【电子行业标准(SJ)】 电子管电性能的测试 第２４部分：阴极射线电荷存储管的测试方法

中华人民共和国电子工业推荐性部标准电子管电性能的测试方法
第24部分：阴极射线电荷存储管测试方法Measurements of the electrical properties ofelectronictubes
Part 24, Methods of measurement of cathoderaycharye-storage lubes
1范围
SJ/z9010.24-87
1EC151-24(1971)
本标准提供了阴极射线电荷存储管的名词术语、定义、基本理论和测试方法。2定义
2.1管型
2．1.1存储管
在规定时刻引人信息，而在以后阅读或再现的一种电子管。注，输出信息可以是电信号或可见图象。2.1．2电荷存储管
以电荷图象的形式将信息保留在存储麦面上的一种存储管。2.1.3电信号存储管（电输出存储管）以电信号形式引进信息并在以后也以电信号的形式来再现的一种存储管。2.1.4显示存储管
能以电信号形式引进信息并在以后用图象的形式来再现的一种存储管。2。1．5阴极射线存储管
采用电子束记录信息的一种存储管。2.1.6阴极射线电荷存储管
采用电子束记录信息的一种电荷存储管。注，暗迹管和长余的阴极射线管都是阴极射线存储管的例子，但不是电荷存储管。大多数电视摄象管是电荷存储管，但不是阴极射线存储管。2.2管子元件
2.2.1存储部件
由靶、控制存储用的电极、收集输出信号的电极和作结构支撑用的其它零件组成的一种电极（包括栅网）组件。中华人民共和国电子工业部1987—09—14批准*1
2.2.2存储单元
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在存储表面上能够保留信息的最小区域，其上的信息与相邻区域的信息可以分辨。
2.2.3存储表面
能存储电荷图象，并能从它上面取出信息的一种绝缘层或半导体层。22.4靶
存储表面和直接支撑它的结构。2.2.5阻档栅
位置非常肇近存储表面或者位于这个表面上的一种栅极，它对来自靶面上的次级电子建立平衡电势（位），并减小已经排列在存储表面上的电荷分布的变化。2.2.6准直透镜
在存储件附近用来校直电子束的一一种电子透镜。2.3工作条件
2.3．1轰击感生电导
在半导体或绝缘体中由于电子轰击而得到的载流子数目的增加。2.3。2透射调制
当阅读电子束通过存储表面网孔时的电流幅度调制，其调制度受该表面存储的电荷图形所控制。
2.3.3反射调制
与存储电荷有关的净电场使反射的阅读电子束特性发生变化。采用一个收集电子的合适系统从反射电子束中取出信息。2.3。4光栅扫描
电子束以恒定速率偏转对靶扫描，产生均匀间隔线组成的标准矩形图形的轨迹。2.3。5棋盘格子扫描（电子束阵列）电子束的偏转电压以阶梯形式对靶扫描，并得到正方形排列的点阵轨迹。2..6电平
确定的信号福度。
2.3.7有效电平
一个输出电平，它与每个不同的输入信息有关，无论信在存活表随的位置如何，都能互相区分。
注：有效电平数一般受到输出信号的暗影和干扰的限制。2.3.8泡和电平
一个输出电平，在这个电平以上，当记录电流（记录饱和）或阅读电流（阅读饱和）再增大时，不会引起输出信息的增加。注：“饱和”这个调常常单独使用，在这种情况下它可代替饱和电平。2.3.9双电平工作
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存储管的输出信息限于两个电平之一的工作状态。2.3.10双稳态工作
存储管的每个存储单元在受到电子轰击时，保持在两个不同的平衡电势（位）之一的工作状态。
2.3.11再生
恢复因静态或动态衰减的结果而丧失的存储信号。2．3.12信号的累积
存储表面相同点上记录的信号依次相加。2.3.13乏射
具有大的横截面而不包含局部分布信息的电子流（维持电子束）直接射向存储部件。
2.3.14准直
改变泛射束中电子的轨迹或扫描束中各种射线的轨迹，以便使电子束接近存储部件时更近于平行。
2.3.15次级发射交叉点电压
次级发射系数为1时，次级发射表面对阴极的电压。随着电压增加交叉点连续编号（见图12）。注，限定词“次级发射”，习惯上往往省去2.3.16存储单元平衡电压
