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- SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法
标准号：
SJ 2215.6-1982
标准名称：
半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法
标准类别：
电子行业标准(SJ)
标准状态：
现行-
发布日期：
1982-11-30 -
实施日期：
1983-07-01 出版语种：
简体中文下载格式：
.rar.pdf下载大小：
35.53 KB
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标准内容部分标准内容：
中华人民共和国电子工业部部标准房（二极管）
半导体光耦合器wwW.bzxz.Net
结电容的测试方法
本标准适用于光耦合器结电容C,的测试。SJ2215.6-82
测试结电容C，的要求应符合SJ2215.1一82《半导体光耦合器测试方法总则》。结电容C.的测试
2.1定义
在规定偏压下，被测管两端的电容值。2.2结电容的测试原理图应符合下图。振荡器
3测试步骤
放大器
鉴频器
指示器
调节零位，然后放工被测管，在指示器上显示出来的读数即为该管之电容值C,。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
半导体光耦合器wwW.bzxz.Net
结电容的测试方法
本标准适用于光耦合器结电容C,的测试。SJ2215.6-82
测试结电容C，的要求应符合SJ2215.1一82《半导体光耦合器测试方法总则》。结电容C.的测试
2.1定义
在规定偏压下，被测管两端的电容值。2.2结电容的测试原理图应符合下图。振荡器
3测试步骤
放大器
鉴频器
指示器
调节零位，然后放工被测管，在指示器上显示出来的读数即为该管之电容值C,。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
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