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【国家标准(GB)】 封装引线间电容和引线负载电容测试方法
本网站 发布时间:
2024-08-03 13:40:55
- GB/T16526-1996
- 现行
标准号:
GB/T 16526-1996
标准名称:
封装引线间电容和引线负载电容测试方法
标准类别:
国家标准(GB)
标准状态:
现行-
发布日期:
1996-09-09 -
实施日期:
1997-05-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
130.56 KB
标准ICS号:
电子学>>31.200集成电路、微电子学中标分类号:
电子元器件与信息技术>>微电路>>L55微电路综合

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标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本标准规定了半导体集成电路封装引线间电容和引线负载电容的测试方法。本标准适用于半导体集成电路陶瓷、金属、塑料封装引线间电容和引线负载电容测量。 GB/T 16526-1996 封装引线间电容和引线负载电容测试方法 GB/T16526-1996

部分标准内容:
GB/T16526--1996
本标准等效采用半导体设备与材料国际组织(SEMI)的国际标准SEMIG24一89&测量封装引线的引线间电容和负载电容》。
本标准可用于集成电路各类封装的引线间电睿和引线负载电容的测量。本标准的第3章是出SEMIG21一89的第3章和第4章合并而成,条款作了相应处理。同时删除了SEMIG24—89中的表1,修正了图2中的错误。本标准由中华人民共和国电子工业部提山。本标准由全润集成电路标雁化分技术委员会归口。本标准起带单位:上海无线电七厂、西安微电子技术研究所。本标准主要起章人:叶曾达.王先春。..com1范围
中华人民共和国国家标准
封装引线间电容和引线负载电容测试方法
Tcst method neasuring the lead-to-lead andluading capacitance of package leadsGB/T16526-1996
本标准规定了半导体集成电路封装引线间电容和引线负载电容的测试方法。本标准造用下半导体集成电路陶瓷、金属,塑料封装引线问电容和引线负载电容测量。2设备和器材
2.1电容仪
采用加屏蔽的两探针法,并配有两根同轴电缆的也容仪,也可采用加屏蔽的四探针法的电容仪,但必须将四根探针在电缆端处改接成两探针。两种方法均要求用于屏蔽连接的绝缘线的线径人于等于1.0mm,除非具体设备分有规定,应保持同轴电缆于最小长度(1m)。电仪的准确度为士2%,量程范为0~100pF。探针屏蔽必须连接准一起,连线长度应尽量想,大约为2.5cm~5cm,2.2探针台
配有两根同轴探针和一根普通探针的微动探针台(推荐使用同轴探针的型号为44-FPC-6000,营通探针型专为OON-FPC-6000)。
3测试程序
3.1测引线问电容
3.1.1置电容仪测试频率选择开关于1MHz,如果电容仪具存电缆长度选择儿关,则调节开关选择适当的同轴电缆长度。
3-1-2将封装上所存最接近待测引线的引线连接任一起。例如对于63线陶瓷针栅阵列封装待测引线周围的8根引线要连接在一起,对于124线陶密针栅阵列封装,待测引线周用的12根引线要连接作--起;对所有的片式封装,待测引线周国的8根引线要连接在:起(见图1)。如架过装中有接电源的平面和(或)大功率电源线,则它们的引线应和上述的8根或12根引线连接在一起。3.1.3把屏蔽探针放在3.1.2所提到的8根或12根引线中任一引线的内引出端,以保证这些引线不影响测量。
3.1.4将两根同轴探针分别置于2个被测线的内引出端上方约3mm处。3.1.5调零程序:如果使用的仪器是自动调举的,则根据仪器说明测量电容。如果使用的不是这类仪器,则必须在仅器调零后取读数。3.1.6将探针垂自放下,胃于被测引线.并读取电容读数。如果使用的是自动调零设备,则这一读数就是要测的电穿值,如果使用的不是白动调零设备,则应将读数减去3.1.5中的读数,即为要测的电容国家技术监督局1996-09-09批准1997-05-01实施
..com值。
电容仪
片式载休
3.1.7如果需要,重复上这租序。GB/T 16526-1996
898880
图!叫线间电容测试示意图
电容仪
针挪阵列
3.2测引线免载电容
3.2.1置电容仪测试频率选择开关下1MIIz,如果电容仪其有电缆长度选择JF关,则调节开关选择适当的同辅电缆长度。
3.2.2将待谢引线(一根)周用的引线选择-定数量将它们连接在一起。例对于68线陶瓷针栅阵列封装待测引线周用的8报引线连接在一起,对于124线灡瓷针栅阵列封装,待测引线周圈的12根引线连接作一起;对所有的片式封装,待测引线周出的8概引线要连接在起(见图2)。如果封装中有接电源的平面和(或)大功率电源母线.赋它们的引线应和!造的8根或12根引线连接在一起。8888
电案议
片式载休
图2引线负载电容测试示意图\
电客仪
针棚阵列
3.2.3不接屏蔽端。将根向辅探针胃于3.2.2中所述的8根或12根引线4任引线的内[出端上方约3mm处。bzxz.net
