【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ＣＳ１４６型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20061-92
CS146型硅N沟道耗尽型
场效应晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for silicon N-channeldeplition mode field-effect transistor oftypeCs146
1992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificationforsiliconN-channeldeplitionmodefield-effecttransistoroftypeCs146
1范围
1.1主题内容
SJ20061—92
本规范规定了CS146型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。
中国电子工业总公司
J1992-11-19发布
1993-05-01实施
1.2外形尺寸
SJ20061-92
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定，见图1：引出端极性：
电40.35@x
图1外形尺寸
A3-01B
1.3最大额定值
Ta=25℃
SJ20061—92
注：1）T>25℃时，按0.66mW/℃的速率线性降额。1.4主要电特性：（T^-25℃)
CS146C
CS146D
CS146E
注：1)
Vms=10V
Vesoty
Vrs=10V
Ip=lμA
[y/1132)
Vps-10V
Io=3mA
Vng-10V
f-1MHz
Tam和Ta
-55~+175
Vps=10V
Ip=3mA
f-1MHz
Vs—10V
Ip=3mA
f=400MHz
最大值最小值 最大值 最小值最大值最小值
直最小值 最大值 最小值最大值最小值最大值1
脉冲法（见4.5.1条）。
C档，在Vcs=0条件下测试。
2引用文件
GB4586—84场效应晶体管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GJB33—85
半导体分立器件总规范
GJB128--86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求的选择或另有要求时，在合同或订货单中应明确规定（见第6章）。3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1.抽样和检验
SJ20061-92
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。
（见GJB33表2）
3.热冲击
6．高温反偏
7.中间测试
8.电老化
最后测试
4.3.1功率老化条件
VGs=—-20V,Vps-0;TA-150℃
4.4质量一致性检验
低温应为一55℃，高温应为+十175℃不要求
不要求
IGssInss和|/1
见4.3.1条
本规范表1的A2分组，
/nss=初始值的士10%，A/%/1=初始值的士20%质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（△)要求应按本规范表4的步骤进行。
4.4.3C组检验
C组检验应按GJIB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4）要求应按本规范表4的步骤进行。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128中3.3.2.1条的规定。检验或试验
A1分组
外观和机械检验
A2分组
栅-源击穿电压
栅-源截止电流
零栅压漏极电流wwW.bzxz.Net
CS146C
CS146D
CS146E
栅-源载止电压
CS146C
CS146D
CS146E
A3分组
商温工作：
栅-源截止电流
A4分组
小信号共源短路正向跨导
CS146C
CS146D
CS146E
小信号共源短路输入电容
GJB128中
SJ2006192
表1A组检验
GB4586
漏源短路
lGs=-lμA
潇源短路
VGs--10V
栅源短路
Ves-10V
脉冲法（见4.5.1条）
Vg=10V
Ios1μA
Tamb=125℃
漏源短路
Vos--10V
Vng=10V
Ip=3mA
f=1kHz
脉冲法（见4.5.1条）
Vrs-10V
lp=3mA\
f=IMHz
LTPE符
VBRyGSs
Vos(e)
极限值
最小值最大值
检验或试验
小信号共源短路反馈电容
小信号共源功率增益
A5和A6分组
不适用
A7分组
低温工作，
小信号共源短路正向跨导
CS146C
CS146D
CS146E
SJ20061-92
续表1
GB4586
Vogm10V
Ip=3mA\
f-1MHz
Vps10v
Io=3mA\
f=400MHz
Tam--55℃
lp=3mAl)
f-1kHz
脉冲法（见4.5.1条）
注：1）C档，在Vos=0条件下测试。LTPd
极限值
最小值
最大值
检验或试验
B1分组
可焊性
标志的耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检源
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
（高温反偏）
最后测试：
B4分组
开帽内部观检
（设计核实）
键合强度
B5分组
不适用
B6分组
高温寿命
（不工作）
最后测试：
SJ20061—92
表2B组检验
GJB128
试验条件C，但温度应为
TA--55℃
Ta=+175℃
见表4，步骤1、3和4
TA=150℃
VGg=—20V
见表4，步骤2、3、4、5和6
试验条件A
每个器件所有的内部引线分
别进行拉力试验
TA=175℃
见表4，步骤2和6
每批1只器件，0失效
20(C=0)
C1分组
检验或试验
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变额振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
（当需要进行时）
C5分组
不适用
C6分组
稳态工作寿命
(高温反偏）
最后测试：
SJ20061-92
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件A
试验条件E
见表4，步骤1、3和4
见表4，步骤1、3和4
TA=150℃
VGs—-20V
见表4，步骤2，3，4，5和6
入=10
栅源截止电流
栅源截止电流
零栅压漏极电流
CS146C
CS146D
CS146E
小信号共源短路正
向跨导
CS146C
CS146D
CS146E
零栅压漏极电流
小信号共源短路正
向跨导
SJ20061-—92
表4B组和C组的最后测试
GB4586
漏源短路
Vo9=-10V
漏源短路
Vos-10V
栅源短路
Vrs=10V
脉冲法（见4.5.1条）
Vps-10V
Ip=3mA\
f=1kHz
脉冲法（见4.5.1条）
栅源短路
Vrs-10V
脉冲法（见4.5.1条）
Ip=3mA\
f=1kHz
脉冲法（见4.5.1条）
注：1）C档，在VGs=0条件下测试。5交货准备
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层（见3.2.1条）。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。极
最小值
最大值
初始值的士15%
初始值的士25%
CS146与厂用型号3DJ9对照：
CS146C
CS146D
CS146E
附加说明：
3DJ9G、H
SJ20061-92
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人，王长福、吴志龙、刘美英、张宗国。计划项目代号：B01023。
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