【其他行业标准】 再生硅料分类和技术条件

ICS 77.150.99 H 68 YS/T 840—2012 中华人民共和国有色金属行业标准 再生硅料分类和技术条件 Classification and technical specification for renewable crystal silicon 发布：2012-11-07 实施：2013-03-01 中华人民共和国工业和信息化部 前言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。 本标准起草单位：西安隆基硅材料股份有限公司。 主要起草人：李振国、钟宝申、赵可武等。 本标准为首次发布。 1 范围 本标准规定了再生硅料的技术条件及分类、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存和订货单等内容。 本标准适用于生产、加工和使用过程中产生的可回收硅料，包括用于太阳能级硅晶体生产的碳极多晶硅（碳头料）、晶体硅头尾料、边皮料、埚底料、晶体硅样块及原生型废硅片等。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡注日期的引用文件，仅注日期版本适用；凡不注日期的引用文件，其最新版本（包括修改单）适用。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法 GB/T 24579 酸浸取原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物 GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量 GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法测定多晶硅表面金属杂质 SEMI PV1 用高分辨率辉光放电光谱测定太阳能级硅痕量元素 3 术语和定义 GB/T 14264界定的术语及以下定义适用于本文件。 3.1 碳极多晶硅（碳头料） 在多晶硅生产过程中，包围在U型多晶硅棒碳极周围，沾连石墨的不规则多晶硅料。 3.2 单晶硅头尾料 在拉制单晶硅棒过程中形成的头尾圆锥体，也包括拉制失败形成的多晶硅棒及位错单晶。 3.3 埚底料 在拉制单晶硅棒过程中残留在石英坩埚中的硅料。 3.4 晶体硅样块 用于晶体硅棒检测和评估的测试样块。 3.5 原生型废硅片 在硅棒切割、研磨或抛光过程中产生的不合格硅片。 4 要求 4.1 技术条件及分类 再生硅料可按电阻率或杂质浓度分档，由供需双方协商确定。每一档产品需同时满足本档要求，若指标超出则降档处理。 按电阻率分档及相关参数见表1，按杂质浓度分档及相关参数见表2。 4.2 尺寸范围 再生硅料线性尺寸不小于3 mm。 4.3 外观特征 再生硅料外观应无色斑、氧化层及其他污染物。 5 测试方法 5.1 再生硅料中碳浓度测量按GB/T 1558规定进行。