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- SJ 934-1975 3DD100型NPN低频高反压大功率三极管
标准号:
SJ 934-1975
标准名称:
3DD100型NPN低频高反压大功率三极管
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1976-06-01 -
实施日期:
1976-06-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本标准使用于3DD100型硅NPN低频高反压大功率三极管(台面型)。该产品主要用于电视机的行输出、帧扫描电路,稳压电源、功率放大和高压变换器等电路。 SJ 934-1975 3DD100型NPN低频高反压大功率三极管 SJ934-1975

部分标准内容:
中华人民共和国第四机械工业部部
硅VPW低频高反压大功率三极管
SJ934-75
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD100型硅NPN
低频高反压大功率三极管
SJ934-75
1、本标准适用于8DD100型硅NPN低频高反压大功率三极管(台面型)。该产品主要用于电视机的行输出、顿扫描电路,稳压电源、功率放大和高压变换器等电路。2、该产品除应符合本标准规定外,还应符合相应的总技术条件的规定。产品按二类半导体三极管总技术条件SJ614-73验收时应在管壳上打二类标记J”,按三类半导体三极管总技术条件(待定)验收时,应打三类标记“M”。
8、产品外形尺寸应符合部标准SJ139一70的规定。4、技术要求和试验方法bzxZ.net
(1)产品电参数应符合参数规范表的要求。其测试方法应符合部标准SJ300—72~314--72的规定。本标准参数表中的电参数除注明外,测试坏境温度均以25°C为准。(2)产品在环境试验后,测量JS类电参数,应符合参数规范表的规定。
(8)产品的额定功率试验规范和试验后考核标准,应符合参数表的规定。
(4)产品的高温贮存试验温度为175°C。试验后测量Ice0,VceS,HFE三项参数。Iceo不超过参数规范表的1.5倍,Vces不超过规范表的1.5倍,HBE相对变化率不超过35%,则为合格。(5)各生产厂应在产品目录或说明书中提供安全工作区,输人特性,输出特性等曲线,供使用单位参考。(6)各生产厂应在产品目录或说明书中提供所进行的工艺筛选项目和规范。
5、使用说明:应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置,用户根据使用功率,热阻、最高结温和壳温按下式自行设计,满功率使用时壳温不允许超过75°C。PCM
TjM-Tc
一九七六年六月一日实施
#3页第2页
电参数
极限参数
3DD100A
3DD100B
3DD1000
3DD100D
3DD100E
测试条件
试验类别
不带散热器时
SJ934-75
3DD100型硅NPN低频高反压
BVCBOBVCEOBVEBO
OICBOICEO
TiMRTi
≥200
≥300
≥350
≥150
≥200
≥250
VCBVOE=
SJ934-75
大功率三极管参数规范表
0.5A/0.1A
交流参数
额定功率试验
不超过规范值的5借
不超过规范值的5借
共3页第3页
HFE色
标分档
对变化率
≤35%
40--80
80--120
120以上
VcE=10V额定功率试验条件:
VCE=30V
Tc=75±5°C
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硅VPW低频高反压大功率三极管
SJ934-75
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DD100型硅NPN
低频高反压大功率三极管
SJ934-75
1、本标准适用于8DD100型硅NPN低频高反压大功率三极管(台面型)。该产品主要用于电视机的行输出、顿扫描电路,稳压电源、功率放大和高压变换器等电路。2、该产品除应符合本标准规定外,还应符合相应的总技术条件的规定。产品按二类半导体三极管总技术条件SJ614-73验收时应在管壳上打二类标记J”,按三类半导体三极管总技术条件(待定)验收时,应打三类标记“M”。
8、产品外形尺寸应符合部标准SJ139一70的规定。4、技术要求和试验方法bzxZ.net
(1)产品电参数应符合参数规范表的要求。其测试方法应符合部标准SJ300—72~314--72的规定。本标准参数表中的电参数除注明外,测试坏境温度均以25°C为准。(2)产品在环境试验后,测量JS类电参数,应符合参数规范表的规定。
(8)产品的额定功率试验规范和试验后考核标准,应符合参数表的规定。
(4)产品的高温贮存试验温度为175°C。试验后测量Ice0,VceS,HFE三项参数。Iceo不超过参数规范表的1.5倍,Vces不超过规范表的1.5倍,HBE相对变化率不超过35%,则为合格。(5)各生产厂应在产品目录或说明书中提供安全工作区,输人特性,输出特性等曲线,供使用单位参考。(6)各生产厂应在产品目录或说明书中提供所进行的工艺筛选项目和规范。
5、使用说明:应在生产单位提供的安全工作区范围内使用。使用时的散热装置,用户根据使用功率,热阻、最高结温和壳温按下式自行设计,满功率使用时壳温不允许超过75°C。PCM
TjM-Tc
一九七六年六月一日实施
#3页第2页
电参数
极限参数
3DD100A
3DD100B
3DD1000
3DD100D
3DD100E
测试条件
试验类别
不带散热器时
SJ934-75
3DD100型硅NPN低频高反压
BVCBOBVCEOBVEBO
OICBOICEO
TiMRTi
≥200
≥300
≥350
≥150
≥200
≥250
VCBVOE=
SJ934-75
大功率三极管参数规范表
0.5A/0.1A
交流参数
额定功率试验
不超过规范值的5借
不超过规范值的5借
共3页第3页
HFE色
标分档
对变化率
≤35%
40--80
80--120
120以上
VcE=10V额定功率试验条件:
VCE=30V
Tc=75±5°C
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