【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ３ＤＧ２１０型ＮＰＮ硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20062—92
3DG210型NPN硅超高频低噪声
差分对晶体管
详细规范
Semiconductor discrte deviceDetail specification for silicon NPNultra-high frequency low-noise differencematch transistor of type 3DG2101992-11-19发布
中国电子工业总公司批准
1993-05-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetailspecificationforsiliconNPNultra-highfrequencylow-noisedifferencematch transistor of type 3DG2101范围
1.1主题内容
SJ2006292
本规范规定了3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管（以下简称器件）的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。
中国电子工业总公司
1992-11-19发布
1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20062—92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A6-02A型及如下规定，见图1：45°
引出端极性：
1.发射极1
2.基极1
3.集电极1
图1外形尺寸
7.发射极2
6.基极2
5.集电极2
A6-02A
1.3最大额定值
3DG210
注：1)
TA=25℃
TA=25℃
SJ20062—92
为单管功耗，当T>25℃时，单管按1.14mW/℃的速率线性降额。为双管功耗，当T>25C时，双管按2mW/℃的速率线性降额。1.4主要电特性(T^=25℃）
3DG210B.C
3DG210D、E
Vcg=10V
最小值
最大值
Vee=10V
Ic=3mA
f=400MHz
最小值
1.5主要电配对特性（T=25℃）
3DG210B
3DG210C
3DG210D
3DG210E
注：1)
hpea-t/hFEa-2)
Vcg=10V
Ie=3mA
最小值
最大值
较大的数为分母。
测量方法见4.5.2条。
最大值
Ic=lmA
f=100MHz
最小值
VeE-VE2/1\
Vce=10V
le=1mA
最小值
最大值
测量方法和计算方法见4.5.2条与4.5.3条。3）
2引用文件
GB4587--84
GB7581--87
GJB33--85
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
GJB128--86
半导体分立器件试验方法
最大值
Ven=10V
f-1MHz
最小值
最大值
-65~+200
Veg=10V
le=1mA
f=100MH2
最小值
最大值
[A(VBE1VBE2)aT,/1\1△(VBEI—VBE2)AT[23)VcE=-10V
T=25℃和-55℃
最小值
最大值
Vcg=10V
Ic=1mA
TA=25℃和125℃
最小值
最大值
3要求
3.1详细要求
SJ20062—92
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或没锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见第6章）3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
中间参数测试
功率老化
最后测试
4.3.1功率老化条件
TA-25±3℃
Ptot=175mW（单管）
Ptot=350mW（双管）
注：不允许在器件上加散热器或强迫追风冷。4.4质量一致性检验
测试或试验
Ico1h和hrez-1/hez-2
见4.3.1条
按本规范表1的A2分组；
△Ic801=初始值的100%或5nA，取其较大者；AhrE:=初始值的士15%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△)要求应按本规范4
表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
SJ20062-92
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（△）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。4.5.2基极-发射极电压差测试
将两个单管的发射极连接在一起，对每个单管采用规定的试验条件并符合GB4587中2.4条的方法，在两个单管基极之间直接测得基极-发射极的电压差VBE1一V2l。4.5.3基极-发射极电压差随温度变化的测试按4.5.2条规定的方法，在两个规定的温度下测试基极-发射极电压差的数值，并按如下公式计算，
[A(VBET VBE2)aT, / /(VBEI - VBE2)T, (VBEI VBe2)T,表1A组检验
检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
集电极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
正向电流传输比（增益
GJB128中
本规范
附录A
GB4587
发射极-基极开路
