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- YS/T 1160-2016工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法
标准号:
YS/T 1160-2016
标准名称:
工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法
标准类别:
有色金属行业标准(YS)
英文名称:
Silicon powder-quantitative phase analysis—Determination of silicon dioxide content—Value K method of X-ray diffraction标准状态:
现行-
发布日期:
2016-07-11 -
实施日期:
2017-01-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.pdf .zip下载大小:
1.61 MB
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标准ICS号:
电气工程>>29.045半导体材料中标分类号:
冶金>>金属化学分析方法>>H12轻金属及其合金分析方法
部分标准内容:
ICS 29.045 H12
中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T1160—2016
工业硅粉定量相分析
二氧化硅含量的测定
X射线衍射K值法
Silicon powder - quantitative phase analysis - Determination of silicon dioxide content - Value K method of X-ray diffraction
2016-07-11 发布
中华人民共和国工业和信息化部发布
2017-01-01 实施
前言
本标准按照GB/T1.1—2009规则起草,由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。起草单位包括昆明冶金研究院、广州有色金属研究院、国家有色金属及电子材料分析测试中心、云南永昌硅业股份有限公司及通标标准技术服务有限公司。主要起草人包括李和平、胡耀东、袁威、金自钦、高珺、杨林、张晶、王书明、李扬、王钟颖、王建波。
1 范围
本标准规定工业硅粉中二氧化硅含量的测定方法,适用于工业硅粉中二氧化硅含量的测定,测定范围为≥1%。
2 规范性引用文件
下列文件对本标准的应用必不可少。注日期的引用文件仅适用该版本,不注日期的引用文件,其最新版本(含所有修改单)适用本标准。数值修约规则与极限数值的表示和判定参见 GB/T 8170。
3 方法原理
当X射线照射晶体物质时,会产生衍射,每种晶体物质都有特定的衍射特征。在一定条件下,混合物质中某物质的衍射强度与含量成正比。测量衍射线强度,并与已知含量的参考物质衍射强度进行比较,可对被测物质进行定量分析。
4 试剂与材料
4.1 无水乙醇,分析纯
4.2 参考物质 α-Al2O3,分析纯
4.3 SiO2,分析纯
4.4 毛玻璃,厚度0.1 mm,面积不小于8 cm × 8 cm
5 仪器与设备
5.1 X射线衍射仪
5.2 分析天平,感量0.1 mg
5.3 玛瑙研钵
5.4 样品框架
6 样品制取
α-Al2O3、SiO2与试样应能通过0.0374 mm标准筛。
7 分析步骤免费标准bzxz.net
7.1 试样制备
7.1.1 称量:取α-Al2O3 1 g(两份)、纯SiO2 1 g、工业硅粉 1 g,精确至0.1 g。
7.1.2 制备方法:衍射试样厚度不小于0.2 cm,X射线照射区域不超出试样表面。将样品框架放在毛玻璃上,倒入研磨好的试样,用压片垂直压紧成型,再翻转180°,接触毛玻璃面作为测试面。
7.1.3 参考试样:将1 g α-Al2O3 与1 g 纯SiO2混合,在玛瑙乳钵中加入无水乙醇研磨20 min,混合均匀,按7.1.2步骤制备参考试样。当α-Al2O3与SiO2衍射线累积强度较大时,可调整配比以增强弱衍射线强度。
7.1.4 待测试样:将1 g α-Al2O3 与1 g 工业硅粉混合,加无水乙醇研磨20 min,按7.1.2步骤制备待测试样。
7.2 试验条件
仪器条件应满足表1要求:
表1 试验条件及参数
靶材: CuKα
光管电流: 35~40 mA
光管电压: 30~40 kV
计数器: 闪烁计数器或矩阵探测器
发散狭缝: 0.51°
接收狭缝: 0.3 mm
衍射晶面选择及扫描参数参照表1