在初级电子轰击和次级发射作用下，存储单元充电趋向的极限电压。2.3.17维持
电子轰击使存储单元维持于平衡电势（位）。2.4记录
2.4.1记录
将与信息相对应的输人信号以某种形式存储起来。2.4.2记录速度
在记录时，电子束在存储表面上的直线扫描速度。2.4。3最大有效记录速度
在规定工作条件下，能将信息记录到规定电平的最大速度。注，当不会发生混淆时，限定调“最大有效的”习惯上往往省去。2.4。4记录时间
记录信息的时间
2.4。5最短有效记录时间
在规定的工作条件下，记录信息所需的最短时间注，当不会发生混滑时，限定调“最短有效的”习惯上往往省去。24.6动态记录范围
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在规定扫描条件下，能够记录的输入电平的范围，即从饱和电平下记录的输入信息起到在最小有效信号下记录的输人信息止。注：最小有效信号大体上受记录电子束的噪声、存储表面待性和电于枪转换特性的限制。2.47过记录
记录电平高于产生记录饱和的电平。2.5阅读
2.5.1阅读
产生与存储信息相对应的输出信息。2.5.2阅读次数
不用重新记录，阅读一个存储单元、存储行或存储表面的次数。2。5。3最多有效阅读次数
在规定的条件和没有重新记录的情况下，达到规定的衰减以前，能够阅读存储单元、存储行或存储表面的最多次数。注，当不会发生混滑时，限定调“最多有效的”习惯上往往省去。2.5.4阅读时间
阅读存储信息的时间。
2.55最长有效阅读时间
在规定的条件和没有重新记录的情况下，达到规定的衰减以前，能够阅读存储单元、存储行或存储表面的最长时间。注：1。此时间可能受到静态衰减，动态衰减或两者组合的限制。2，当不会发生混淆时，限完词“最长有效的”习惯上往往省去。2.5.6阅读速度
阅读时，电子束在存储表面上的直线扫描速度。2。5。7最小有效阅读速度
在规定的工作条件下，达到规定的衰减时的最小阅读速度。注：当不会发生混淆时，限定词“最小有效的”习惯上往往省去。2.5。8动态阅读范围
从输出信号的饱和电平起逐渐变到可察觉的最小电平止，能够闷读的输出电平的范围。
2。5。9周围阅读次数
对相邻存储单元信息的损失不超过规定值时，与任何存储单元相邻的存储单元上完成的阅读次数。
2.5。10破坏性阅读
在阅读时部分地或全部擦除存储信息的阅读。2.5.11观条时间
存诸管提供与存诸信息相对应的可见输出信息的时间。*4*
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2。5.12最长有效观察时间
在规定的条件和没有重新记录的情况下，达到规定的衰减以前，能够看出可见的输出信息的最长时间。
注，当不会发生混诱时，限定词“最大有效的”习惯上往往省去。2.6擦除
2.6、1擦除
用受控的方法来减弱或消除存储的信息。2.6。2擦除时间
擦除存储信息的时间。
2.6.3最短有效擦除时间
在规定的工作条件和没有重新记录的情况下，将存储信息从某一规定电平减小到另一规定电平所需的最短时间。注，当不会发生混肴时，限定词“最小有效的”习惯上往往省去。2.6.4察除速度
擦除期间电子束在存储表面上的直线扫描速度。2.6.5选择性擦除
在不影响邻近存储单元所存信息的条件下，来擦除存储在某些存储单元上的信息。
2.66除率
将存储单元或存储区域的电平从某一规定值擦除到另个规定值所需时间的倒效。
2.6.7备录
使存储单元充电到适于记录的电势（位）。2.6。8备录速度
在备录期间，电子束在存储表面上的直线扫描速度。2.6.9备录率
将存储单元或存储区域从一个规定的电平备录到另一个电平的时间的倒数。27各种特性和各种缺陷
2.7.1分辨率
可以记录进存储管并在其后读出的信息量的一种量度。注，1，分辨率可以用比特（b1t）、点，线或画盈数来表示。2，因为输出信息的相对幅度可以随信息量变化，管子分辨率的理想表示法是相对幅度作为信息负函款的曲线图（见图5）：8，当存储管的分辨率用电视线表示时，即为横过存储表面直径所遇到的黑线和白线数的总和。实际上，对于电视而言，分辨事是在具有四比三长宽比的光橱的垂直方向上离量，4，英语中，术语“分辨能力”有时用作“分辨率”的同义词。*5
