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【机械行业标准(JB)】 低压绝缘子瓷件技术条件
本网站 发布时间:
2024-11-03 14:55:44
- JB/T10583-2006
- 现行
标准号:
JB/T 10583-2006
标准名称:
低压绝缘子瓷件技术条件
标准类别:
机械行业标准(JB)
标准状态:
现行-
发布日期:
2006-07-27 -
实施日期:
2006-10-11 出版语种:
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5.44 MB
替代情况:
原标准号GB/T 773-1993

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标准简介:
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本标准规定了低压绝缘子瓷件的技术要求、试验、包装和标志的一般要求。 本标准适用于直流电压低于1000V的或交流电压低于1000V、频率不超过100Hz的架空电力线路、电气装置和设备上使用的绝缘子瓷件。 本标准不适用于在有破坏瓷及轴的介质(气体货液体)中工作的瓷件。 JB/T 10583-2006 低压绝缘子瓷件技术条件 JB/T10583-2006

部分标准内容:
ICS29.080.10
备案号:208382007
中华人民共和国机械行业标准
JB/T 10583-—2006
低压绝缘子瓷件技术条件
Technical specifications of porcelain element for low voltage insulators2006-07-27发布
2006-10-11实施
中华人民共和国国家发展和改革委员会发布前言。
2规范性引用文件
3术语和定义.
4材料和工艺,
5技术要求.
5.1尺寸偏差,
形位偏差.
瓷件的外观质量
5.4干法成形瓷件的吸水率
湿法成形瓷件的孔隙性
温度循环试验要求
干法成形低压电器瓷件的电气和机械性能试验要求6试验方法
外观检查。
尺寸检查,
形位公差检查,
温度循环试验,
孔隙性试验..
吸水率试验
工频耐受电压试验
绝缘电阻测量
6.9冲击弯曲强度试验
6.10打击试验
7试验分类和项目
7.1试验分类..
逐个试验.…
抽样试验.
7.4型式试验,
8包装与标志.
表!干法成形瓷件的尺寸偏差
表2湿法成形瓷件的尺寸偏差
瓷件端面的平行度公差..
瓷件安装支承面的平面度公差
瓷件表面缺陷最大允许值,
1min工频试验电压.
瓷件逐个试验项目..
批量与样本容量字码
JB/T10583—2006
JB/T10583-2006
表9抽样方案,
表10抽样试验项目
表11型式试验项目
0000000000000000000
本标准由GB/T773一1993《低压绝缘子瓷件技术条件》调整为机械行业标准。本标准由中国机械工业联合会提出。本标准由全国绝缘子标准化技术委员会(SAC/TC80)归口。本标准起草单位:西安电瓷研究所。本标准主要起草人:李大楠、刘树横、王云鹏。本标准为首次发布。
JB/T10583—2006
1范围
低压绝缘子瓷件技术条件
本标准规定了低压绝缘子瓷件的技术要求、试验、包装和标志的一般要求。JB/T10583--2006