Icm10μA
发射极-基极开路
lc=5mA，脉冲法（见4.5.1条）
集电极-基极开路
le=10μA
发射极-基极开路
VcB=10V
集电极-基极开路
Vcg=10V,lc=0.3mA
Vcg=10V,lc3mA
Vc=10V,lc=10mA
le=10mA
Ig=1mA
Ie=10mA
Vcg-10V
le=3mA
（见1.5条）
VBRYCBO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
Vsk(n）
极限值
最小值最大值
检验或试验
3DG210D
3DG210B.C.E
基极-发射极压降
(非饱和）
（绝对差值）
3DG210B、D
3DG210C、E
基极-发射极压降
（非饱和）
(绝对差值）
3DG210B.D
3DG210C.E
基极-发射极电压障
温度变化的绝对
差值（非饱和）
基极-发射极电压随
温度变化的绝对
差值（非饱利）
A3分组
高温工作：
集电极-基极截止
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
开路输出电容
特征频率
3DG210B.C
3DG210D、E
功率增益
3DG210B.C
3DG210D、E
噪声系数
A5、A6和A7分组
不适用
GB4587
SJ20062-92bZxz.net
续表1
Ver=10V
Ic=lmA
（见4.5.2条）
Ver=10V
Ie=10mA
（见4.5.2条）
Vce10V,le=1mA
TA=25和—55℃
（见4.5.3条）
Vc=10V,le=lmA
T=25C和125℃
（见4.5.3条）
T=+150℃
发射极-基极开路
Vea-10V
T=-55℃
VcE=10V.c=3mA
Vc=10V,Ig-0
f=1MHz
Ve10V.c=3mA
f=400MHz
Vc-10V.Ie=-lmA
f=100MHz
Vc=10V,IclmA
f=100MHz
[Ve1—V2z/1
[VBEi-—VBEz|2
A(Vm-V)T/1
[A(V1—V)aTA/2)
极限值
最小值最大值
B1分组
可焊性
检验或试验
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
8.细检漏
b.粗检漏
最后测试，
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
开帽内部目检
（设计验证）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
(不工作)
最后测试：
SJ20062—92
表2B组检验
GJB128
见表4，步骤1、3和4
VcB=10V,TA=25±3℃
P=175mW（单管）
Pto=350mW（双管）
不允许器件加散热器或强追风冷见表4，步骤2、3、5、6和7
目检标准按鉴定时的设计
见表4,步骤2、3、5、6和7
每批一个器件，0失效
20(C=0)
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检滑
b.粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
盐气(适用时)
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作将命
最后测试：
SJ20062—92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4，步骤1、3和4
见表4，步骤1、3和4
Ta=25±3C,Vca=10V
Po=175mW（单管）
P=350mW（双管）
不允许器件加散热器或强迫风冷见表4，步骤2、3、5、6和7
极限值
最小值最大值
检验或试验
集电极-基极截止电流
集电集-基极截止电流
基极-发射极电压
（绝对差值）（非饱和）
3DG210B、D
3DG210C、E
正向电流传输比
(增益比)
3DG210D
3DG210B.C.E
正向电流传输比
(增益比)
3DG210D
3DG210B.C.E
基极-发射极电压随
温度变化的绝对
差值（非饱和）
基极-发射极电压随
温度变化的绝对
差值(非饱和）
交货准备
SJ20062—92
表4B组和C组的最后测试
GB4587
发射极-基极开路
Vc-10V
发射极-基极开路
Vca=-10V
Vcg=10V
lc=1mA（见4.5.2条）
Vee-10V
le=3mA
（见1.5条）
Vee=10V
Ie=3mA
（见1.5条）
Vee-10V,le-1mA
TA=25C和-55℃
（见4.5.3条）
Vcg=10V,lc=1mA
TA=25C和125℃
（见4,5.3条）
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
IVE1-Vsa/1
hpez--/hrez--
hpez--/hrez-2
[A(VBEI—VB)aT, /1
[A(VBE1VsE2)AT 12
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1条）。工厂用型号为1FC4。
极限值
最小值
最大值
A1目的
SJ20062—-92
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
测试电路见图A1。
电压源
图A1集电极-发射极击穿电压测试电路A3步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七一厂负责起草。本规范主要起草人，王长福、陈自、黄世杰、李红。计划项目代号：B01024。
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