【电子行业标准(SJ)】 电子器件详细规范 ４ＣＳ１４２１型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)

中华人民共和国国家标准
电子元器件详细规范
4CS1421型
硅高频双绝缘栅场效应晶体管
Detail specification forelectronic componenthighfrequencysilicon dual insulated-gatefield-effect transistor of type 4CS1421本标准规定了4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管的详细要求。本标准适用于4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管。GB10277—88
降为SJ/T11058-96
本标准是参照GB6219《1GHz、5W以下的单橱场效应晶体管空白详细规范》制订的，符合GB4636.1《半导体分立器件总规范》【类的要求。中华人民共和国电于工业部1988-04-22批准TTTKKAca
1989-08-01实旗
国家标准局
评定器件质量的根据：GB4936.1《半导体分立器件总规范》
4CS1421型详细规范
订货资料，见本规范第7章
机械说明
外形图及引出端识别
0.65±0.15
标志：见本规范第6章。
GB10277--88
0.65±0.15
1源极
2漏极
3二栅
4一橱
YYKAONYKCa
GB10277-88
2简路说明
N沟道双绝缘栅耗尽型场效应晶体管。半导体材料：P型硅
封装：塑料（非空腔）
应用：在UHF频段作高频放大用
注意，装配静电敏感器件应进守预防措施。3质量评定类别
参考数据：
Pto=150mW
[Y21s/≥12mS
IDss分档：
P.0.5~4.0mA
Q.3.0~13mA
4极限值（绝对最大额定值）
除非另有规定，T.==25℃
条文号
电特性
环境温度
贮存温度
澜源电压
一栅源电压
二栅源电压
漏极电流
沟道温度
耗散功率
检验要求见本规范第8章
条文号
一栅正向漏泄电流
一栅反向漏泄电流
二栅正向漏泄电流
二栅反向滑泄电流
一栅源截止电压
二栅源载止电压
特性和
除非另有规定，
GB10277--88
Tmb-25℃
VGIs=8V
VpsVGg0
VDs-VGIS-0
Vais6V
VG1g=-8V
VG1S=-6V
VG258V
VG2s=6V
Ve2s-8V
VGzs--6V
T.=100℃
T.=100℃
T.=100℃
VDs=10V:VG2s=4V,Ip=100μA
VDs=10V,VG1s=0,ID=100μA
YYKAONYKCa
最小值
IGISSF(I)
IGISSP(2)
IGiSsRCI)
IGISSR(S)
Ig2Ssr(1)
IG2SsP(2)
IgassRci)
IG2SSR(2)
VGisteff)
VGes(oft)
最大值
最小值最大值
条文号
漏极电流
正向跨导
噪声系数
功率增益
输入电容
输出电容
反向传输电容
GB10277-—88
特性和条件
T.m-25℃
除非另有规定，
Vps±10V,VGIs-0,VGas=4V
Vps=10V,Ip-10mA
VG2s-4V.f=1kHz
Vps-8V,Ip-8mA
f--800MHz,VGas-3V
VDs=10V
Veis--5V
Vets--5V
漏源反向截止电流
6标志
6.1器件上的标志
a，简略型号，F5
VGis-5V,Ve2s-0,
VDs=15V
b.Ipss分档（按本规范5.3条）。6.2包装盒上的标志
型号（和简略型号）和质量类别，a.