本标准适用于直流电压低于1000V的或交流电压低于1000V、频率不超过100Hz的架空电力线路、电气装置和设备上使用的绝缘子瓷件。本标准不适用于在有破坏瓷及釉的介质(气体或液体)中工作的瓷件。2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。GB/T191—2000包装储运图示标志(eqvISO780:1997)GB/T1001.1一2003标称电压高于1000V的架空线路绝缘子第1部分:交流系统用瓷或玻璃绝缘子元件定义、试验方法和判定准则(EC60383-1:1993,MOD)GB/T1182--1996形状和位置公差通则、定义、符号和图样表示法(eqvISO1101:1996)GB/T2900.8—1995电工术语绝缘子GB/T16927.1--1997高电压试验技术第一部分:一般试验要求(eqvEC60060-1:1989)JB/T3384—1999高压绝缘子抽样方案JB/T5896—1991常用绝缘子术语IEC60672-1:1995陶瓷和玻璃绝缘材料第1部分:定义和分类3术语和定义
GB/T2900.8、JB/T5896和GB/T1182中确立的以及下列术语和定义适用于本标准。3.1
斑点freckles
熔化在瓷件表面上的杂物(如铁质、石膏等)所形成的异色斑点。3.2
杂质inclusions
粘附在瓷件表面上的钵屑、砂粒、石英粉等颗粒。3.3
烧缺imperfection
坏体内杂物烧去后所形成深人瓷件上的凹陷。3.4
气泡bubbles
因杂物分解在瓷体表面所形成的泡。3.5
粘釉glazestick
在熔烧时,由于瓷件相互之间或与外物粘连而损坏釉面或瓷体的缺陷。3.6
碰损chippings
JB/T10583—2006
坏件或瓷件相互之间或与外物相碰击而伤及釉面或瓷体的缺陷。3.7
缺釉spotswithoutglaze
瓷件规定应上釉的表面上露出的瓷件无釉部分,3.8
釉面针孔pinholesintheglaze
瓷件釉面上呈现的不深入瓷体的、直径在1mm以下的小孔。3.9
堆釉stackedglaze
高出正常釉面的积釉部分。
折痕folds
坏泥折叠在坏件表面上面而未开裂的痕迹。3.11
刀痕scratches
由于坏件加工不当,在表面上造成的细条痕迹。3.12
波纹waviness
由于坏件加工不当,在表面上造成的不平痕迹。4材料和工艺
低压绝缘子瓷件按材料和工艺可分为以下两类:符合EC60672-1:1995的C100硅质瓷,湿法成形制造;符合EC60672-1:1995的C111硅质瓷干法成形制造。
5技术要求
5.1尺寸偏差
5.1.1干法成形瓷件的尺寸偏差
除另有规定,干法成形瓷件的尺寸偏差应符合表1的规定。表1于法成形瓷件的尺寸偏差
61018305080120180主要尺寸
注1:表中的“d”指被测部位的尺寸Ⅱ级
允许偏差
非主要尺寸
注2:表中的“主要尺寸”指影响瓷件装配、连接或电气性能部位的尺寸。注3:若未作规定,允许偏差可按等级II规定。瓷件非主要尺寸的偏差等级一般与主要尺寸的偏差等级相同。2
JB/T10583--2006
瓷件爬电距离的负偏差,不应超过表1中非主要尺寸栏规定的下偏差值,对上偏差值不作规定。湿法成形瓷件的尺寸偏差
除另有规定,湿法成形瓷件的尺寸偏差应符合表2的规定。表2湿法成形瓷件的尺寸偏差
d≤18免费标准bzxz.net
183040d≤50
506580100140180注1:表中的“d”指被测部位的尺寸。主要尺寸
允许偏差
非主要尺寸
注2:表中的“主要尺寸”指影响瓷件装配、连接或电气性能部位的尺寸。±2.0
注3:若未作规定,允许偏差可按等级II规定。瓷件非主要尺寸的偏差等级一般与主要尺寸的偏差等级相同。瓷件爬电距离的负偏差,不应超过表1中非主要尺寸栏规定的下偏差值,对上偏差值不作规定。5.2形位偏差
5.2.1平行度
瓷件两平行平面(两装安装面或安装平面与端面)的平行度公差应符合表3的规定。表3瓷件端面的平行度公差
瓷件端面尺寸(长、宽、
直径的最大者)
D≤30
3065干法成形瓷件
注:若未作规定,平行度公差可按等级ⅡI规定。平面度
ⅡI级
瓷件安装支承面的平面度公差应符合表4的规定。平行度公差
湿法成形瓷件
JB/T10583—2006
安装支承面尺寸
B≤30
