【电子行业标准(SJ)】 红外探测器用碲锡铅晶片规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5971
SJ20437-94
红外探测器用碲锡铅晶片规范
Specification for lead tin tellurideslice for use in infrared detector1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准1范围
中华人民共和国电子行业军用标准红外探测器用碲锡铅晶片规范
Specification for lead tin telluride dlicefor use in infrared deteetor1.1主题内容
SJ20437---94
本规范规定了红外探测器用确锡铅（Pb1kSn,Te)单晶片（以下简称“单晶片”）的技术要求、检验方法和交验规则，以及包装运输要求。1.2适用范围
本规范适用于红外探测器用碲锡铅外延膜生长用衬底单晶片的鉴定、交验的评定和验收。1.3分类
产品型号按GB11296《红外探测材料命名方法》规定，在第四部分分隔号后注明碲锡铅单晶片的组分配比(X值)即PST-0.21。2引用文件
GB11296--89
GJB179-—86
SJ20438—94
ZBN30003
3要求
3.1合格鉴定
红外探测材料型号命名方法
计数抽样检查程序及表
红外探测器用碲锡铅晶片测试方法光学零件包装
按本规范提交的产品应是经鉴定检验合格的产品。3.2性能特性
3.2.1单晶片的外形尺寸和外观质量要求a.单晶片的厚度≤1.5mm，面积s≥10mm×15mmb。单晶片表面应色泽均匀，无低角晶界和肉眼可见的裂纹。3.2.2单晶片的晶面为（100）面，定向精度≤1°3.2.3单晶片的组分为X0210±0.010。3.2.4单晶片（100）晶面的位错腐蚀密度EPD≤8×105/cm23.2.5单晶片的导电类型为P型，载流子浓度P≤2×101/cm，崔尔迁移率坐≥2×10°cm*/V.S。
中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
4质量保证规定
4.1检验责任
SJ20437-94
除合同或订货文件中另有规定外，所有提交的碲锡铅单晶片都必须由承制方按本规范规定的项目完成所有项目的检验，并由质量检验部门提供产品合格证。订货方或上级鉴定机构有权对本规范所要求的任何一项检验项目进行抽验。4.1.1合格责任
所提交的单晶片除应符合本规范第三章与第五章的所有要求外，承制方还应负责合同中包括而未列入本规范的检验要求和项目，并保证提交的验收产品符合合同的要求。质量一致性抽样不允许提交明知有缺陷的产品，也不能要求订购方按受有缺陷的产品。4.2检验分类
本规范规定的检验分为：
a.鉴定检验；
b。质量一致性检验。
4.3检验条件
产品质量检验应有承制方的质量检验部门负责进行，在一般正常大气条件下，按检验项目的顺序和要求进行，检验后由承制方质量检验部门提出质量检验报告。4.4鉴定检验规则
.鉴定检验在单晶片新品投产时进行。当关键材料或工艺变动时，也应进行鉴定检验。b.鉴定检验的样品应从被鉴定的单晶片产品中随机抽取。c.鉴定检验的项目，样品数及允许不合格品数，详见表1所示：表 1 鉴定检验
检验项目
样品尺寸及外观
单晶片定向
单晶片组分
位错腐蚀坑密度
电学参数
包装、装箱
及包装标志
技术要求
章条号
检验方法
章条号
样品数
允许不合格
d.鉴定合格资格通过质量一致性检验来维持。根据需要，应由制造厂每年一次向上级鉴定机构提交质量一致检验记录的副本。e.不合格判定。
不合格数超过表1中给出的允许不合格数，则鉴定检验为不合格。4.5质量一致性检验规则
a.检验批的组成
一个检验批应是由相同工艺控制的碲锡铅单晶，按衬底单晶片的晶面和尺寸切割的单晶2
片。一般以20片为一批。
SJ20437--94
b.质量一致性检验的抽样按照GJB179的一般检查水平I，使用一次抽样方案。c.质量一致性检验的项目及可接收质量水平AQL值详见表2所示：表2质量一致性检验
检验项目
样品尺寸及外观
单晶片定向
单晶片组分bZxz.net
位错腐蚀坑密度
电学参数
d.不合格判定
技术要求
章条号
检验方法
章条号
产品未通过质量一致性检验，应立即停止产品的验收和交付、在经过分析原因，采取措施后允许重新对不合格项目进行检验。若检验仍不合格，该批单晶片为不合格，不得交付。4.6检验方法
4.6.1外形尺寸与外观质量检验
使用精度0.01mm于分尺或卡尺检验晶片的外形尺寸，测角仪测量端面垂直角度，允许偏差0.5°；
外观质量检查：肉眼观察单晶片表面色泽均匀，无低角晶界和裂纹。应符合本规范3.2.1条之规定。
4.6.2单晶片定向及精度检测
按SJ20438的方法101进行测定，其测量结果应符合本规范3.2.2条之规定。4.6.3单晶片组分X值的测定
按SJ20438的方法201进行测定，其测量结果应符合本规范3.2.3条之规定。4.6.4单晶片位腐蚀抗密度的测定按SJ20438的方法301进行测定，其测量结果应符合本规范3.2.4条之规定。4.6.5单晶片电学参数的测量
按SJ20438的方法401进行测定，其测量结果应符合本规范3.2.5条之规定。4.6.6包装、装箱和标志质量的检验，用目测法进行。5交货准备
5.1包装和装箱
5.1.1经定向切割后的碲锡铅单晶片，必须用无水乙醇没泡去除虫胶，然后用去离子水清洗，自然风干，用镜头纸包装并放入特制塑料盒内，并用填充物填实。5.1.2按ZBN30003第二章”1级包装和要求。如运输条件良好，也可按“I级”包装。3
5.2运输和贮存
SJ20437-94
5.2.1应用冲击振动小的运输工具或采取防冲击、防振动的措施下运输，不能跌落或碰撞，不能受挤受压。
5.2.2应在干燥、洁净环境下存放。5.2.3标志
5.2.3.1在外包装箱面上应按ZBN30003第五章的要求标志。5.2.3.2在碲锡铅单晶片的专用包装盒上应注明不列内容：a.
产品名称，型号，
本标准名称和编号：
军用标记丁”；
制造年月，数量；
产品编号或生产批号：
制造单位名称。
说明事项
6.1预定用途
本规范预定用于红外成像，红外遥感和红外跟踪用碲锡铅光伏探测器的外延膜衬底材料。6.2订货文件内容
合同订单应注明不列内容；
本规范的名称及编号；
产品型号：
技术参数；
包装及装箱级别；
其他需要规定的内容。
附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第十一研究所负责起草。本规范主起草人：李兆瑞、范正风。计划项目代号：B15001。
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