【电子行业标准(SJ)】 中小功率晶体三极管计量专用样管筛选方法

中华人民共和国机械电子工业部部标准SJ3254-89
中小功率晶体三极管计量专用
样管筛选方法
1989-03-20发布
1989-03-25实施
中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国机械电子工业部部标准中小功率晶体三极管计量专用样管筛选方法1主题内容与适用范圈
1.1主题内容
SJ3254-89
本标准规定了中小功率晶体三极管计量专用样管的筛选程序及其详细要求。1.2适用范围www.bzxz.net
本标准适用于集电极最大允许耗散攻率（Pm）为1W以下的中小功率晶体三极管。
2引用标准
GB4937
GB4938
3筛选程序
半导体分立器件机械和气候试验方法半导体分立器件接收和可靠性
常温检测→高温→温度快速变化→密封试验→特性曲线检测→电耐久性试验→外观检查→检测→周期性测试→样管定标或者
常温检测→1000h电耐久性试验→检测→密封试验→外观检查→检测→周期性测试→样管定标
每次试验后应在室温下自然存放4h，再转入下一个试验，功率老化后，应恢复4h方能进行检测。
常温检测
4.1筛选样品应在常温下按相应的产品详细规范规定的测试条件检测如下参数：IcEO，hFE，△VBE，样管定标参数及其有关直流参数。4.2特性曲线检测
用晶体管特性图示仪检测筛选样品的输出特性，特性曲线不应有畸变和明显漂移发生，否则应予剔除。
4.3筛选程序中的所有检测均按第4章的规定进行。5高温贮存
5.1目的
高温贮存试验是在不通电条件下，将器件存放在高温环境中进行贮存试验，这是考中华人民共和国机械电子工业部1989-03-20批准1989-03-25实施
SJ3254-89
核器件在高温条件下电参数，热效应，焊点熔化，外壳软化及化学变化等性能，以期加速早期失效，剔除高温条件下，性能劣化的器件。5.2试验条件
器件类型
温度（）
时间（h）
试验要求
试验样品应力求受热均匀。
温度快速变化（两箱法）
6.1月的
（金属管壳）
100±5
（金属管壳）
175±5
温度快速变化试验是把器件置于高低温多变的环境中，使其承受由低温到高温并由高温到低温的突变，通过这一试验可检验器件因温度快速变化引起的失效。6.2试验条件
器作类型
高温（℃）
低温（℃）
时间（min）
转移时间：1min土5s
循环次数：5次
6.3试验要求
（金属管壳）
100±3
（金属管壳）
175±3
-55±2
6.3.1试验箱的容最及负载能力，应能使样品进箱后，在2min之内达到规定的试验温度。
6.3.2试验由低温开始，试验时间应从温度达到规定值时开始计算，试验时，试验样品应力求受热均匀。
6.4试验顺序
SJ3254—89
低温→高温→低温→高温→
7密封试验
7.1目的
本试验的目的是检验器件的密封性，剔除密封不良的器件。7.2细检漏：采用氨质谱仪示踪气体法内腔体积<0.3cm的器件要求漏率<≤5mPacm/s,内腔体积>0.3cm的器件要求漏率<50mPacm/s具体检漏方法见GB4937，3.7.4条。7.3粗检漏
采用氛碳化合物加压法。具体试验方法见GB4937，3.7.5，试验方法3。7.4试验顺序
首先进行纫检漏，剔除漏率不合要求的器件，然后进行粗检漏以剔除连续冒泡的器件。
电耐久性试验
88.1目的
电耐久性试验是使器件模拟实际电路工作条件以考核器件表面漏电、引线焊接不良、裂纹、氧化层缺陷及局部过热点等性能，剔除劣质品。8.2试验条件
8.2.1试验电路
试验电路及其工作条件应符合GB4938，表Ⅱ的规定。8.2.2试验时间：168±0.5h
8.2.3试验温度：室温
失效判据
经筛选试验后的器件，被测参数不应超过如下规定的值，否则应剔除：a，IcLo=详细规范规定的规范值b，△hE=初始值的土20%
C.△Vre的变化
对于Pcm≤300mW的器件：初始值的±15%对于Pcm>300mW的器件：初始值的±20%上述参数的测试条件应符合相应的产品详细规范的规定。10
外观检查
用10倍放大镜检查器件的外观质量，剔除玻璃绝缘子破裂，管壳、管腿生锈和其他-3
缺陷的器件。
11周期性测试
SJ3254-89
11.1应进行三个月的检测，最初一个月，每周检测一次，从第二个月开始，每二周检测一次，留下性能稳定，参数可靠的器件。11.2只检测样管定标的参数。
附加说明：
本标准由机械电子工业部电子计量测试研究中心、晶体管专业计量站负贵起草。本标准主要起草人张莉香、刘儒良、蔡福明。
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