3065表4瓷件安装支承面的平面度公差平面度公差
干法成形瓷件
注:若未作规定,平面度公差可按等级II规定。5.2.3直线度
管(或棒)型瓷件的轴直线度公差不应超过瓷件高度(或长度)的1%。5.2.4圆度
5.2.4.1干法成形瓷件的圆度公差不应超过如下规定:湿法成形瓷件
ⅡI级
a)当尺寸偏差选定为表1主要尺寸等级I的瓷件,其圆度公差不应超过该表主要尺寸栏中等级I规定的上(或下)极限偏差的绝对值、b)当尺寸偏差选定为表1主要尺寸IⅡI等级的瓷件,其圆度公差不应超过该表非主要尺寸栏中等级I规定的上(或下)极限偏差的绝对值。c)若未规定偏差等级时,则按表1非主要尺寸栏中等级I的上(或下)极限偏差的规定。5.2.4.2湿法成形瓷件不应超过(0.01d十2.5)mm(d为直径,单位为mm)。5.2.5同轴度
瓷件的同轴度公差规定如下:
a)干法成形瓷件不应超过表1主要尺寸栏中等级I或等级Ⅱ规定的上(或下)极限偏差的绝对值。其尺寸按大圆直径确定。
若未规定偏差等级时,则按等级Ⅱ的规定。b)湿法成形瓷件应不超过表2主要尺寸栏中等级I或非主要尺寸栏规定的上(或下)极限偏差的绝对值。尺寸按大圆直径确定。若未规定偏差等级时,则按非主要尺寸栏的规定。5.3瓷件的外观质量
5.3.1瓷件应在规定的部位均匀地上一层光滑、发亮并坚硬的釉,釉面应无裂纹和影响其良好运行性能的其他缺陷。釉不应有显著的色调不均现象,但因釉较薄而颜色较浅是允许的,例如在半径较小的边缘部位的釉面。
5.3.2瓷件表面缺陷不应超过表5的规定,且不应影响瓷件的安装和连接。5.3.3堆釉、折痕、压痕的高度或深度不应超过表5的规定,刀痕和波纹的深度不应超过0.5mm,这些缺陷不计算在表5缺陷总面积内。5.3.4 瓷件的釉面针孔不应超过(瓷件总面积 (mm)×3) 个。100
5.3.5瓷件焙烧支承部位不上釉面不算作缺陷,但其不上釉高度不应超过3mm。5.3.6瓷件螺纹缺牙长度不应超过瓷螺纹总长的10%,且不应影响其配合。5.3.7瓷件重要部位表面单个缺陷面积应不超过表5规定的单个缺陷面积的0.8倍。注:瓷件的重要部位应在图样上注明。5.4干法成形瓷件的吸水率
干法成形瓷件的吸水率不应超过0.8%。4
瓷件类别
湿法成形
千法成形
通信绝缘子瓷件
其他瓷件
LXB≤1500
1500500010000表5瓷件表面缺陷最大允许值
不允许
总长度
总面积
斑点、杂质、
烧缺等直径
JB/T10583—2006
其他缺陷
粘釉或
碰损面积
深度或
总面积
注1:表中L×B值指瓷件在投影面投影的两个最大的外形尺寸,长度(或高度)与宽度(或直径)的乘积。对于T形瓷件以实际投影面积作为LXB值。注2:干法成形瓷件因脱模或其他原因而引起的孔口缺损,按碰损处理。注3:瓷件表面缺陷堆聚相连(例如两个斑点连在一起)应作单个缺陷处理。“干法成形瓷件的开裂,除应符合表中规定外,且不应有影响电气机械性能的贯穿瓷体的开裂。湿法成形瓷件的孔隙性
湿法成形瓷件的剖面应均质致密,经孔隙性试验后不应有任何渗透现象。温度循环试验要求
瓷件应能耐受三次冷热温差为70K的温度循环试验而不损坏。瓷件在冷水和热水中停留时间均为15min。
5.7干法成形低压电器瓷件的电气和机械性能试验要求5.7.1干法成形的低压电器瓷件,应能耐受表6规定的工频试验电压1min而不击穿或闪络。表61min工频试验电压
瓷件额定电压U,
U,≤220
220660U,>800
5.7.2干法成形的低压电器瓷件,其绝缘电阻不应小于20MQ2。5.7.3干法成形的低压电器瓷件,其机械强度应符合如下规定:a)试样的冲击弯曲强度不低于1.3kJ/m2;试验电压(有效值)不小于
b)瓷件的打击试验的强度和次数由产品标准规定或供需双方协议。6试验方法
6.1外观检查
外观检查以目力观察方法进行,必要时使用量具,如瓷件表面有细小气泡或颜色不均而不能判断绝缘体是否良好时,应选出具有上述缺陷的代表性产品进行剖面检查或作孔隙性试验,如剖面检查发现瓷质不致密(有大量气孔)或有渗透现象时,则瓷件不合格。6.2尺寸检查
