【电子行业标准(SJ)】 电子器件详细规范 ４ＣＳ１１９型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)

UDC621.382.323
中华人民共和国国家标准
GB10274-88
降为SJ/T11055-96
电子元器件详细规范
4CS103、4CS119、4CS1191、4CS122、4CS142和4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管
Detail specification for electronic componentHigh frequency silicon duai insulated-gatefield-effect transistor of
type 4CS103.4CS119、4CS119l,4CS122,4CS142and4CS1421国家技术监督局发布
TTTKKAca
中华人民共和国国家标准
电子元器件详细规范
4CS119型
硅高频双绝缘栅场效应晶体管
Detail specificationfor electronic componentHigh frequency silicon dual insulated-gatefield-effect transistor of type 4CS119本标准规定了4CS119型硅高频双绝缘榭场效应晶体管的详细要求。本标准适用于4CS119型硅高双绝缘栅场效应晶体管。GB10274-88
本标准是参照GB6219《1GHz、5W以下的单概场效应晶体管空白详细规范》制订的，符合GB4936.1《半导体分立器件总规范》类的要求。中华人民共和国电子工业部1988-04-22批准YYKAONKCa
1989-08-01实施
评定器件质量的根据，GB4936.1《半导体分立器件总规范》
4CS119型详细规范
订货资料：见本规范第章
1机械说明
GB10274—88
外形标准，GB7E81《半导体分立器件外形尺寸》中代号E4-06A
外形图及引出端识别
标志：见本规范第6章。
YYKAONTKa
GB10274--88
2简略说明
N沟道双绝缘栅耗尽型场效应晶体管半导体材料，P型硅
封装：塑料（非空腔）
应用，在VHF频段作高频放大用
注意，装配静电敏感器件应遵守预防措施。3质量评定类别
参考数据，
Pto1=250mW
1Y21s[>25mS
GP>20dB
IDss分档Q：08~7.0mA
R,4.0~10mA
4.极限值（绝对最大额定值）
除非另有规定，Tamb=25℃
条文号
5电特性
环境温度
贮存温度
漏源电压
一期源电压
二栅源电压
漏极电流
沟道温度
耗散功率
检验要求见本规范第8章
祭文号
GB10274--88
除非另有规定，T*mb=25℃
一栅正向漏泄电流
一机反向滑泄电流
二栅正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
一栅源截止电压
二栅源截止电压
VDS-VG#S-0
VDE-VGIS-0
Vps=10V
VDs=10V
VGis-8V
Ve1s=6V
T.=100℃
VG1S=-8V
VGIs-aV
T.=1G0℃
VGzs=8V
VG2s=6V
VG-s=-8V
VGas=-3V
VGzs=4V
VGIS-4V
T.=100℃
T.=25℃C
T.=100℃
ID=100μA
ID=100μA
-YYKAONTKCa
最小值
IGISSF(I)
IGISSF(2)
IGISSR(I)
IGISSR(2)
IGeSSP()
IGSSP(8)
IGaSSR)
IGaSsR(n)
Veis(ott)
VGeS(oTt)
最大值
最小值最大值
检验组别
条文号
漏极电流
正向跨导
噪声系数
功率增益
输入电容
输出电容
反向传输电容
GB10274-88
和条件
除非另有规定，T。mb=25℃
Vps=-10V,VGIs=0,VGas=4V
Vps=10V,Ip=10mA
VG=ss=4V,f-1kHz
Vs=8VIp=8mA
f=200MHz,VG*s-3V
VDs=10V
VG1s-5V
VGa--5V
f=1MHz
源反向截止电流
6标志
6.1器件上的标志
a，简略型号，F2
VGis--5V,VG+s-0,Vs-15V
b。IDss分档（按本规范5.3条）。6.2包装盒上的标志
型号（和简略型号）和质量类别：a.
制造厂名称和代号或商标，
检验批识别代码，
d．Ipss分档，
“防潮”、“防静电”等，
f.其它。
6.3合格证上的标志
型号（和简略型号）和质量类别：b.