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2.7．2最长保留时间
从信息记入储存管的时刻起至输出电平尚能阅读为止的最长持续时间。2.7.3衰减
不是由于察除减记录而引起的存储信息的减弱。注：衰减可能是由于存储电荷的增加、减少或扩散引起的。2.7.4静态衰减
仅决定于靶面性质（例如横向漏电）的衰减。2.7.5动态衰减
由阅读电子束，维持电子束，电子发射离子电流作用所引起的衰减。2.7.6异常衰减
反复记录若干次（累积）的信号的动态衰减。它的总输出幅度变化，在速率上显著地不同于只记录一次而有相同幅度的信号的变化。2.7。7衰减时间
存储信息减到其起始值的规定百分数所需时间。2.7.8缺陷
引起不应有输出信息的存储组件的局部不完善性。27。9暗影（输出信号的或本底的）在管内发生的一种不需要的信号形式，它使输出信号幅度或本底幅度显现还变化或少量逐渐变化。这些变化在靶面上的位置是固定的。注，暗影和干扰（见2。710）之间没有严格界限，它们必须由变化的数量或变化形式或两者一起来区分，每条直径或对角线最多有2或3处输出的逐渐变化称为暗影，一处或多处突然变化或大般逐渐变化称为干扰。
2.7.10千扰（输出信号的或本底的）在管内发生的一种不需要的信号形式。它使输出信号幅度或本底帽度呈现突然变化或大量逐渐变化。这些变化在靶面上的位置是固定的。注：1，在输出信息中出现的缺陷，栅网图形或莫尔条纹是干扰的形式，随机噪声不是干扰的形式.
2.见2.7。9条的注。
2.7.11莫尔条纹
在两组周期性结构间，或两个扫描图形间，或在一个周期性结构和一个扫描图形闻，由于干涉差拍而形成的波纹图形。注：在存储管中，莫尔条纹可能是由记录一条可分辨的平行线扫描图形而用号一条平行线扫描图形阅读时产生。因为拥网元件通带具有周期性结构，莫尔条纹也可能在栅网图形和打扫描图形之间或两个栅网图形间产生。
2.7.12再分布
来自存储表面任何其它部分上的次级电子引起存储单元或存储区域电荷图形的*6*
变更。
3一般原理
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本标准涉及电输入信号的阴极射线电荷存储管。这一大类管子由两种类型的管子组成。
（1）在输出端提供电信号的管子，(2）在输出端显示图象的管子。根据预定的应用，电输出的管子能经受光栅扫描或棋盘格扫描或两种扫描制下的试验。
存储管的某些试验与普通阴极射线管相同，如亮度、束电流、灵敏度等的测底。这些不在这里重复。本标准中所述的是存储管特有的测量。阴极射线电荷存储管是基于这样的原理：在一个薄的绝缘存储面（靶）的一面上镀上金属膜，构成镶电容，该电容借助于电子束充电和放电。适用于本标准的测量方法的各类电荷存储管包括多种结构的电荷存储管。但是，为了更好地理解本标准，对以下各种管型用举例的方法作简短说明，一供记录和阅读两者用的单枪电输出管：阻挡栅型：
透射调制型。
一只记录枪和一只阅读枪的双抢电输出管轰击感生电导型，
透射调制型。
一显示存储管。
3.1单枪电输出管
3.1.1阻挡管
单枪阻挡栅管的结构如图1a所示。在这种管型中，连续完成记录和阅读。对于记录，将电子束直接射到靶上，使肥上储积电荷，其电荷量随被记录和储存的信息变化。
由电子束轰击靶所产生的一些次级电子被电子收集极收集，另一些电子返回到靶上。返回电子的空间分布主要决定于电极形状和已存在于绝缘材料表面上的电荷量。因此，返回的电子将改变邻近电荷的分布。将一块很细密的网和高透过率的阻挡慢放置在离介质表面百分之几毫米处来消除这个缺陷。次级电子由于受到栅极拒斥场的作用被追返回到撞击点最邻近的地方。可用栅极调制的束电流或恒定的束电流进行记录，在后一种情况下，把要记录的信号加在阻挡栅和靶的金属层之间。在阅读期间，保持恒定束流的电子束将再分解靶并引起电荷的脉冲调制，该电荷的脉冲调相应于由记录所产生的电荷堡。*7*
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电荷的脉冲调制将在靶和电子收集极电路中产生电流变化。于是既可在靶电路中也可在电子收集极电路中放置的负载电阻的端头上收集输出信号。3.1.2透射调制管（单枪）