检查时应采用游标卡尺、直尺等标准量具或特制量具进行测量。5
JB/T10583-2006
6.3形位公差检查
6.3.1平行度
测量时,将试品直立安装在旋转平台中心,平台表面与旋转轴线应垂直(见图1)。顶端端面上用合适的方法将一块厚度(不小于15mm)均匀的圆板同心地固定在试品上,旋转平台一周,用千分表测量圆板上直径为100mm处表面至支架横梁间的距离(即图1中A的距离),计算其最大值与最小值之差即为端面平行度公差。
也可将瓷件(包括瓷套或瓷板类)置于平台中心,直接测量瓷件上端表面至支架横梁间的距离。注:如产品标准未注明测量部位尺寸时,在产品上的实际测量值应换算为Φ100mm处的数值。参照直径
6.3.2平面度
测量时,用刀口尺或直尺与被测试品表面直接接触,并使两者之间的最大间隙为最小,用塞尺(厚薄规)测量最大间隙,在表面上各点测量中的最大间隙(t)为试品表面的平面度公差,如图2所示。直尺
6.3.3圆度
检查时,测量垂直于轴线的同一截面上任意两个直径方向的最大直径与最小直径,其差值的一半作为圆度公差测量的近似值。
6.3.4同轴度
使用与6.3.1相同的安装方法(见图1)。当瓷件在平台上转动一周时用千分表读取圆板外缘处与支架与支柱间的距离(即图1中B的距离),其最大值与最小值之差的一半即为同轴度公差。6
JB/T10583—2006
也可将(例如有加工圆柱面的)瓷件置于平台中心,当瓷件在平台上转动一周时直接用千分表测量瓷件与支架横梁间的距离。
6.4温度循环试验
试验程序按GB/T1001.1一2003中第24章的规定。6.5孔隙性试验
试验程序按GB/T1001.12003中第26章的规定。6.6吸水率试验
6.6.1试品
试品应是从瓷件上敲下来的小块,其重量为30g~50g,或是小型瓷件的整个瓷件的部分(应有断裂面),试块的上釉面(包括焙烧支承面)一般不应超过试块表面积的30%,表面应于净无油污,且无敲击瓷件形成的可见裂纹。
6.6.2试验程序
试验时,将试块全部浸人盛有洁净的蒸馏水的容器内,并使水面高于瓷块上表面50mm,试块在水中停留24h。在前4h,水应保持沸腾,水由冷至沸腾的时间不应超过30min(此时间包括在4h内)。从第5h开始冷却,到第24h末取出试块。然后用拧干的湿纱布(或滤纸)吸去试块表面的水分,并立即称量(为保持试块湿度,可将其置于玻璃器皿中)。然后在110℃土5℃的温度下干燥至恒重。称量前,试块应放在干燥器内冷却至周围空气温度。称量准确度为0.001g。6.6.3试验结果计算
瓷件的吸水率,按下式计算:
吸水率==m2×100%
式中:
ml—试块干燥前的重量,单位为g:m2试块干燥后的重量,单位为g。吸水率计算准确到小数点后两位数字。瓷件吸水率以各试块吸水率的算术平均值计算。6.7工频耐受电压试验
6.7.1试验的一般条件
试验的大气条件和试验电压应符合GB/T16927.1的规定。6.7.2试验设备与装置
试验用变压器的容量应不小于0.5kVA。试验用试验箱(或者恒湿箱)的容积应不小于瓷件连同座台所占容积的三倍,试验装置如图3所示。-瓷件:2-
箱盖:3-
金属网座:4
绝缘套管;5—
净水;6——水封。
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备案号:208382007
中华人民共和国机械行业标准
JB/T 10583-—2006
低压绝缘子瓷件技术条件
Technical specifications of porcelain element for low voltage insulators2006-07-27发布
2006-10-11实施
中华人民共和国国家发展和改革委员会发布前言。
2规范性引用文件
3术语和定义.
