SJ 50033/174-2007 半导体分立器件 3DA521型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 SJ50033/174-2007
SJ 50033/173-2007 半导体分立器件 3DA520型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 SJ50033/173-2007
SJ 50033/171-2007 半导体分立器件 3DA518型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 SJ50033/171-2007
ZB/Z Y 349-1985 NPN硅平面高频中小功率三极管可靠性筛选工艺规范 ZB/ZY349-1985
GB 7579-1987 电子器件详细规范 3DD201型低频放大管壳额定双极型晶体管(可供认证用) GB7579-1987
GB 7576-1987 高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范(可供认证用) GB7576-1987
GB 6356-1986 电子器件详细规范 3CX201A、3CX201B、3CX201C型高低频放大环境额定的双极型晶体管 GB6356-1986
GB 6355-1986 电子器件详细规范 3CG21B、3CG21C型高低频放大环境额定的双极型晶体管(可供认证用) GB6355-1986
GB 6354-1986 电子器件详细规范 2CL24、2CL25、2CL27、2CL29型玻璃钝化封装高压硅堆(可供认证用) GB6354-1986
本标准适用于CS111,CS112,CS113,CS114,CS115,CS116型单栅结型场效应晶体管,它是按照GB 6219-86《1GHz 、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》制订的。符合GB 4936.1-85《半导体分立器件总规范》2类的要求。 GB 7148-1987 电子器件详细
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