【电子行业标准(SJ)】 电子器件详细规范 ４ＣＳ１４２型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)

中华人民共和国国家标准
电子元器件详细规范
4CS142型
硅高频双绝缘栅场效应晶体管
Detail specification for electronic componentHigh frequency silicon dual insulated-gatefield-effect transistor of type 4CS142本标准规定了4CS142型硅高频双绝缘栅场效应晶体管的详细要求。本标准适用于4CS142型硅高频双绝缘栅场效应晶体管。GB10276—88
降为 SJ/T11057-96
本标准是参照GB6219《1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》制订的，符合GB4936.1《半导体分立器件总规范》类的要求。中华人民共和国电子工业部1988-04-22批准TTTKKAca
1989-08-01施
国家标准局
评定器件质量的根据，GB4936.1《半导体分立器件总规范》
4CS142型详细规范
订货资料、见本规范第7章
1机械说明
外形标准：GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中代号E4—06A
外形图及引出端识别：
标志：见本规范第6章。
GB10276--88
YYKAONTKa
GB10276--88
2简略说明
N沟道双绝缘栅耗尽型场效应晶体管半导体材料：P型硅
封装：塑料（非空腔）
应用在UHF频段作高频放大用
注意：装配静电敏感器件应遵守预防措施3质量评定类别
参考数据：
P.c.=250mW
IY215I712S
F≤4.5dB
IDss分档
0.5~4.0mA
Q3.0~18mA
极限值（绝对最大额定值）
除非另有规定，Tm=25℃。
条文号
电特性
检验要求见本规范第8章
条文号
GB10276—88
环境温度
贮存温度
滞源电压
一橱源电压
二栅源电压
漏极电施
沟道温度
散耗功率
特性和条件
除非另有规定，2
Tamb=25℃
一栅正向漏泄电流
一栅反向漏泄电流
二栅正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
VGis&y
VG15=6V
VG15=--8V
VG1S6V
VGas=6V
VG2s-8V
T.=100℃
T.-100℃
T.=100℃
IG1SSF(1)
IGISSF(2)
IGISSE(1)
IGISSR(2)
IGESSF(I)
IG2SSP(2)
IG2SSR(I)
IG28SR(2)
YYKAONKCa
最小值
最小值
最大值
最大值
条文号
6标志
GB10276—88
特性和条件
除非另有规定，T.=25℃
一栅源裁截止电压
二栅源裁止电压
漏极电流
正向跨导
噪声系数
功率增益
VDs-10VVG2s-4V
Vps=-10VVe15=0
I=100μA
Ip=100μA
VDs=10V,VG1S=0,VG2s-4V
Vps= loV,
Va2s4V,
ID=10mA
VDs=gV.Ip=8mA
f-800MHz,Ve#s-gV
输入电容
输出电压
反向传输电容
滑源反向截止电流
8.1器件上的标志
简略型号，F3
Ipss分档（按本规范5.3条）。
包装盒上的标志
Vps=10V
VG1S--5V
VGaS=--5V
f=1MH2
VDS15V
型号（和简略型号）和质量类别：制造厂名称和代号或商标，
检验批识别代码，
Ipss分档，
“防潮”、
“防静电”等”
其它。
合格证上的标志
型号（和简略型号）和质量类别，制造厂名称和代号或商标，
检验批识别代码，
IDss分档，
其它。
7订货资科
YYKAONTKAa
VGistolt)
VG2stoIn)
最小值
最大值
a.型号，
b.本规范编号：
c．IDss分档，
d．其它。
8试验条件和检验要求
GB10276--88
在本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1的条文号，测试方法引自GB4936.1第6.1.1条，
