【电子行业标准(SJ)】 半导体集成电路 双极型随机存储器测试方法的基本原理

UDC 621.382.049.75-181.4:621.317.08中华人民共和国国家标准
GB3444-82
降为SJ/T10740-96
半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理
General principles of measuring methods of bipolar randomaccess memory for semiconductor integrated circuits1982-12-31发布
国家标准局
TTKKAca
1983-10-01实施
中华人民共和国国家标准
半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理
General principles of measuring methods of bipolarrandomaccess memory for semiconductorintegrated circuitsUDC 621.382.049
.75-181.4
:621.317.08
GB3444--82
本标准规定了半导体集成电路双极型随机存储器（以下简称器件）静态参数、动态参数和功能测试方法的基本原理。
本标准是参考国际电工委员会（IEC）147一2《半导体器件和集成电路测试方法的基本原理》制订的。
若无特殊说明，本标准涉及的逻辑均为正逻辑。1总的要求
1.1若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定，1.2测试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定。
1.3测试期间，施于被测器件的电源电压应在规定值的土1%以内。施于被测器件的其他电参量的精度应符合器件详细规范的规定。被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。1.4
在静态参数测试和动态参数测试前，应进行功能测试。1.5
每项测试前应有预置位周期。
2静态参数测试
2.1输人钳位电压Vik
2.1.1定义
输人端在抽出规定的电流[k时的电压。2.1.2测试原理图
TTL-RAM输人钳位电位Vik测试原理图如图1所示。Vco
被测器件
国家标准局1982-12-31发布
YYKAONYKCa
1983-10-01实施
2.1.3测试条件
GB.3444--82
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。8：环境温度TA，
电源电压Vcc
输人端抽出电流Iik。
2.1.4测试程序
在器件详细规范规定的环境温度TA下，将被测器件接人测试系统中。电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值。被测输入端抽出器件详细规范规定的电流I1K，其余输人端开路。输出端开路。
在被测输人端测得输人钳位电压VIK。按本标准第2.1.4.3项至2.1.4.5项规定，分别测试每个输人端。2.1.4.6
2.2输出高电平电压VoH
2.2.1定义
输入端在施加规定的电平下，使输出端为逻辑高电平H时的电压。2.2.2测试原理图
TTL-RAM输出高电平电压VoH测试原理图如图2所示。网络
被器件
ECL-RAM输出高电平电压VoH测试原理图如图3所示。险
入网络
2.2.3测试条件
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。环境温度TA$
b.TTL-RAM的电源电压Vcc
rrkorkca
ECL-RAM的电源电压VEE，
输入端施加电平，
输出端负载电流IoH。
2.2.4测试程序
GB3444—82
2.2.4.1在器件详细规范规定的环境温度TA下，将被测器件接入测试系统中。TTL-RAM的电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值。2.2.4.2
ECL-RAM的电源电压VEE调到器件详细规范规定的电压值。输人端施加器件详细规范规定的电平。2.2.4.3
被测输出端抽出器件详细规范规定的负载电流IoH，其余输出端开路。2.2.4.4
在被测输出端测得输出高电平电压VoH。2.2.4.5
2.2.4.6按本标准第2.2.4.3项至2.2.4.5项规定，分别测试每个输出端。2.3输出低电平电压VoL
2.3.1定义
输人端在施加规定的电平时，使输出端为逻辑低电平L时的电压。2.3.2测试原理图
TTL-RAM输出低电平电压VoL测试原理图如图4所示。Vcc
人网络
ECL-RAM输出低电平电压Voi.测试原理图如图5所示。Vge
人网络
2.3.3测试条件
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。环境温度TA,
TTL-RAM的电源电压VcC:
ECL-RAM的电源电压VEE：
rrkNrka
输人端施加的电平，
d.输出端负载电流IoL。
2.3.4测试程序
GB3444—-82
在器件详细规范规定的环境温度TA下，将被测器件接入测试系统中。2.3.4.2TTL-RAM的电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值，ECL-RAM的电源电压VEE调到器件详细规范规定的电压值。输人端施加器件详细规范规定的电平。2.3.4.3
2.3.4.4被测输出端注人器件详细规范规定的负载电流IoL，其余输出端开路。2.3.4.5在被测输出端测得输出低电平电压VoL。2.3.4.6按本标准第2.3.4.3项至2.3.4.5项规定，分别测试每个输出端。2.4输人高电平电流ITH
2.4.1定义
输人端施加规定的高电平电压VIH时流人器件的电流。2.4.2测试原理图
TTL-RAM输人高电平电流IIH的测试原理图如图6所示。Ve
输人网络
被测器件
ECLRAM输人高电平电流IW的测试原理图如图7所示。TH
2.4.3测试条件
输人网络
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。a.
