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【电子行业标准(SJ)】 3DA5型NPN硅高频大功率三极管
本网站 发布时间:
2024-07-11 06:32:25
- SJ1411-1978
- 现行
标准号:
SJ 1411-1978
标准名称:
3DA5型NPN硅高频大功率三极管
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1979-07-01 -
实施日期:
1979-07-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本标准适用于3DA5型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和振荡。 SJ 1411-1978 3DA5型NPN硅高频大功率三极管 SJ1411-1978

部分标准内容:
中华人民共和国第四机械工业部部
3DA5型NPN硅高频此内容来自标准下载网
大功率三极管
SJ1411-78
1.本标准适用于3DA5型NPN硅高频大功率三极管(以下筒称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和振荡。2,三极管除符合本标准规定外,还应符合SJ61473《半导体三极管总技术条件》的规定。
3三极管的外形尺寸应符合SJ13978《半导体三极管外形尺寸》中的G-3型的规定。
4技术要求和试验方法:
(1)三极管的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合J300~314—72《半导体三极管测试方法》的规定。(2)环境试验后,测量JS类电参数,其值仍应符合参数规范表的规定。(3)高温爬存试验温度为175C。试验后测量IcEO,VcES,HFE三项参数。IcEo不超过参数规范值的2倍,VcEs不超过参数规范值的1.2倍,H?e相对变化不超过35%,则为合格。
(4)额定功率试验时,壳温Tc=70±5°C,所加电压Vc=20V。试验后考核标准同高温贮存试验。
5.各生产厂应在产品说明书、手册或样本中,提供下列资料供使用方参考:
(1)Ic—Vc曲线:
(2)IgV曲线,
(3)HFE-—Ic曲线:
(4)fr—-Ic曲线
(5)Pc—Tc曲线:
(6)HFE,VCEO,IcEO-
一T。曲线
(7)Po,Kp,neP,曲线
中华人民共和国第四机械工业部发布1979年7月1日实施
共3页第2页
SJ141178
(8)Po,Kp,ne—-Vc曲线)
(9)直流安全工作区,
(10)典型运用状态和典型阻抗值。电
测试条件
试验类别
3DA5型NPN硅高频大
SJ1411-78
功率三极管参数规范表
共3页第3页
≤120
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
3DA5型NPN硅高频此内容来自标准下载网
大功率三极管
SJ1411-78
1.本标准适用于3DA5型NPN硅高频大功率三极管(以下筒称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和振荡。2,三极管除符合本标准规定外,还应符合SJ61473《半导体三极管总技术条件》的规定。
3三极管的外形尺寸应符合SJ13978《半导体三极管外形尺寸》中的G-3型的规定。
4技术要求和试验方法:
(1)三极管的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合J300~314—72《半导体三极管测试方法》的规定。(2)环境试验后,测量JS类电参数,其值仍应符合参数规范表的规定。(3)高温爬存试验温度为175C。试验后测量IcEO,VcES,HFE三项参数。IcEo不超过参数规范值的2倍,VcEs不超过参数规范值的1.2倍,H?e相对变化不超过35%,则为合格。
(4)额定功率试验时,壳温Tc=70±5°C,所加电压Vc=20V。试验后考核标准同高温贮存试验。
5.各生产厂应在产品说明书、手册或样本中,提供下列资料供使用方参考:
(1)Ic—Vc曲线:
(2)IgV曲线,
(3)HFE-—Ic曲线:
(4)fr—-Ic曲线
(5)Pc—Tc曲线:
(6)HFE,VCEO,IcEO-
一T。曲线
(7)Po,Kp,neP,曲线
中华人民共和国第四机械工业部发布1979年7月1日实施
共3页第2页
SJ141178
(8)Po,Kp,ne—-Vc曲线)
(9)直流安全工作区,
(10)典型运用状态和典型阻抗值。电
测试条件
试验类别
3DA5型NPN硅高频大
SJ1411-78
功率三极管参数规范表
共3页第3页
≤120
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