A组一—批逐
全部试验都是非破坏性的。
检验或试验
A1分组
外部目检
A2a分组
不工作器件
一栅源截止电压
二栅源截止电压
A2b分组
一栅正向漏泄电流
一杨反向漏泄电流
二栅正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
一橱源载止电压
二栅源截止电压
漏极电流
漏源反向裁止电流
VGistot)
VGzs(ett)
IGIssF()
IGisSR(I)
IGASSP(1)
IGESSR(1)
Vaistett)
VGes(ott)
引用标准
T—-0741)
T—071
T--074
T—072
除非另有规定T.-25℃
（见GB1936.1第4章）
ID-100μA
Vps-10V,VGts4V
ID=100μA
VDs-10V,VG1S-0
VDs-Vos-0,VisV
VDs=Ves=0,Ve15=-8V
VDs-VG1s-0, VGs-8V
检验要求
最小值最大值
标志清晰，表
面无机械损伤
VDs-=VG19-0.Vo25--8V
Ip=100μA
VDs10V.Vos-4V此内容来自标准下载网
Ip-100μA
VDs10V.Ve1s=0,
VGiso.Vaas4V.Vps1ov
VG1s--5V, Ve2s-0
Vps=15V
注：1）用T—074方法无法判断时，可采用T--075方法检验。5
YYKAONTKAa
检验或试验
A3分组
正向跨导
A4分组
噪声系数
IY21s1
引用标准
T—079
GB1027688
除非另有规定Tamb=25℃
（见GB4936.1第4章）
Vps=10,In=10mA
VG2s-4V,f=1kHz
Vps=8V,Ip=8mA
VG2s=3V,f=800MHz
B组一—逐批
只有标明（D）的试验是破坏性的（见3.6.6）条
检验或试验
B1分组
B3分组
引出端强度：
弯曲（D）
B4分组
可焊性
B5分组
温度变化
继之以
交变湿热（D）
引用标准
GB4937,
GB4937，
GB4937，
GB2423.42)
除非另有规定T。-25℃
（见GB4936.14第）章
方法1
外加力：2.5N
受试引出端数：4
试验b
T-55℃
TB-125C
循环次数，5次
t1=30min
ta=2~3min
严酷等级：
温度55℃，周期数6天，恢复条
件：正常的试验大气条件
注：1）GB4937《半导体分立器件机械和气候试验方法》极
检验要求
最小值最大值
检验要求
最小值最大值
按本规范
第1章
无损伤
按GB4937，
2）GB2423.4《电工电子产品基本环境试验规程试验D：交变湿热试验方法》。YYKAONTKAa
检验或试验
最后测试，
一栅源截止电压
二栅源截止电压
一栅正向漏泄电流
一栅反向漏泄电流
二栅正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
B8分组
电耐久性
最后测试：
一栅源载止电压
二栅源裁止电压
一橱正向漏泄电流
一栅反后漏泄电流
二栅正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
漏极电流
B9分组
高温贮存
最后测试，
同B8分组
CRRL分组
VGis(o1f)
Veastolt)
IGISSP(1)
IGISSR(1)
IGESSRI)
IGESSR(I)
VG1s(o11)
VGes(otf)
IGISSP(I)
IGISSR(1)
IGasSF(I)
IG2SSR(1)
GB10276—88
引用标准
除非另有规定T*=25℃
（见GB4936.1第4章）
VDs- 10V.Vegs-4V.
T-074,T-075
Ip100μA
检验要求
最小值最大值
T-074,T-075Vs=10VVG1s=0,Ip=100μAT-071
T--071
GB6219，
附录A
T-074,T-075
T-074,T-075
T--072
GB4937,3.2
Vps-Vos0, Ve15-8V
Vps-Vcas=e,VG1s=-8V
VDs-Ve1s0, Ve2s-8V
VDs Ve1s0, Vas --8V
工作寿命，t=168h
P250mW
VDs-12V
V15-VG2=06V
VDs= 10V,VGzs=4V.
