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- SJ 2215.1-1982 半导体光耦合器测试方法总则
标准号:
SJ 2215.1-1982
标准名称:
半导体光耦合器测试方法总则
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1982-11-30 -
实施日期:
1983-07-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
85.24 KB

部分标准内容:
中华人民共和国电子工业部部标准SJ2215.1-82
半导体光耦合器测试方法
1982-11-30发布
1983-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子工业部部标准半导体光耦合器测试方法总则
本标准适用于测试半导体光耦合器电参数。电参数的测试按相应的标准和技术条件的规定进行。2对测试仪表的要求
2.1直流电表的误差
2.1.1电参数指示用电表(包括扩展量程后的电表)的误差不大于1.5%。2.1.2工作点指示用电表误差不大于±2.5%。2.1.3测试10uA以下的直流电流时,允许采用误差不大于4%的电表。SJ2215.1—82
2.1.4参数指示用的直流电压表的内阻应足够大,使通过的分流电流小于总电流的1%。2.1.5参数指示用的直流电流表内阻应足够小,使通过的电流在其上产生的最大压降不得超过工作电压的5%。免费标准bzxz.net
2.2交流仪表的误差
2.2.1电容测试仪表的误差不大于20%。2.2.2频率响应测试仪表的误差不大于20%。3对电源的要求
3.1在测试设备中用交流整流作直流电源时,波纹系数不大于0.5%。38.2恒流源和稳压源的电流,电压在给定值范围内的误差不大于2%。测试环境条件
光电参数的测试均在正常环境条件下进行:a.正常大气条件
环境温度:+25±10℃
相对湿度:45%~80%
大气压力:650mmHg~800mmHg。
b.判定大气条件
温度:25±2℃,
相对湿度:60%~70%
压,650mmHg~800mmHg。
中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
半导体光耦合器测试方法
1982-11-30发布
1983-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子工业部部标准半导体光耦合器测试方法总则
本标准适用于测试半导体光耦合器电参数。电参数的测试按相应的标准和技术条件的规定进行。2对测试仪表的要求
2.1直流电表的误差
2.1.1电参数指示用电表(包括扩展量程后的电表)的误差不大于1.5%。2.1.2工作点指示用电表误差不大于±2.5%。2.1.3测试10uA以下的直流电流时,允许采用误差不大于4%的电表。SJ2215.1—82
2.1.4参数指示用的直流电压表的内阻应足够大,使通过的分流电流小于总电流的1%。2.1.5参数指示用的直流电流表内阻应足够小,使通过的电流在其上产生的最大压降不得超过工作电压的5%。免费标准bzxz.net
2.2交流仪表的误差
2.2.1电容测试仪表的误差不大于20%。2.2.2频率响应测试仪表的误差不大于20%。3对电源的要求
3.1在测试设备中用交流整流作直流电源时,波纹系数不大于0.5%。38.2恒流源和稳压源的电流,电压在给定值范围内的误差不大于2%。测试环境条件
光电参数的测试均在正常环境条件下进行:a.正常大气条件
环境温度:+25±10℃
相对湿度:45%~80%
大气压力:650mmHg~800mmHg。
b.判定大气条件
温度:25±2℃,
相对湿度:60%~70%
压,650mmHg~800mmHg。
中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
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