b.制造厂名称和代号或商标，
c。检验批识别代码，
d。Ipss分档，www.bzxz.net
“防潮”、“防静电”等，
f。其它。
6.3合格证上的标志
型号（和简略型号）和质量类别，制造厂名称和代号或商标，
检验批识别代码，
d。Ipss分档，
其它。
7订货资料
a：型号，
b。本规范编号，
Ipss分档，
d．其它。
YYKAONTKAa
最小值最大值
8试验条件和检验要求
GB10277—88
在本章中：除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1的条文号，测试方法引自GB4936.1第6.1.1条。
A组~—逐批
全部试验都是非破坏性的。
检验或试验
A1分组
外部目检
A2a分组
不工作器件
一栅源载止电压
二栅源载止电压
A2b分组
一栅正向漏泄电流
一栅反向漏泄电流
二栅正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
一橱源截止电压
二栅源截止电压
漏极电流
漏源反向截止电流
A3分组
正向跨导
A4分组
噪声系数
Vestett)
Vazs(ott)
Icissr(t)
IGISSR(I)
IG2SSF(1)
IG2ssR(I)
Vaistosn)
Vers(otn)
引用标准
T--0741)
T--075
T--074
T--074
除非另有规定，T.m=25℃
（见GB4939.1第4章）
Ip=100μA
VDs=10V. VGis=4V
Ip=100μA
VDs-10V,VG1s=0
VDs=Ve25=0Veis-8V
Vs-VG25-0,VG1S--8V
Vps-VG1s-0, Vaas-8V
VDs-VGis-0,Vees--8V
Ip=100uA
Vps-10V,VG2s=4V
In=100μA
Vps=10V, Va1s=0
Vps=10V,Veiso,Vas=4V
Vq1s--5V,Vcsg=0
Vos15V
Vps=10V,I,=10mA
Vos=4V.f=1kHz
Vs=8V.I,=8mA
Ves-3V,f=800MHz
注：1）用T—074方法无法判断时，可采用T--075方法检验YYKAONTKAa
检验婴求
最小值最大值
标志清晰，表
面无机械损伤
GB10277--88
B组逐批
只有标明（D）的试验是破坏性的（见3.6.6）条
检验或试验
B1分组
B3分组
引出端强度：
密曲(D)
B4分组
可焊性
B5分组
温度变化
继之以
交变湿热(D)
最后测试：
一栅源截止电压
二栅源截止电压
一棚正向漏泄电流
引用标准
GB 4937,1)
GB4937
GB4937
GB2423.4*)
除非另有规定，T=25℃
（见GB4936.1第4章）
方法1
外加力，0.5N
受试引出端数，4
弯曲角度：20°
试验b
TA=-55℃
TB=125℃
循环次数：5次
t=30min
te=2~3min
严酷等级：
温度55℃，周期数6天
恢复条件：正常的试验大气条件极
最小值最大值
按本规范
第1章
无损伤
按GB：4937，
Ve1s(o1)T--074,T--075Vps=10V.VG2s4V,In100μAVps=10V,VG1s=0.lp=100μA
JT--074,T-075/
VGas(oTi)
IGISSP(I)
一棚反向漏泄电流
IGISSR(I)
T--071
Vps-VG2s-0.Veis-8V
Vps=VG8s=Ve1s=-8V
注，1）GB4937《半导体分立器件机械和气侯试验方法》。2）GB2423，4《电工电子产品基本环境试验规程试验Db：交变退热试验方法》。6
YYKAONYKCa
单位LTPD
检验或试验
二栅正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
B8分组
电耐久性
最后测试：
一栅源截止电压
二栅源截止电压
一栅正向渊泄电流
一栅反向漏泄电流
二栅正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
漏极电流
B9分组
高温贮存
最后测试：
同B8分组
CRRL分组
IGeSSF(1)
IGESSR(I)
引用标准
GB6219,
附录A
GB10277-88
除非另有规定，T25℃
（见GB4936.1第4章）
Vps-Va1s=0, Vass8V
Vps-Va18=0, Vgas--8V
工作寿命，t168h
Pto1-150mW
Vps=12V
Ve15-VQ25-0~6V
T-074,T-075Vps-10V.Va5=4VIp=100μAVais(tt)
IGts(olt)
IGIssP(I)
IGISSR()