环境温度TA
b.TTL-RAM的电源电压Vcc
ECL-RAM的电源电压VEEbzxZ.net
输人高电平电压Vim;
rrkNrka
d。输人端施加的电平。
2.4.4测试程序
GB3444-82
2.4.4.1在器件详细规范规定的环境温度T4下，将被测器件接人测试系统中。2.4.4.2TTL-RAM的电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值，ECL-RAM的电源电压VEE调到器件详细规范规定的电压值。2.4.4.3
被测输入端施加器件详细规范规定的输人高电平电压VIH，其余输人端施加器件详细规范规定的电平。
2.4.4.4输出端开路。
2.4.4.5在被测输人端测得输入高电平电流IiH。2.4.4.6按本标准第2.4.4.3项至2.4.4.5项规定，分别测试每个输人端。2.5输人低电平电流1iL
2.5.1定义
输人端在施加规定的低电平电压VL时流出器件的电流。2.5.2测试原理图
TTL-RAM输人低电平电流IL测试原理图如图8所示。Ti
编人网络
微润器
ECL-RAM输人低电平电流IL测试原理图如图9所示。l
2.5.3测试条件
输人网络
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。a.
环境温度TA
b.TTL-RAM的电源电压Vcc
ECL-RAM的电源电压VEE：
输人低电平电压VIL；
rrkAorkca
d．输人端施加的电平。
GB3444—82
2.5.4测试程序
2.5.4.1在器件详细规范规定的环境温度TA下，将被测器件接人测试系统中。2.5.4.2TTL-RAM的电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值，ECLRAM的电源电压VEE调到器件详细规范规定的电压值。2.5.4.3被测输人端施加器件详细规范规定的输人低电平电压VIL，其余输人端施加器件详细规范规定的电平。
2.5.4.4输出端开路。
2.5.4.5在被测输入端测得输入低电平电流IIL。2.5.4.6按本标准第2.5.4.3项至2.5.4.5项规定，分别测试每个输人端。2.6输出短路电流Ios
2.6.1定义
输人端在施加规定的电平下，使输出为逻辑高电平H时输出端对地短路的电流。2.6.2测试原理图
TTL-RAM输出短路电流Ios的测试原理图如图10所示。Ycc
人网络
2.6.3测试条件
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。a，环境温度TA;
b.电源电压Vcc,
输人端施加的电平。
2.6.4测试程序
2.6.4.1在器件详细规范规定的环境T4下，将被测器件接入测试系统中。2.6.4.2电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值。2.6.4.3输人端施加器件详细规范规定的电平。2.6.4.4被测输出端对地短路，其余输出端开路。2.6.4.5在被测输出端测得输出短路电流Ios。2.6.4.6按本标准第2.6.4.3项至2.6.4.5项规定，分别测试每个输出端。2.6.4.7注意事项
每次测试的时间应小于1秒钟。
2.7输出高阻态时高电平电流IozH（仅适用于三态输出器件）2.7.1定义
三态控制端在施加规定的电平，使输出为高阻态下，输出端施加规定的高电平电压V。时流入器件的电流。
TrkAoNrkAca
2.7.2测试原理图
GB3444-82
TTL-RAM输出高阻态时高电平电流IozH的测试原理图如图11所示。Vee
2.7.3测试条件
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。a.
环境温度TAs
电源电压Vcc;
输入端施加的电平；
输出端施加高电平电压Vo。
测试程序
在器件详细规范规定的环境温度T下，将被测器件接人测试系统中。电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值。输入端施加器件详细规范规定的电平。2.7.4.4被测输出端施加器件详细规范规定的高电平电压Vo其余输出端开路。2.7.4.5
在被测输出端测得输出高阻态时高电平电流IozH。按本标准第2.7.4.3项至2.7.4.5项规定，分别测试每个输出端。2.7.4.6
2.8输出高阻态时低电平电流1ozL（仅适用于三态输出器件）2.8.1定义
三态控制端在施加规定的电平，使输出为高阻态下，输出端施加规定的低电平电压Vo时流出器件的电流。
2.8.2测试原理图
TTL-RAM输出高阻态时低电平电流IozL的测试原理图如图12所示。4c
输人网络
rrkNrka
2.8.3测试条件
GB3444—82
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。a.