单枪透射调制管的结构如图1b所示。与阻挡栅管一样，连续完成记录和阅读。这类管子的工作基本上包括四种方式备录、记录、阅读和擦除。对于上述方式可使用任何形式的扫描（TV、PPI或其它）：对于备录，让靶在低于第一交叉点电压（见图12）下工作，并让未调制的电子束在整个表面上扫描以建立均匀的电荷分布。对于记录，使靶在高于第一交叉点电压，即在次级发射系数大于1的电位下工作。让经调制的电子束在靶上扫描，在介质上产生一个代表被储存信息的电荷图形，由电子束轰击靶引起的次级电子被减速极收集。对于阅读，靶电压调到使介质表面整个区域对电子枪阴极为负值。让未经调制的电子束扫描靶。在电荷图形电位只稍微为负的地方（记录区），电子束以较高百分数通过靶孔到达输出电极。在介质表面有更多负电荷的地方（例如部分记录区），部分电子被斥回，仅极少的电子通过靶孔，产生表征灰色电平的部分输出。在没有记录信号的区域中，电子束波很多负电荷截止，不能取得输出信号电流。因此，输出信号相应于由记录所产生的电荷图形。应该注意，在这工作期间阅读电子束并不轰击介质表面的任何位置，因此，阅读过程基本上为非损坏性的，并且不用重新记录能重复多次。
对于擦除，将靶转接到能产生高的次级发射系数的电压电平（典型值与减速极所用的电平相同），让未调制的电子束扫描整个靶面，从而除去原来记录的电荷图形。在许多应用中这步工作可以取消。进行备录能够起擦除作用和建立所需起始电荷电平的双重作用。
上述是常用的工作方式。对于某些用途，其工作方式允许有破坏性阅读或在记录区间使用靶电压调制代替电子束调制。3.2双抢电输出管
3。2.1轰击感生电导管
轰击感生电导管的结构如图28所示。这类管型允许同时记录和阅读，尤其是用它将一种扫描制中存在的图象转换为另一种扫描制，例如，将雷达接收中的PP工扫描所取得的图象转换成能使信息较易透射和观察的TV扫描。
为了能够理解这种管子的工作，首先应说明，正是阅读电子束对构成静电存储的微电容器进行均匀充电。
记录枪的电子束（其调制与被存储的信号对应）改变靶上的电荷。其电荷的空间分布决定于记录顿扫描的形式（对上述应用PP工扫描）。这种管子的靶为轰击感生电导靶，包活足够薄的介质层，该介质层在记录枪的*8*
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高速电子（10000伏）通过期间不会损坏。在电子通过期间，产生大量的次级电子，于是绝像体立刻变成能够使被轰击的电容器单元迅速放电的导体。在记录以后，电荷分布保持在存储层的表面，即使用TV扫描阅读时，也把已记录的点（即三经过电荷变更的那些点）再次升到起始平衡电位，于是在存储表面单元电位接近支撑栅电位的情况下，较大比例的收集极电流就出现了。应该指出：比记录抢电子较小加速（1000伏到1500伏）的阅读枪电子不能通过绝缘部分，因此它们在存储层的表面上均匀地重新建立收集极电位，在TV扫描的情况下，在收集极电路中恢复PPI扫描记录的存储图象。3.2.2透射调制管（双枪）
双枪透射调制管的结构如图2b所示。如同轰击感生电导管一样，这类管型允许同时记录和阅读。
除这类管子在控制的速率下允许信息同时记录、阅读和减弱（逐渐擦除）外，其工作类似于3·1·2条中所述的单枪管工作。通带是用于将PPI扫描转换为TV扫描，或者从一种TV校准转变到另一种TV标准。这类管型的工作电位这样建立，使靶相对于记录枪阴极的电位高于交叉点的电压，因此相对于阅读枪阴极的电位仅为稍正的电位。对于备录，收集极电压转接到相对于阅读枪阴极为负的电位，以致于通过靶孔的阅读束电子由于负电场作用被反射到介质表面上，它使介质充电，其电位向阅读枪阴极电位方向下降。