衍射线应选择无干扰、不重叠线,参考试样与待测试样分别测量α-Al2O3的(113)、(104)晶面,SiO2晶面依据衍射峰强度选择(100)、(101)、(112)晶面,峰高应大于背底波动幅度4倍,峰高宜为半高宽4倍。
7.4 测定
7.4.1 参考试样择优取向测定:将α-Al2O3和纯SiO2衍射强度与JCPDS标准卡片校对(卡片号10-0173, 33-1161),检查择优取向。择优取向不严重时,按附录A修正衍射线累积强度,数值保留两位小数,修约按GB/T8170规定;若择优取向严重,则重新制备试样。
7.4.2 参考试样K值测定:每个参考试样至少重复制样三次,测定参考试样中二氧化硅含量的衍射强度并计算K值。
中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T1160—2016
工业硅粉定量相分析
二氧化硅含量的测定
X射线衍射K值法
Silicon powder - quantitative phase analysis - Determination of silicon dioxide content - Value K method of X-ray diffraction
2016-07-11 发布
中华人民共和国工业和信息化部发布
2017-01-01 实施
前言
本标准按照GB/T1.1—2009规则起草,由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。起草单位包括昆明冶金研究院、广州有色金属研究院、国家有色金属及电子材料分析测试中心、云南永昌硅业股份有限公司及通标标准技术服务有限公司。主要起草人包括李和平、胡耀东、袁威、金自钦、高珺、杨林、张晶、王书明、李扬、王钟颖、王建波。
1 范围
本标准规定工业硅粉中二氧化硅含量的测定方法,适用于工业硅粉中二氧化硅含量的测定,测定范围为≥1%。
2 规范性引用文件
下列文件对本标准的应用必不可少。注日期的引用文件仅适用该版本,不注日期的引用文件,其最新版本(含所有修改单)适用本标准。数值修约规则与极限数值的表示和判定参见 GB/T 8170。
3 方法原理
当X射线照射晶体物质时,会产生衍射,每种晶体物质都有特定的衍射特征。在一定条件下,混合物质中某物质的衍射强度与含量成正比。测量衍射线强度,并与已知含量的参考物质衍射强度进行比较,可对被测物质进行定量分析。
4 试剂与材料
4.1 无水乙醇,分析纯
4.2 参考物质 α-Al2O3,分析纯
4.3 SiO2,分析纯
4.4 毛玻璃,厚度0.1 mm,面积不小于8 cm × 8 cm
5 仪器与设备
5.1 X射线衍射仪
5.2 分析天平,感量0.1 mg
5.3 玛瑙研钵
5.4 样品框架
6 样品制取
α-Al2O3、SiO2与试样应能通过0.0374 mm标准筛。
7 分析步骤免费标准bzxz.net
7.1 试样制备
7.1.1 称量:取α-Al2O3 1 g(两份)、纯SiO2 1 g、工业硅粉 1 g,精确至0.1 g。
7.1.2 制备方法:衍射试样厚度不小于0.2 cm,X射线照射区域不超出试样表面。将样品框架放在毛玻璃上,倒入研磨好的试样,用压片垂直压紧成型,再翻转180°,接触毛玻璃面作为测试面。
7.1.3 参考试样:将1 g α-Al2O3 与1 g 纯SiO2混合,在玛瑙乳钵中加入无水乙醇研磨20 min,混合均匀,按7.1.2步骤制备参考试样。当α-Al2O3与SiO2衍射线累积强度较大时,可调整配比以增强弱衍射线强度。
7.1.4 待测试样:将1 g α-Al2O3 与1 g 工业硅粉混合,加无水乙醇研磨20 min,按7.1.2步骤制备待测试样。
7.2 试验条件
仪器条件应满足表1要求:
表1 试验条件及参数
靶材: CuKα
光管电流: 35~40 mA
光管电压: 30~40 kV
计数器: 闪烁计数器或矩阵探测器
发散狭缝: 0.51°
接收狭缝: 0.3 mm
衍射晶面选择及扫描参数参照表1
衍射线应选择无干扰、不重叠线,参考试样与待测试样分别测量α-Al2O3的(113)、(104)晶面,SiO2晶面依据衍射峰强度选择(100)、(101)、(112)晶面,峰高应大于背底波动幅度4倍,峰高宜为半高宽4倍。
7.4 测定
7.4.1 参考试样择优取向测定:将α-Al2O3和纯SiO2衍射强度与JCPDS标准卡片校对(卡片号10-0173, 33-1161),检查择优取向。择优取向不严重时,按附录A修正衍射线累积强度,数值保留两位小数,修约按GB/T8170规定;若择优取向严重,则重新制备试样。
7.4.2 参考试样K值测定:每个参考试样至少重复制样三次,测定参考试样中二氧化硅含量的衍射强度并计算K值。
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