环境温度TA
电源电压Vcc
输入端施加的电平；
输出端施加的低电平电压Vo。
2.8.4测试程序
在器件详细规范规定的环境温度TA下，将被测器件接入测试系统中。2.8.4.1
电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值。2.8.4.2
输人端施加器件详细规范规定的电平。2.8.4.3
被测输出端施加器件详细规范规定的低电平电压V。，其余输出端开路。2.8.4.5在被测输出端测得输出高阻态时低电平电流1ozL。2.8.4.6按本标准第2.8.4.3项至2.8.4.5项规定，分别测试每个输出端。2.9输出截止态电流1o(OFF）（仅适用于集电极开路输出的器件）2.9.1定义
输入端在施加规定的电平，使输出为截止状态下，输出端施加规定的电压Vo时流人器件的电流。2.9.2测试原理图
TTL-RAM输出截止态电流Io(0FF)的测试原理图如图13所示。Vec
人网络
2.9.3测试条件
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。a.环境温度TA
电源电压Vcc,
输人端施加的电平；
d.输出端电压Vo。
2.9.4测试程序
IocoFF)
2.9.4.1在器件详细规范规定的环境温度TA下，将被测器件接人测试系统中。电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值。2.9.4.2
2.9.4.3输人端施加器件详细规范规定的电平。2.9.4.4被测输出端施加器件详细规范规定的电压Vo，其余输出端开路。2.9.4.5在被测输出端测得输出截止态电流Io0FF)。2.9.4.6按本标准第2.9.4.3项至2.9.4.5项规定，分别测试每个输出端。2.10输出高电平时电源电流IccH2.10.1定义
rrkNrka
GB344482
输人端在施加规定的电平下，使输出端为逻辑高电平H时，经电源端流人器件的电流。2.10.2测试原理图
TTL-RAM输出高电平时电源电流IcCH的测试原理图如图14所示。输
人网络
2.10.3测试条件
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。a.
环境温度TAI
电源电压Vcc:
输人端施加的电平。
2.10.4测试程序
在器件详细规范规定的环境温度T下，将被测器件接人测试系统中。电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值。2.10.4.2
输人端施加器件详细规范规定的电平。2.10.4.3
2.10.4.4输出端开路。
2.10.4.5在电源端测得输出高电平时电源电流IcCH。2.11输出低电平时电源电流IccL2.11.1定义
输人端在施加规定的电平下，使输出端为逻辑低电平L时，经电源端流入器件的电流。2.11.2测试原理图
TTL-RAM输出低电平时电源电流IcCL的测试原理图如图15所示。rrkNrka
2.11.3测试条件
GB3444—82
人网络
被滴器
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。环境温度TA;
电源电压Vcc；
输人端施加的电平。
2.11.4测试程序
2i11.4.1在器件详细规范规定的环境温度T下，将被测器件接人测试系统中。2311.4.2
电源电压Vcc调到器件详细规范规定的电压值。2.11.4.3
输入端施加器件详细规范规定的电平。输出端开路。
在电源端测得输出低电平时电源电流IccL。2.12电源电流IEE
2.12.1定义
输入端在施加规定的电平下，经电源端流出器件的电流。2.12.2测试原理图
ECL-RAM电源电流IEE测试原理图如图16所示。VcerVece
人网络
rrkNrka
GB3444-82
2.12.3测试条件
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。环境温度TA
电源电压VEE：
输入端施加的电平。
测试程序
在器件详细规范规定的环境温度T下，将被测器件接人测试系统中。2.12.4.1
电源电压VEE调到器件详细规范规定的电压值。输人端施加器件详细规范规定的电平。输出端开路。
在电源测得电源电流IEE。
3动态参数测试
3.1地址取数时间tAA
3.1.1定义
在读周期内，存储器从地址变换到输出端有效数据出现的最大时间间隔。3.1.2测试原理图
地址取数时间tAA测试原理图如图17所示。电源
人聚动网练
地址取数时间tAA波形图如图18所示。被
双迹示波器
rrkNrka
输出负载网络
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