按8。1。2条所述的方法采用记录枪完成记录功能。对于阅读，采用所需扫描幅度偏转阅读电子束。收集极电阅到相对于阅读枪阴吸为正的电位，其值决定于存储信息所需的衰减速率。介质上电荷图形为正的地方，阅读电子束通过靶孔井在输出电极（收集极）上被收集。电荷图形稍正的地方，较小百分数的阅读电子束通过孔，这个百分数与记录的信号电平有关。逐渐备录（或衰减）与阅读同时完成，并由自收集极上的阅读束次级电子打到分介质表面所引起。备录速率可以控制。如果收集极被调到相对于这个表面的电位正得多，那么很少的次级电子能渡越负的电位梯度，基本上阻止了部分备录效应。由于阅读电子束并不打到介质表面，那么阅读过程基本上为非破环性的，且存储图形不用重新记录能多次阅读。在降低收集极电位时，较多的次级电子能够到达介质表面并取得较快的逐渐备录速率。必须指出，收集极既从记录束也从阅读束接收信号。用标准的信号分离技术能够避免输出中的“串音”，例如采用阅读束的射频调制和使用带通放大器，或者通过对收集极和记录减速极选择电压关系，以使收集极对记录束的次级发射系数实际上为1。
对于决速擦除，将输出电极转换到能反射阅读束的电压值、转换阅读阴极和靶之间的电压关系到使靶有高次级发射系数的值，在许多应用中这种方式可以取消。*9*
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3.3显示存储管
显示存储管的结构如图3所示。它包括：—一只产生大面积低速电子流的泛射枪。采用一个准直电极系统使此束的电子最后位于垂直于栅授的轨道上。——一个准直透镜，通常包括管壳圆锥部分的石墨涂层（或其它材料），与管壳同心的金属圆商和收集次级电子的极。一一只装有偏转装置产生高速聚焦电子束的记录枪，其电流由控制珊按被记录的信息来调制。
一个由高透明度支持栅上涂覆的绝缘薄膜（存储表面）组成的靶。存储表面在来自电子枪的电子轰击下能够发射次级电子；因此借助于这种轰击作用使得表面电位得到局部改变。
—个荧光屏
工作原理如下，
假定存储栅和存储表面的初始电位是稍正的电位并等于V，（见图4）。对着存储栅孔的泛射枪电子通过这个栅并被加速向荧光屏，使荧光屏发光。剩余的泛射枪子以低于第一交叉点电压（见图12）的低速度打到存储表面，使存储表面充电，其电位降到泛射枪阴极电位，此电位被认为是零电位（见图4b）。当存储表面已经达到这个电位时，将拒斥泛射枪的其它电子。对于备录，给存储橱加正脉冲V。由于电容耦合，存储表面的电位在开始将增加V，值（见图4℃）。bZxz.net
由于泛射枪电子维持作用的结果，存储表面的电位将迅速恢复到零伏。当V脉冲结束时，存储栅将恢复到它的起始电位V1，并由于电容耦合，存储表面将得到V，的值。如果使V，足够大，泛射电子将被斥回，因此不能达到茨光屏（见图4d）。上述过程如图4f所示。对于记录，调整记录枪阴极电子至一电平上，在该电平上电子枪发出的电子以高速度（在第一和第二交叉点电压之间）打到存储表面上，使记录电子束的每个初级电子产生一个以上次级电子。被这样轰击的区城升高到较低的负电位（与备录期闻建立的-V，相比），泛射枪的电子将通过靶到达荧光屏。通过的泛射枪电子数目将是记录过程中已经储积的电荷量的函数，也是记录束的调制、扫描速率和其它一些因素的函数。在荧光屏上观察到的图象与存储表面记录的电荷图形相对应。对于擦除（备录），存储栅再一次加脉冲到V，值，所起的作用与前面解释相同（图4c到图4f）。
记录信息在规定区域的擦除能够利用另一只附加的案焦和偏转的电子枪来完成该电子枪的阴极工作在零伏（泛射枪阴极电位），或者如轰击感生电导管中，使电子在高于第二交叉点电压下着靶。利用扫描电子束，用这些方法中的任一种进行的擦除称为选择擦除。
4测试方法
4.1电输出管
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4。1。1连续扫描的分辨率
在规定的工作条件下，记录一次标准光概，然后垂直阅读。阅读信号的峰一峰幅度在大间隔时与线间需无关，而随间隔的线减小而减小。相对于大的线间隔的峰一峰输出信号，输出信号峰一峰幅度是横过存储表面的直径（或者管子具有矩形屏的情况下为存储表面对角线）所记录的线数的函数。分辩率特性是相对输出幅度与每直径式每对角线所记录的线数的关系曲线（见图5）。与0·5相对幅度（半幅度分辨率）对，的每直径或每对角线所记录的线数可以用作分辨率的单值。当采用“TV线”分辨率时，既要计算线数又要计算间隔，所给出的数值为上面得到的两倍。
注意事项
在进行上述测最时，应该注意保证记录速度始终恒定，电子束在靶上尽可能成圆形，并且存储表面始终不达到饱和。41。2棋盘格子扫描的分辨率
