【GB国家标准】 集成电路用高纯铜合金靶材

GB/T 39159-2020.High purity copper alloy target for integrated circuit.
1范围
GB/T 39159规定了集成电路用高纯铜合金靶材(以下简称靶材)的分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
GB/T 39159适用于集成电路制造用的高纯铜铝(CuAl)合金靶材和高纯铜锰(CuMn)合金靶材。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 8170数值修约规则与极限数值的表示和判定
GB/T 8651金 属板材超声板波探伤方法
GB/T 14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则
GB/T 36165金属平均晶粒度的测定电子背散射衍射(EBSD)法
YS/T 347铜及铜合金 平均晶粒度测定 方法
YS/T 482铜及铜合金分析方法 光电 发射光谱法
YS/T 837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法
YS/T 922高纯铜化学分析方法 痕量杂质元素 含量的测定辉 光放电质谱法
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
靶材 target
在溅射沉积技术中的阴极部分。该阴极材料在带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在阳极表面沉积。
3.2
靶坯 target blank
阴极上用作溅射材料的材料。
3.3
背板 backing plate
用来支撑或固定靶材的材料。
注:靶坯与背板可以通过焊接(如钎焊、电子束焊、扩散焊等)、机械复合、粘接等方式连接。
3.4
表面粗糙度 surface roughness
Ra
加工表面具有的较小间距和微小峰谷的不平度。轮廓的平均算术偏差值Ra,即在一定测量长度l范围内,轮廓上各点至中线距离y绝对值的平均算术偏差。