制造厂名称和代号或商标，
检验批识别代码
d。Ipgs分档，
e：其它。
7订货资料
a：型号，
b.本规范编号
cIpss分档，
d其它。
YYKAONTKAa
IYeisl
最小值最大值
检验组别
试验条件和检酸要求
GB1027488
在本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1的条文号：测试方法引自GB4936.1第6.1.1条。
全部试验都是非被坏性的。
检验或试验
A1分组
外部目检
A2a分组
不工作器件
一栅源截止电压
二橱源稳止电压
A2b分组
一栅正向漏泄电流
栅反向漏泄电流
二正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
一栅源载止电压
二栅源载止电压
溉极电流
源反向截主电流
A3分组
正向跨导
A4分组
噪声系数
注：1）
VGis(otn)
VGrs(otn)
IGISSF(I)
IGISSR(N)
IGaSSP(1)
IG2ssR(n)
VGistotn
VGes(oTt)
IYaisi
引用标准
T-0741)
T--075
T--071
T—074
T--074
T--072
A组——逐批
除非另有规定
T=25℃
（见GB4936.1第4章）
ID=100μA
VDs-10V,VG-4V
In=100μA
VDS-10V VGI8-4V
VDs-VGas=0VGIs=8V
VDs-Vas-0, VGs--8V
VDs-VGIS-0,VG==8V
Vns-VG1s-0,VG.s--8V
Ip=100μA
VDs-10V,VGIg=-4V
Ip100uA
VDs-10V.VG1s-4V
VGis=o,Vps=10V,VGes=4V
VG1s--5V, VG25-0
VDS-15V
Vos-10V,Ip=10mA
Vazs=4V,f-1kHz
Vps=8V,In-8mA
VG2s3V,f-200MHz
用T—074方法无法判断时，可采用T075方法检验YYKAONYKCa
检验要
最小值最大值
标志清晰，表
面无机械损伤
GB10274--88
B组逐批
只有标明（D）的试验是破坏性的（见3.6.6）条
检验或试验
B1分组
B3分组
引出端强度：
弯曲（D）
B4分组
可焊性
B5分组
温度变化
继之以
交变湿热（D）
最后测试：
一栅源裁止电压
二栅源截止电压
一栅正向漏泄电流
VGis(oIf)
VGes(ot)
IGISSP(1)
一栅反向漏泄电流
IGissR(i)
二栅正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
B8分组
电耐久性
注：1）
IGassPtI)
IGsSSR(1)
引用标准
GB4937，
GB4937
GB4937
GB2423.42
T—074，
1—074
T—071
GB6219,
附录A
除非另有规定Tm=25℃
（见GB4936.1第4章）
方法1
外加力：2.5N
受试引出端数：4
试验b
TA--55C
T=-125℃
循环次数：5次
ti=30min
tg-2~3min
严酷等级：
温度，55℃，周期数6天
恢复条件；正常的试验大气条件VDs=10V,VG2s4V,Ip=100μA
VDs=10V,VGIs=4V,Ip=100μA
VDs=VG2s-0,VG1s-8V
VDs-VG29-0,Ve1s--8V
Vps-VG1s-0, VG1s=8V
VDs-VGis=0,VGas=--8V
工作寿命，t=168h
Pto=250mW
Vpg=12V
VG1s-VG2s=0~6V
《半导体分立器件机械和气候试验方法》。GB4937
检验要
最小值最大值
接本规范第1
无损伤
按GB4937
《电工电子产品基本环境试验规程试验Db：交变湿热试验方法》。YYKAONYKCa
检验或试验
最后测试：
一栅源截止电压
二栅源截止电压
一栅正向漏泄电流
一橱反向漏泄电流
VGis(ot)
VG2S(ofE)
IGISSF(I)
IG1SSB(1)
二栅正向漏泄电流
IGaSSF(1)
二栅反向漏泄电流
IGrssR()
漏极电流免费标准bzxz.net
B9分组
高温贮存
最后测试
同B8分组
CRRL分组
引用标准
T-074,
T—074
T--071
GB4937
GB10274—88
除非另有规定Tmb=25℃
（见GB4936.1第4章）
Vps=10V.VGs4V,Ip=100μA
VDs-10V.Vuis-4V,Ip-100μA
