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- SJ 2215.8-1982 半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法
标准号：
SJ 2215.8-1982
标准名称：
半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法
标准类别：
电子行业标准(SJ)
标准状态：
现行-
发布日期：
1982-11-30 -
实施日期：
1983-07-01 出版语种：
简体中文下载格式：
.rar.pdf下载大小：
46.90 KB
标准内容部分标准内容：
中华人民共和国电子工业部部标准半导体光耦合器输出
饱和压降的测试方法
本标准适用于光耦合器输出饱和压降VcE（san）的测试SJ2215.8--82
测试输出饱和压降总的要求应符合SJ2215.1-82《半导体光耦合器测试方法总则》。2输出饱和压降VeE(a)的测试
2.1定义bzxZ.net
发光二极管工作电流I,和集电极电流Ic为规定值时，并保持Ic/Ir3测试步骤
恒流源
接上被测管后，调节发光二极管部分恒流源，使I达到规定值，然后调节集电极恒流源使Ic为规定值，这时电压表上的读数即为输出饱和压降VcE（an）。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1
1983-07-01实施
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
饱和压降的测试方法
本标准适用于光耦合器输出饱和压降VcE（san）的测试SJ2215.8--82
测试输出饱和压降总的要求应符合SJ2215.1-82《半导体光耦合器测试方法总则》。2输出饱和压降VeE(a)的测试
2.1定义bzxZ.net
发光二极管工作电流I,和集电极电流Ic为规定值时，并保持Ic/Ir
恒流源
接上被测管后，调节发光二极管部分恒流源，使I达到规定值，然后调节集电极恒流源使Ic为规定值，这时电压表上的读数即为输出饱和压降VcE（an）。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1
1983-07-01实施
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