SJ 50033/174-2007 半导体分立器件 3DA521型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 SJ50033/174-2007

SJ 50033/171-2007 半导体分立器件 3DA518型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 SJ50033/171-2007

ZB/Z Y 349-1985 NPN硅平面高频中小功率三极管可靠性筛选工艺规范 ZB/ZY349-1985

GB 7576-1987 高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范(可供认证用) GB7576-1987

GB 6354-1986 电子器件详细规范 2CL24、2CL25、2CL27、2CL29型玻璃钝化封装高压硅堆(可供认证用) GB6354-1986

本标准适用于CS111，CS112，CS113，CS114，CS115，CS116型单栅结型场效应晶体管，它是按照GB 6219-86《1GHz 、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》制订的。符合GB 4936.1-85《半导体分立器件总规范》2类的要求。 GB 7148-1987 电子器件详细

本标准适用于3DG181硅NPN外延平面型高频小功率高泛亚半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定 SJ 801-1974 3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管 SJ801-1974

本标准适用8DG180硅NPN外延平面型高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大和振荡用 SJ 800-1974 3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管 SJ800-1974

本标准适用于3DG161硅NPN平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。 SJ 797-1974 3DG161型NPN硅平面高频小功率高反压三极管 SJ797-1974

本标准适用于3DG111硅NPN外延平面高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。该产品除应符合本标准规定外，还应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。 SJ 787-1974 3DG111型NPN硅外延平面高频小功率三极管 SJ787-1974