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- SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法
标准号:
SJ 2215.6-1982
标准名称:
半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1982-11-30 -
实施日期:
1983-07-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
35.53 KB

部分标准内容:
中华人民共和国电子工业部部标准房(二极管)
半导体光耦合器
结电容的测试方法
本标准适用于光耦合器结电容C,的测试。SJ2215.6-82
测试结电容C,的要求应符合SJ2215.1一82《半导体光耦合器测试方法总则》。结电容C.的测试bzxZ.net
2.1定义
在规定偏压下,被测管两端的电容值。2.2结电容的测试原理图应符合下图。振荡器
3测试步骤
放大器
鉴频器
指示器
调节零位,然后放工被测管,在指示器上显示出来的读数即为该管之电容值C,。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
半导体光耦合器
结电容的测试方法
本标准适用于光耦合器结电容C,的测试。SJ2215.6-82
测试结电容C,的要求应符合SJ2215.1一82《半导体光耦合器测试方法总则》。结电容C.的测试bzxZ.net
2.1定义
在规定偏压下,被测管两端的电容值。2.2结电容的测试原理图应符合下图。振荡器
3测试步骤
放大器
鉴频器
指示器
调节零位,然后放工被测管,在指示器上显示出来的读数即为该管之电容值C,。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
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