4材料和工艺,
5技术要求.
5.1尺寸偏差,
形位偏差.
瓷件的外观质量
5.4干法成形瓷件的吸水率
湿法成形瓷件的孔隙性
温度循环试验要求
干法成形低压电器瓷件的电气和机械性能试验要求6试验方法
外观检查。
尺寸检查,
形位公差检查,
温度循环试验,
孔隙性试验..
吸水率试验
工频耐受电压试验
绝缘电阻测量
6.9冲击弯曲强度试验
6.10打击试验
7试验分类和项目
7.1试验分类..
逐个试验.…
抽样试验.
7.4型式试验,
8包装与标志.
表!干法成形瓷件的尺寸偏差
表2湿法成形瓷件的尺寸偏差
瓷件端面的平行度公差..
瓷件安装支承面的平面度公差
瓷件表面缺陷最大允许值,
1min工频试验电压.
瓷件逐个试验项目..
批量与样本容量字码
JB/T10583—2006
JB/T10583-2006
表9抽样方案,
表10抽样试验项目
表11型式试验项目
0000000000000000000
本标准由GB/T773一1993《低压绝缘子瓷件技术条件》调整为机械行业标准。本标准由中国机械工业联合会提出。本标准由全国绝缘子标准化技术委员会(SAC/TC80)归口。本标准起草单位:西安电瓷研究所。本标准主要起草人:李大楠、刘树横、王云鹏。本标准为首次发布。
JB/T10583—2006
1范围
低压绝缘子瓷件技术条件
本标准规定了低压绝缘子瓷件的技术要求、试验、包装和标志的一般要求。JB/T10583--2006
本标准适用于直流电压低于1000V的或交流电压低于1000V、频率不超过100Hz的架空电力线路、电气装置和设备上使用的绝缘子瓷件。本标准不适用于在有破坏瓷及釉的介质(气体或液体)中工作的瓷件。2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。GB/T191—2000包装储运图示标志(eqvISO780:1997)GB/T1001.1一2003标称电压高于1000V的架空线路绝缘子第1部分:交流系统用瓷或玻璃绝缘子元件定义、试验方法和判定准则(EC60383-1:1993,MOD)GB/T1182--1996形状和位置公差通则、定义、符号和图样表示法(eqvISO1101:1996)GB/T2900.8—1995电工术语绝缘子GB/T16927.1--1997高电压试验技术第一部分:一般试验要求(eqvEC60060-1:1989)JB/T3384—1999高压绝缘子抽样方案JB/T5896—1991常用绝缘子术语IEC60672-1:1995陶瓷和玻璃绝缘材料第1部分:定义和分类3术语和定义
GB/T2900.8、JB/T5896和GB/T1182中确立的以及下列术语和定义适用于本标准。3.1
斑点freckles
熔化在瓷件表面上的杂物(如铁质、石膏等)所形成的异色斑点。3.2
杂质inclusions
粘附在瓷件表面上的钵屑、砂粒、石英粉等颗粒。3.3
烧缺imperfection
坏体内杂物烧去后所形成深人瓷件上的凹陷。3.4
气泡bubbles
因杂物分解在瓷体表面所形成的泡。3.5
粘釉glazestick