在规定的工作条件下，尤其是包括点的数盘，在有效存储表面内记上由基本方格构成的正方形阵列，以形成棋盘格子图形。在此图形中相邻的单元有相反的特性（见图6）。电子束开始扫描这个网络，记录脉冲的持续时间应该使被轰击点子在单独暴露在电子束中的情况下达到90%饱和。电子束再次扫描阵列并在所有点上进行知读。当阵列的点子有较宽间隔时，即认为被记录的和未记录的两种点子的阅读信号是处于它们各自的参考电平下。重复刚叙述的测量程序，增加存储表面每单位面积上点子的密度（减小阵列的尺寸）直到两种阅读信号之差与它们各自的参考电平之差相差一给定百分数。分辨率用降低到这种条件下的点子的密度来规定。然后可以计算在初始表面上可以记录的，可分开点子的总数。这就提供了表示管子分辨率的单一数值。
注，在每次记录以前，必须用即读工作或用分隔的擦除周期来完全擦除表面。4.1．3连续扫描的记录速度
在规定的工作条件下，记录一次标准光，然后垂直地阅读。如果线的间隔足以允许分开要记录的线时，则阅读信号峰一峰幅度在低速度下与记录速度无关，但是，当记录速度增大时，阅读信号蜂一峰幅度就随之减小。开始时用产生饱和的记录速度，在较高的记录扫描速度下连续擦除和重新记录光栅，阅读速度保持恒定，直到信号幅度被减小到饱和值的规定分数为止。记录速度的全特性用记录速度与输出电平的函数关系曲线来表示。如果希望规定曲线上单独点的记录速度所采用的电平为饱和电平的90%。
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4、1.4棋盘格子扫描的记录时间在记录期间，当电子束指向各断续位置时，每单元记录时间的概念应代替记录速度的概念。
与测量分辨率（4：12条）所规定的条件和采用的程序完全相同，将每个试验点记录到饱和。在阅读工作时间，记下从记录点中产生的平均号幅度。然后采用规定的束电流值擦除存储表面并准备重新记录。确定在饱和电平的规定百分数，例如90%相应的电平下记录一个点所需电子束增强矩形脉冲的持续时间，认为这个电子束增强脉冲的持续时间即为在规定的束电流下每单元的记录时闻（见图7）。4。1。5连续扫描的阅读次数
在单独记录工作之后，进行存储管阅读次数的溅量。在规定的工作条件下，在与饱和电平的规定百分数相对应的电平下记录一次标准光栅。然后用垂直取向的标准光栅重复进行阅读，由存储表而中心（在离子斑点充气失真的区城）附近的相对输出幅度的变化与阅读扫描次数的曲线图，能够确定在任何规定的存储图形幅度变化下的阅读次数。要采用单值时，推荐在规定的束电流下，相对输出幅度变化到它的起始值50%时的阅读次数。注：对于双电平工作，选择高于90%的饱和值：对于降低的（灰度标尺）工作，选择在饱和值的40%和60%之间。4。1。6棋盘格子扫描的阅读次数在规定工作条件下（4：1：2条），只加一次扫描来记录包含规定N个点子数的棋盘格子图形，试验的其余部分与测连续扫描阅读次数（4·1。5条）所述相同。
4.1、7棋盘格子扫描的阅读时间在规定的作条件下，在整个有效存储面上记录正方形点阵或矩形点阵。交错的横列和纵列仅由相互配合的点子构成，除试验图形的边缘外，所有其它的点子都代表被记录的点子（见图8）。因此阵列中任何被记录点子都被八个相互配合的点子包国。在高于90%的饱和电平下记录试验点子。在第一次阅读工作期间，记下从记录点子中得到的信号平均度。然后第二次说读存储表面并确定信号幅度电平的变化，擦除并重新记录存储表面。采用不同持续时间的读束增强脉冲重复上述工作。对于规定的束电流，在第一次和第二次阅读之间使输出信号减小规定百分数的电子束增强脉冲持续时间作为每单元的阅读时间。4，1，8淇盘格子扫描的周围阅读次数在规定的工作条件下，首先按4。1。7条中所述记录-次降列。首先在记录的点子上进行阅读，并记下第一次阅读的平均输出信号，应记录束电流和电子束增强脉冲的持续时间。然后不使电流通过相互配合的点子，重新记录已记录的点子。阅读相互配合点子足够多次，使第一次阅读点子的平均输出幅度产生一规定的变化（通常为20%）。测最开始的平均幅度和最终的平均幅度之间的变化量。*12
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