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【电子行业标准(SJ)】 3DA10型NPN硅高频大功率三极管

本网站 发布时间: 2024-07-11 06:27:45
  • SJ1418-1978
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ 1418-1978

  • 标准名称:

    3DA10型NPN硅高频大功率三极管

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    1979-07-01
  • 实施日期:

    1979-07-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    115.32 KB

标准分类号

  • 中标分类号:

    电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管

关联标准

出版信息

  • 出版社:

    中国电子工业出版社
  • 页数:

    4页
  • 标准价格:

    8.0 元

其他信息

  • 发布部门:

    中华人民共和国第四机械工业部
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标准简介:

标准下载解压密码:www.bzxz.net

本标准适用于3DA10型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和振荡。 SJ 1418-1978 3DA10型NPN硅高频大功率三极管 SJ1418-1978

标准内容标准内容

部分标准内容:

中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DA10型NPN硅高频
大功率三极管
SJ1418-78
1本标准适用于3DA10型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和振荡。2。三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。
3,三极管的外形尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》中的F-1型的规定。
4.技术要求和试验方法:
(1)三极管的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ300~314—72《半导体三极管测试方法》的规定。(2)环境试验后,测量JS类电参数,其值仍应符合参数规范表的规定。(3)高温贮存试验温度为175°C。试验后测量IcE0,VcES,HFE三项参数。IcEo不超过参数规范值的2倍,VcEs不超过参数规范值的1,2倍,He相对变化不超过35%,则为合格。bZxz.net
(4)额定功率试验时,壳温Tc=70±5°C,所加电压Vc=20V。试验后考核标准同高温贮存试验。
5,各生产厂应在产品说明书、手册或样木中,提供下列资料供使用方参考:(1)Ic-—Vc曲线:
(2)I—V曲线:
(3)H-—Ic曲线:
(4)fr———Ic曲线,
(5)Pc—Tc曲线:
(6)HeF,Vcro,IcRo-
-T。曲线,
(7)Po,Kp,ne-—Pi曲线;
(8)Po,Kp,ne—Vc曲线
中华人民共和国第四机械工业部发布1979年7月1日实施
共3页第2页
(9)直流安全工作区,
SJ1418-78
(10)典型运用状态和典型阻抗值。电
3DA10A
3DA10B
测试条件
试验类别
3DA10型NPN硅高频大
ywoot-an
SJ1418-78
功率三极管参数规范表
共3页第3页
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