VDs-VGis-0,VGIs-8V
VD-VG#s=0,VG1s-—8V
Vps-Veis=0,VGzs=gV
VDs=VG1S=0,VGaS=--8V
Vs=10V,VG1S-0,VGs=4V
Tst125℃t=168h
同B8分组
就B3、B4、B5、B8和B9分组提供计数检查结果。C组一周期
只有标明（D）的试验是破坏性的（见3.6.6）条
检验或试验
C1分组
C2a分组
输入电容
输出电客
反向传输电容
功率增益
引用标准
T—076
T--084
除非另有规定Tmb=25℃
（见GB4936.1第4章）
Vp=-10V,VGIs=-5V
VGs#-5V,f=IMHz
VDs-10VVGIS--5V
VGs---5V,f=1MHz
Vos 10V, Vaig-5V
VG8--5V,f=IMHz
Vps=8V,Ip-8mA
VG-3V,f-200MHz
YYKAONYKCa
检验要求
最小值最大值
同B8分组
检验要求
最小值最大值
按本规范第1
检验或试验
C2b分组
一榭正向漏泄电流
一橱反向漏泄电流
二栅正向漏泄电流
栅二反向漏泄电流
C3分组
引出端强度：
拉力D）
耐焊接热（D）
最后测试
同B5分组
C7分组
稳态湿热（D）
最后测试
同B5分组
C8分组
电耐久性
最后测试：
（1）同B5分组
IGISSP(2)
IGISSR(2)
IG#SSF<2)
IG+SSR<2)
引用标准
T—071
GB4937,
GB4937,
GB10274-88
除非另有规定Tb=25℃
（见GB4936.1第4章）
VDS=VG1S-0
VG15=6V,Tomb=100℃
VDS=VGrS=0
VG1s=-6V,Taa6-100℃
VDS=Va1S-0
VGs=-6V,T.100℃
VDs-VGIS=0
VG2s--6V T.mb-100℃
拉力：5N
受试引出端数：4
方法1A
同B5分组
严格度1
GB6219,
附录A
VGIS-VG.5--6V
同B5分组
工作寿命t=1000h
Ptot=250mW
VDs-12V
VGI-VG=s=0~6V
同B8分组
YYKAONTKAa
最小值最大值
按GB4937
同B5分组
同B5分组
同B8分组
检验或试验
（2）正向跨导
C9分组
高温贮存(D）
最后测试
同B8分组
C11分组
标志耐久性
CRRL分组
引用标准
GB10274—-88
除非另有规定Tamb=25℃
（见GB4936.1第4章）
VDs10V,Ip=10mA
VGts-4V, f=1kHz
GB4937,
GB-4937,
T...=-125℃
t=1000h
同B8分组
方法2
就C2、C3、C4、C7、C9分组提供计数检查结果；提供C8分组试验前后的计量检查结果。鉴定批准试验
最小值最大值
同B8分组
按GB4937
D组试验除鉴定时必须进行外，每12个月应进行一次，仅为提供资料，不作验收依据。件
检验或试验
电耐久性
最后测试
同C8分组
CRRL分组
附加资料
特性曲线
引用标准
GB6219,
附录A
除非另有规定T..=25℃
（见GB4936.1第4章）
时间：至少2000h，在168h、1000h、2000h测试，其它同B8分组
同C8分组
提供D组试验前后的计量检查结果耗散功率-环境温度曲线（见图1）漏极电流-漏源电压曲线（见图2）功率增益-一栅源电压曲线（见图3）c.
漏极电流一一栅源电压曲线（见图4）：d.
YYKAONYKCa
检验要求
最小值最大值
同C8分组
GB10274-88
漏极电流-二源电压曲线（见图5）：e.
正向传输导纳一橱源电压典线（见图6）g.
噪声系数~一栅源电压曲线（见图了）。goo
环境温度（）
120160206
耗散功率-环境温度曲线
Vos-8V
F=200MHz
VG2S-4V
一栅源电压（V）
图3功率增益-栅源电压曲线
（y）
Ve2ss4V
T25℃
VG1s=0.5V
漏源电压（V）
漏极电流-漏源电压曲线
Vc25-4V
Vesteioy
一翻源电压（V）
图4漏极电流-栅源电压曲线
YYKAONYKa
VeS=4V
GB10274-88
Vos-10v
二栅源电压（V）
(ap）：
漏极电流-二栅源电压曲线
Vps=8V
=200MHz
VG25-1V
一栅源电压（V）
图7噪声系数-栅源电压
附加说明；
本标准由丹东半导体器件总厂起草。Bo
YYKAONYKa
一栅源电压（V）
正向传输导纳—栅源电压
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