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【电子行业标准(SJ)】 半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法

本网站 发布时间: 2024-07-13 20:19:47
  • SJ2215.6-1982
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ 2215.6-1982

  • 标准名称:

    半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    1982-11-30
  • 实施日期:

    1983-07-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    35.53 KB

标准分类号

  • 中标分类号:

    通信、广播>>通信、广播综合>>M01技术管理

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出版信息

  • 页数:

    1页
  • 标准价格:

    8.0 元

其他信息

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SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法 SJ2215.6-1982

标准内容标准内容

部分标准内容:

中华人民共和国电子工业部部标准房(二极管)
半导体光耦合器下载标准就来标准下载网
结电容的测试方法
本标准适用于光耦合器结电容C,的测试。SJ2215.6-82
测试结电容C,的要求应符合SJ2215.1一82《半导体光耦合器测试方法总则》。结电容C.的测试
2.1定义
在规定偏压下,被测管两端的电容值。2.2结电容的测试原理图应符合下图。振荡器
3测试步骤
放大器
鉴频器
指示器
调节零位,然后放工被测管,在指示器上显示出来的读数即为该管之电容值C,。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
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