【国家标准(GB)】 光掩模对准标记规范

GB/T 16524—1996
本标准等效采用SEMI标准微型构图》部分中的SEMIP6—88光掩模对准标记规范》(Specifica-tion for registration marks for photomasks)。本标准与已经转化为我国标准的SEMIP1—92硬面光掩模基板》（GB/T15871-1995）,SEMIP2—86《硬面光掩模用铬薄膜》(GB/T15870—1995)、SEMIP4—92&圆形石英玻璃光掩模基板规范》(GB/T16523—1996),SEMIP3—90硬面感光板中光致抗蚀剂和电子抗蚀剂规范》(GB/T16527—1996），以及将要转化为我国标准的SEM1P21—924掩模曝光系统精确度表示准则》.SEMIP22—93《光掩模缺陷分类和尺寸定义的指南》,SEMIP19—92《用于集成电路制造技术的检测图形单元规范》等项标准形成一个微型构图标准系列。制定本标准将使我国半导体集成电路光掩模对准标记的设计和制造规范化，有利于我国半导体工业生产和科研，便于与国际半导体集成电路制造业接轨，亦有利于国际间工业技术交流。本标准的格式和结构按国标GB/T1.1-1993的规定编制。本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由电了工业部标准化研究所归口。本标准起草单位;中国科学院微电子中心。本标准主要起草人：陈宝钦.陈森佛、陈福山、冯朝斌。..com1范围
中华人民共和国国家标准
光掩模对准标记规范
Specification for registratian marks for pholemasksGB/T 16524-1996
本规范规定了所有光掩模上使用的对准标记的形状、尺寸范围和一般位置。本规范适用于光掩模。
2引用标准
下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。SJ/T10152—91集成电路主要工艺设备术语SJ/T10584--94微电子学光掩蔽技术术语3定义
规范中所用术语的定义按SJ/T10152、SJ/T10584的规定。4要求
4+1一般要求
4.1.1对准标记的完整规范应由电路设计者、掩模制造者和掩模使用者协商确定。4.1-2规范规定制作在光掩模上的一种特定标记，用以确定同一套光掩模内，一块光掩模对另一块光掩模的相对位置精度。
4.1.3对准标记不是预定用十确定光刻机上光掩模在同一晶片上的图像层对任何后续图像层的套准精度。
4.2对准标记的形状及尺寸bzxz.net
4.2.1标记形状应呈十字形，见图1。4.2.2标记中水平线和垂直线交叠处所构成的区域应定为“利用区\。在该区域内设让者、掩模制造者和掩模使用者可以设置任何儿何图形。但“利用区”内所设定的几何图形不得超过交叠区界线，见图2。4.2.3标记水平线和乘直线的宽度（W)应相等。4.2.4标记水平线和垂直线的长度(L)应相等。4.2.5标记水平线，垂直线的宽度和长度可以因投计规则、倍率、工艺要求而变化。表1列出各种类型光掩模的设计尺寸。本条款应符合4.2.3和4.2.4的规定。固家技术监酱局1996-09-09批准1997-05-01实施
..com光掩模类型
主掩模
步进机中问掩模版
步进机中间掩模版
步进机中间挽模版
GB/T16524—1996
图1对准标记的形状
图2利用区
表1适用于所有掩模类型的对准标记尺寸宽度W
注，“窗口”如图3虚线所示范围，长度1
10~-15
40~150
利用区
最小4×4
最大 B×B
最小4×4
最大8×8
最小8×8
最大40×40
最小16×16
最大BX80
最小24×24
最大38×38
晟小24×24
最大38×38
最小48×48
最大190×190
最小96×96
最大380×380
GB/T16524—1996
4.2.6十字形外边所构成的四个象限中的何一个象限均定义为“空区\(窗口)(NoMan'sLand),空白区内不得设置任何儿何图形和标记，如图3所示。空门区
空白区
图3空区
4.2.7对标记形是暗区还是亮区，由使用者规定。4.2.8标记的位置应根据每个实际应用的具体情况确定。空白这
空白区
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