3.2.4将另一根向轴探针置丁被测引线的内引出端上方约3处。3.2.5调孕程序:如果使用的仪器是白动谢零的,则根据仪器说明书测录电容。如果使用的不是这类仪器,则必须在仪露调零后取读数。3.2.6将探针乘直放下,一根置丁被测引线上,另根置于被测线周围的根引线上并读取电容读数如果使用的是自动调岑设备,则这一读数就是要测的电穿值,如果使用的不是自动调零设备,则应将读数减去3.2.5中的读数,即为要测的电容值。3.2.7如果需要,亚复上述程序。采用说明:
1」原文中有装1用以补充说明3.1.6的内容,因文学表述已很清楚,故册去表1。2]SHMI(24割2中接屏散及引线规接状说有销,木标准已予以改正。
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
本标准等效采用半导体设备与材料国际组织(SEMI)的国际标准SEMIG24一89&测量封装引线的引线间电容和负载电容》。
本标准可用于集成电路各类封装的引线间电睿和引线负载电容的测量。本标准的第3章是出SEMIG21一89的第3章和第4章合并而成,条款作了相应处理。同时删除了SEMIG24—89中的表1,修正了图2中的错误。本标准由中华人民共和国电子工业部提山。本标准由全润集成电路标雁化分技术委员会归口。本标准起带单位:上海无线电七厂、西安微电子技术研究所。本标准主要起章人:叶曾达.王先春。..com1范围
中华人民共和国国家标准
封装引线间电容和引线负载电容测试方法
Tcst method neasuring the lead-to-lead andluading capacitance of package leadsGB/T16526-1996
本标准规定了半导体集成电路封装引线间电容和引线负载电容的测试方法。本标准造用下半导体集成电路陶瓷、金属,塑料封装引线问电容和引线负载电容测量。2设备和器材
2.1电容仪
采用加屏蔽的两探针法,并配有两根同轴电缆的也容仪,也可采用加屏蔽的四探针法的电容仪,但必须将四根探针在电缆端处改接成两探针。两种方法均要求用于屏蔽连接的绝缘线的线径人于等于1.0mm,除非具体设备分有规定,应保持同轴电缆于最小长度(1m)。电仪的准确度为士2%,量程范为0~100pF。探针屏蔽必须连接准一起,连线长度应尽量想,大约为2.5cm~5cm,2.2探针台
配有两根同轴探针和一根普通探针的微动探针台(推荐使用同轴探针的型号为44-FPC-6000,营通探针型专为OON-FPC-6000)。
3测试程序
3.1测引线问电容
3.1.1置电容仪测试频率选择开关于1MHz,如果电容仪具存电缆长度选择儿关,则调节开关选择适当的同轴电缆长度。
3-1-2将封装上所存最接近待测引线的引线连接任一起。例如对于63线陶瓷针栅阵列封装待测引线周围的8根引线要连接在一起,对于124线陶密针栅阵列封装,待测引线周用的12根引线要连接作--起;对所有的片式封装,待测引线周国的8根引线要连接在:起(见图1)。如架过装中有接电源的平面和(或)大功率电源线,则它们的引线应和上述的8根或12根引线连接在一起。3.1.3把屏蔽探针放在3.1.2所提到的8根或12根引线中任一引线的内引出端,以保证这些引线不影响测量。
3.1.4将两根同轴探针分别置于2个被测线的内引出端上方约3mm处。3.1.5调零程序:如果使用的仪器是自动调举的,则根据仪器说明测量电容。如果使用的不是这类仪器,则必须在仅器调零后取读数。3.1.6将探针垂自放下,胃于被测引线.并读取电容读数。如果使用的是自动调零设备,则这一读数就是要测的电穿值,如果使用的不是白动调零设备,则应将读数减去3.1.5中的读数,即为要测的电容国家技术监督局1996-09-09批准1997-05-01实施
..com值。
电容仪
片式载休
3.1.7如果需要,重复上这租序。GB/T 16526-1996
898880
图!叫线间电容测试示意图
电容仪
针挪阵列
3.2测引线免载电容
3.2.1置电容仪测试频率选择开关下1MIIz,如果电容仪其有电缆长度选择JF关,则调节开关选择适当的同辅电缆长度。
3.2.2将待谢引线(一根)周用的引线选择-定数量将它们连接在一起。例对于68线陶瓷针栅阵列封装待测引线周用的8报引线连接在一起,对于124线灡瓷针栅阵列封装,待测引线周圈的12根引线连接作一起;对所有的片式封装,待测引线周出的8概引线要连接在起(见图2)。如果封装中有接电源的平面和(或)大功率电源母线.赋它们的引线应和!造的8根或12根引线连接在一起。8888
电案议
片式载休
图2引线负载电容测试示意图\
电客仪
针棚阵列
3.2.3不接屏蔽端。将根向辅探针胃于3.2.2中所述的8根或12根引线4任引线的内[出端上方约3mm处。bzxz.net
3.2.4将另一根向轴探针置丁被测引线的内引出端上方约3处。3.2.5调孕程序:如果使用的仪器是白动谢零的,则根据仪器说明书测录电容。如果使用的不是这类仪器,则必须在仪露调零后取读数。3.2.6将探针乘直放下,一根置丁被测引线上,另根置于被测线周围的根引线上并读取电容读数如果使用的是自动调岑设备,则这一读数就是要测的电穿值,如果使用的不是自动调零设备,则应将读数减去3.2.5中的读数,即为要测的电容值。3.2.7如果需要,亚复上述程序。采用说明:
1」原文中有装1用以补充说明3.1.6的内容,因文学表述已很清楚,故册去表1。2]SHMI(24割2中接屏散及引线规接状说有销,木标准已予以改正。
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