在熔烧时,由于瓷件相互之间或与外物粘连而损坏釉面或瓷体的缺陷。3.6
碰损chippings
JB/T10583—2006
坏件或瓷件相互之间或与外物相碰击而伤及釉面或瓷体的缺陷。3.7
缺釉spotswithoutglaze
瓷件规定应上釉的表面上露出的瓷件无釉部分,3.8
釉面针孔pinholesintheglaze
瓷件釉面上呈现的不深入瓷体的、直径在1mm以下的小孔。3.9
堆釉stackedglaze
高出正常釉面的积釉部分。
折痕folds
坏泥折叠在坏件表面上面而未开裂的痕迹。3.11
刀痕scratches
由于坏件加工不当,在表面上造成的细条痕迹。3.12
波纹waviness
由于坏件加工不当,在表面上造成的不平痕迹。4材料和工艺
低压绝缘子瓷件按材料和工艺可分为以下两类:符合EC60672-1:1995的C100硅质瓷,湿法成形制造;符合EC60672-1:1995的C111硅质瓷干法成形制造。
5技术要求
5.1尺寸偏差
5.1.1干法成形瓷件的尺寸偏差
除另有规定,干法成形瓷件的尺寸偏差应符合表1的规定。表1于法成形瓷件的尺寸偏差
6
注1:表中的“d”指被测部位的尺寸Ⅱ级
允许偏差
非主要尺寸
注2:表中的“主要尺寸”指影响瓷件装配、连接或电气性能部位的尺寸。注3:若未作规定,允许偏差可按等级II规定。瓷件非主要尺寸的偏差等级一般与主要尺寸的偏差等级相同。2
JB/T10583--2006
瓷件爬电距离的负偏差,不应超过表1中非主要尺寸栏规定的下偏差值,对上偏差值不作规定。湿法成形瓷件的尺寸偏差
除另有规定,湿法成形瓷件的尺寸偏差应符合表2的规定。表2湿法成形瓷件的尺寸偏差
d≤18免费标准bzxz.net
18
50
允许偏差
非主要尺寸
注2:表中的“主要尺寸”指影响瓷件装配、连接或电气性能部位的尺寸。±2.0
注3:若未作规定,允许偏差可按等级II规定。瓷件非主要尺寸的偏差等级一般与主要尺寸的偏差等级相同。瓷件爬电距离的负偏差,不应超过表1中非主要尺寸栏规定的下偏差值,对上偏差值不作规定。5.2形位偏差
5.2.1平行度
瓷件两平行平面(两装安装面或安装平面与端面)的平行度公差应符合表3的规定。表3瓷件端面的平行度公差
瓷件端面尺寸(长、宽、
直径的最大者)
D≤30
30
注:若未作规定,平行度公差可按等级ⅡI规定。平面度
ⅡI级
瓷件安装支承面的平面度公差应符合表4的规定。平行度公差
湿法成形瓷件
JB/T10583—2006
安装支承面尺寸
B≤30
3065表4瓷件安装支承面的平面度公差平面度公差
干法成形瓷件
注:若未作规定,平面度公差可按等级II规定。5.2.3直线度
管(或棒)型瓷件的轴直线度公差不应超过瓷件高度(或长度)的1%。5.2.4圆度
5.2.4.1干法成形瓷件的圆度公差不应超过如下规定:湿法成形瓷件
ⅡI级