Ig2ssF(1)
IG2SSR(1)
T-074,T--075
Vps10V.Va1s-0,p-100μA
T--071
GB4937,3.2
Vps-Vais=0,VGis=8V
Vos-VGis-0,VG15--8V
Vp-V1s=0Vg2s=8V
VDs=VGIs=0, VGas--BV
Vps=10V,Ve1s=0,Vqes=4V
T.t125C,t168h
同B8分组
就B3、B4、B5、B8和B9分组提供计数检查结果YYKAONTKAa
最小值最大值
同B8分组
GB10277-—88
C组—周期
只有标明（D）的试验是破坏性的（见3.6.6）条
检验或试验
C1分组
C2a分组
输入电容
输出电客
反向传输电容
功率增益
C2b分组
一栅正向漏泄电流
一栅反向诵泄电流
二正向漏泄电流
二反向漏泄电流
C3分组
引出端强度，
拉力(D)
C4分组
耐焊接热（(D)
最后测试，
同B5分组
Iaisspie)
IGIBSR(A)
Igesr(s)
IaABSR(a)
引用标准
及本规范附录A
T--071
GB4937，
除非另有规定，T6=25℃
（见GB4936.1第4章）
Vp-10V,Va1s--5V
VG25--5V,f-1MHz
Vps=10V,Va18=-5V
Vess--5V, f=1MHz
Vps10V,VG1-5V
VGis=-5V.f-1MHz
Vps=BV, Ip=8mA
Vo2s-3V,f=800MHz
VDs-VG2s-0
Va1s=6V. T.ab=100℃
Vps-VGig0
VG1g--6V, Toab100℃
Vps=VG18 0
VGss-BV,T..--100℃
Vps=Ve1s=0
Vas=-6V,T.ml=100℃
拉力：IN
受试引出端数：4
时间：30±5s
方法1A
同B5分组
YYKAONTKAa
最小值最大值
按本规范
第1章
按GB4937.
同B5分组
检验或试验
C7分组
稳态湿热(D)
最后测试：
同B5分组
C8分组
电耐久性
最后测试：
（1)周B8分组
(2)正向跨导
Co分组
高温贮存（D）
最后测试：
同B8分组
C11分组
标志耐久性
CRRL分组
lYaisl
引用标准
GB4937
GB6219
附录A
GB4937，
GB10277-88
除非另有规定，T.mb=25℃
（见GB4936.1
1第4章）
严格度1
V18=VG2g--6V
t=168h
同B5分组
工作寿命，t=1000h
Prat=150mW
Vpg=12V
VG18=VGg-0~6V
同B8分组
Vps=10V,Ip=10mA
VGas=4V,f=1kHz
T.+g=125℃
t=1000h
同B8分组
方法2
单位LT器D
最小值最大值
同B5分组
同B8分组
同B8分组
按GB4937，
就C2、C3、C4、C7、C9分组提供计数检查结果；提供C8分组试验前后的计量检查结果。一整定批准试验
D组试验除鉴定时必须进行外，每12个月应进行一次，仅为了提供资料，不作验收依据。9
YYKAONTKa
检验或试验
电耐久性
最后测试：
向C8分组
CRRL分组
附加资料
10.1特性曲线
引用标准
GB6219,
附录A
GB10277-88
除非另有规定，Tm=25℃
（见GB4936.1第4章）
时间：至少2000h，在168h、
1000h、2000h测试，其它同B8分组C8分组
提供D组试验前后的计量检查结果耗散功率-环境温度曲线（见图1）；a.
漏极电流-漏源电压曲线（见图2）c.
正向传输导纳一栅源电压曲线（见图3）漏极电流-一栅源电压曲线（见图4）：功率增益-一栅源电压曲线（见图5）噪声系数一一栅源电压曲线（见图6），功率增益-二栅源电压曲线（见图7）。240
（w）碧群
环境温度（℃）
环境温度
耗散功率环境温度曲线
最小值最大值
同C8分组
单位LTPD
VGESAV
漏源电压（V）
图2漏极电流一漏源电压曲线
YYKAONTKa
（gp）
Vns10V
f=1KHz
G25-5V
一栅源电压（V）
GB10277--88
36yslovyoas4yay
一栅源电压（V）
图3正向传输导纳一栅源电压曲线24
IVps-8V
-f800MHz
一栅源电压（V）
图5功率增益栅源电压
（gP）
YYKAONrKa
图4漏极电源一栅源电压曲线
Vps=8V
=800MHz
Ta=25℃
G25=1V-
一栅源电压（V）
图6噪声系数一栅源电压
GB10277—88
/Vps=8v
-f=860MHz
二栅源电压（V）
图7功率增益一二栅源电压
YYKAONKAa
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