【电子行业标准(SJ)】 3DD103(104)型硅NPN低频高反压大功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部部
3DD103
3DD104
型硅NPN
低频高反压大功率三极管
SJ936-75
1，本标准适用于3DD103和3DD104型硅NPN低频高反压大功率三极管（台面型）。该产品主要用于电视机的行输出，扫描电路，稳压电源，功率放大和高压变换器等电路。2、该产品除应符合本标准规定外，还应符合相应的总技术条件的规定。产品按二类半导体三极管总技术条件SJ614—73验收时，应在管壳上打二类标记“J”，按三类半导体三极管总技术条件（待定）验收时，应打三类标记“M”。
8、产品外形尺寸应符合部标准SJ139—70的规定。8DD104型改用铁管壳和铁底座材料。
4、技术要求和试验方法，
（1）产品电参数应符合参数规范表的要求。其测试方法应符合部标准SJ300-72~314-72的规定。本标准参数表中的电参数除注明外，测试环境温度均以25°C为准。（2)产品在环境试验后，测量Js类电参数，应符合参数规范表的规定。
（8）产品的额定功率试验规范和试验后考核标准，应符合参数表的规定。
一九七六年六月一日实施
共8页第页
SJ936-75
（4）产品的高温存试验温度为175°C。试验后测量1cbo，VcesHFE三项参数。Icbo不超过参数规范表的1.5倍，Vces不超过规范表的1.5倍，HFE相对变化率不超过35%，则为合格。（5）各生产厂应在产品目录或说明书中提供安全工作区，输入特性，输出特性等曲线，供使用单位参考。（6）各生产厂应在产品目录或说明书中提供所进行的工艺筛选项目和规范。
5、使用说明：应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置，用户根据使用功率，热阻、最高结温和壳温按下式自行设计，满功率使用时壳温不允许超过75°CPCM=
TiM-Te
电参数
3DD103A
3DD103B
3DD103C
3DD103D
3DD103E
测试条件
试验类别
不带散热器时
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共8更第8页
3DD103型硅NPN低频高反压
BVCBO BVCEOBVEBO ICBO
≥300
≥600
≥800
≥1200
≥1500
≥200
≥300bzxz.net
≥400
≥600
≥800
范：IeBo的测试来件来：D
共8瓦第4页
大功率三极管参数规范表
交流参数
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开关参数
VCE=12v,Ic=2.5A,
销和E档的测试条件为50V
额定功率试验考核
不超过规范值的5倍
不超过规范值的，
榈对变化率，
≤35%
额定功率试验条件：
CE=50V,
Tc=75±5°C
电参数
3DD104A
3DD104B
3DD104C
3DD104D
3DD104E
测试条件
试验类别
±5℃
不带散热器
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共8页第5真
3DD104型硅NPN低频高反压
EcBoBVcEO
≥300
≥800
≥1200
≥1500
≥200
三300
≥400
三600
≥800
注Ia言o的微试条件米
共8耳第6页
大功率三极管参数规范表
交流参数
8J986--75
开关参数
额定功率试验考核
超过规范值的
不超过规范值的
相对变化率
≤35%
额定功率试验条件：
Ic=2.5A，
VCE=50V,
档和E档的测试条件为506V。
Ic=1A,
Tc=75±5℃
采用铁亮和铁底座
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附录1：电参数符号的说明
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基极开路，发射极一.集电极反向击穿电压。发射极开路，集电极一一基极反向击穿电压。集电极开路，发射极基极反向击穿电压。发射极开路，集电极一一基极反向截止电流。基极开路，集电极一发射极反向截止电流。共发射极电路，集电极一一发射极间饱和压降。共发射极静态电流放大系数。
晶体管内热阻。
集电极最大允许耗散功率。
不加散热器时，集电极最大允许耗散功率。最高允许结温。
最大工作电流，指HFE降低到测试值1/3时的集电极电流。壳温。
下降时间。
特征频率。
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附录2：新旧型号对照参考表
标准型号
3DD100
3DD101
3DD102
3DD103
3DD104
D74（上海无线电廿九厂、杨州晶体管厂）D10（佛山半导体厂）
3DF1（杭州华导体厂）
DO25（吉林半导体厂）
DD253（天津海洋半导体厂）
3DD12（上无土九产、杨用晶体管广、佛山半导体厂）3DD15（上海无线电七厂）
3DF5（杭州半导体厂）
D73—12（杭州半导体厂）
3DF6（八七三厂）
DD505（天津海洋半导体厂）
3A4（九七O厂）
DO50（吉林半导体厂）
3DD6—F（八七七厂）
3DD102
（上无七厂）
3DF6（杭州半导体厂）
DO50（吉林半导体厂）
（上海金星金笔厂）
（天津海洋半导体厂）
3DD50（北京前门器件厂）
3DA85（九七O厂）
3D50（青岛电器元件厂）
3DD13（上无廿九厂、杨州晶体管厂、佛山半导体厂）
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