Ip100HA
Vps= 10V, Veis=0,
ID=100μA
VDs=Ve2s0,VG1s8V
VpsVa2s0, VG1s--8V
Vps=Ve1so,Veas=8V
VDs-Vaiso,VoasgV
Yps=10V,Veis-0V,
VGAS4V
T.to=125℃.t=168h
同B8分组
就B3、B4、B6、B8和B9分组提供计数检查结果YYKAONTKAa
同B8分组
GB10276--88
一周期
只有标明（D）的试验是被坏性的（见3.6.6）条
检验或试验
C1分组
C2a分烟
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
C2b分烟
一栅正向漏泄电流
一橱反向漏泄电流
二栅正向漏泄电流
二栅反向漏泄电流
C3分组
引出端强度：拉力(D)
C4分组
耐焊接热(D)
最后测试，
同B5分组
IGiss(e)
IGISSR(2)
IGeSSF2)
IG#SSR（&)
引用标准
及本规范附录A
T--071
GB4937
GB4937，
除非另有规定Tml=25℃
（见GB4936.1第4章）
Vps10V,Veis-5V
Vass---5V.f-1MHz
Vps=10V,Ve1s=-5V
VG2s--5V.f-1MHz
Vps10V,Veis--5V
Voss--5V.f-1MHz
VDs=8V,ID-8mA
VG18-3V,f=800MHz
Vrs-Vees-0
VG136V,T.a1-100C
Vps-VGas0
VG1s=-6V,T.a=100℃
Vps-VeisD
VG2s=6V,T.m=100℃
VDs-VG1S-0
Ves-6V,Taas=100℃
拉力，5N
受试引出端数，4
方法1A
同B5分组
YYKAONTKAa
检验要求
最小值最大值
按本规范
第1章
按GB4937，
同B5分组
检验或试验
C7分姐
稳态湿热（D）
最后测试：
同B5分组
CB分组
电耐久性
最后测试，
（1）同B8分组
（2）正向跨导
C9分组
高温贮存(D)
最后测试：
同BB分组
C11分组
标志耐久性
CRRL分组
引用标准
GB4937，
GB10276--88
GB6219
附录A
GB4937,3.2
GB 4937,4.2
除非另有规定T.一25℃
（见GB4936.1第4章）
严格度1
Vos=o,VGisVGas--6v
t=198h
同B5分组
工作寿命t=1000h
Pia1-250mW
Vis=12V
VG1g-VG2=0~6V
同B8分组
Vps10V,Ip10mA
VG2s=4V,f=1kHz
t=1000h
同B8分组
方法2
检验要求
最小值最大值
同B5分组
同B8分组
同B8分组
按GB4937，4.2
就C2、C3、C4、C7、C9分组提供计数检查结果，提供C8分组试验前后的计量检查结果。
D组一—监定批准试验
D组试验除鉴定时必须进行外，每12个月应进行次，仅为了提供资料，不作验收依据。9
YYKAONTKa
检验或试验
电耐久性
最后测试
同C8分组
CRRL分距
10附加资料
特性曲线
GB10276-88
引用标准
GB6219,
附录A
除非另有规定，T.25℃
（见GB4936.1第4章）
时间，至少2000h，在168h
1000h，2000h测试，其它同B8
同C8分组
提供D组试验前后的计量检查结果。耗散功率-环境温度曲线（见图1），漏极电流-漏源电压曲线（见图2），正向传输导纳一栅源电压曲线（见图3）漏极电流-一栅源电压曲线（见图4）；d.
功率增益—栅源电压曲线（见图5）噪声系数一栅源电压曲线（见图6）：功率增益一二棚源电压曲线（见图7）。YYKAONTKa
检验要求
最小值大值
同C8分组
（su）
环境温度了
环境温度（）
耗散功率-环境温度曲线
Voslov
faiKHz
一栅源电压（V）
正向传输导纳--栅源电压曲线
BG10276—88
（Y）
VG25-4V
漏源电压（V）
漏极电流-漏源电压曲线
38ps10V
VGI5-AViV
栅源电压（V）
图4漏极电流-一榭源电压曲线
YYKAONKAa
（p）
一栅源电压（V)
=800MHz
T#25℃
功率增益--栅源电压
二栅源电压（V)
Vps=8V
+=800MHz
图7功率增益-二橱源电压
GB10276--88
YYKAONYKa
F=X00MH2
一栅源电压(V)
噪声系数-—概源电压：
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