【电子行业标准(SJ)】 半导体光耦合器集电极－发射极反向击穿电压的测试方法

中华人民共和国电子工业部部标准半导体光耦合器集电极一发射极反向击穿电压的测试方法
本标准适合于光耦合器集电极一发射极反向击穿电压V（BR)CEo的测试。SJ2215.7-82
测试集电极一发射极反向击穿电压V（BR）cEo的总要求应符合SJ2215.1一82《半导体光耦合器测试方法总则》。下载标准就来标准下载网
2反向击穿电压V(8R)CEO的测试
2.1定义
发光二极管开路，集电极电流1c为规定值，集电极与发射极间的电压降。2.2
V(BR)CEo的测试原理图应符合下图。恒流源
3测试步骤
接人被测管后，调节恒流源，使c达到规定值，电压表上的读数即为所测反向击穿电压。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
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