用方参考:(1)Ic——Vc曲线:
(2)I—V曲线:
(3)HRE—-Ic曲线:
(4)fr-—Ic曲线
(5)Pc—Tc曲线,
(6)HPE,VCEO,IcEO-
-T。曲线;
(7) Po, Kp, ne-1
-Pi曲线:
(8)Po,Kp,ne——Vc曲线:
中华人民共和国第四机械工业部发布
1979年7月1日实施wwW.bzxz.Net
共3页第2页
(9)直流安全工作区,
SJ1413-78
(10)典型运用状态和典型阻抗值。3DA2型NPN硅高频大功
测武条件
试验类别
:C/W
Vuo9-1
率三极管参数规范表
SJ1413-78
共3页第3页
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