a)当尺寸偏差选定为表1主要尺寸等级I的瓷件,其圆度公差不应超过该表主要尺寸栏中等级I规定的上(或下)极限偏差的绝对值、b)当尺寸偏差选定为表1主要尺寸IⅡI等级的瓷件,其圆度公差不应超过该表非主要尺寸栏中等级I规定的上(或下)极限偏差的绝对值。c)若未规定偏差等级时,则按表1非主要尺寸栏中等级I的上(或下)极限偏差的规定。5.2.4.2湿法成形瓷件不应超过(0.01d十2.5)mm(d为直径,单位为mm)。5.2.5同轴度
瓷件的同轴度公差规定如下:
a)干法成形瓷件不应超过表1主要尺寸栏中等级I或等级Ⅱ规定的上(或下)极限偏差的绝对值。其尺寸按大圆直径确定。
若未规定偏差等级时,则按等级Ⅱ的规定。b)湿法成形瓷件应不超过表2主要尺寸栏中等级I或非主要尺寸栏规定的上(或下)极限偏差的绝对值。尺寸按大圆直径确定。若未规定偏差等级时,则按非主要尺寸栏的规定。5.3瓷件的外观质量
5.3.1瓷件应在规定的部位均匀地上一层光滑、发亮并坚硬的釉,釉面应无裂纹和影响其良好运行性能的其他缺陷。釉不应有显著的色调不均现象,但因釉较薄而颜色较浅是允许的,例如在半径较小的边缘部位的釉面。
5.3.2瓷件表面缺陷不应超过表5的规定,且不应影响瓷件的安装和连接。5.3.3堆釉、折痕、压痕的高度或深度不应超过表5的规定,刀痕和波纹的深度不应超过0.5mm,这些缺陷不计算在表5缺陷总面积内。5.3.4 瓷件的釉面针孔不应超过(瓷件总面积 (mm)×3) 个。100
5.3.5瓷件焙烧支承部位不上釉面不算作缺陷,但其不上釉高度不应超过3mm。5.3.6瓷件螺纹缺牙长度不应超过瓷螺纹总长的10%,且不应影响其配合。5.3.7瓷件重要部位表面单个缺陷面积应不超过表5规定的单个缺陷面积的0.8倍。注:瓷件的重要部位应在图样上注明。5.4干法成形瓷件的吸水率
干法成形瓷件的吸水率不应超过0.8%。4
瓷件类别
湿法成形
千法成形
通信绝缘子瓷件
其他瓷件
LXB≤1500
1500
不允许
总长度
总面积
斑点、杂质、
烧缺等直径
JB/T10583—2006
其他缺陷
粘釉或
碰损面积
深度或
总面积
注1:表中L×B值指瓷件在投影面投影的两个最大的外形尺寸,长度(或高度)与宽度(或直径)的乘积。对于T形瓷件以实际投影面积作为LXB值。注2:干法成形瓷件因脱模或其他原因而引起的孔口缺损,按碰损处理。注3:瓷件表面缺陷堆聚相连(例如两个斑点连在一起)应作单个缺陷处理。“干法成形瓷件的开裂,除应符合表中规定外,且不应有影响电气机械性能的贯穿瓷体的开裂。湿法成形瓷件的孔隙性
湿法成形瓷件的剖面应均质致密,经孔隙性试验后不应有任何渗透现象。温度循环试验要求
瓷件应能耐受三次冷热温差为70K的温度循环试验而不损坏。瓷件在冷水和热水中停留时间均为15min。
5.7干法成形低压电器瓷件的电气和机械性能试验要求5.7.1干法成形的低压电器瓷件,应能耐受表6规定的工频试验电压1min而不击穿或闪络。表61min工频试验电压
瓷件额定电压U,
U,≤220
220660U,>800
5.7.2干法成形的低压电器瓷件,其绝缘电阻不应小于20MQ2。5.7.3干法成形的低压电器瓷件,其机械强度应符合如下规定:a)试样的冲击弯曲强度不低于1.3kJ/m2;试验电压(有效值)不小于
b)瓷件的打击试验的强度和次数由产品标准规定或供需双方协议。6试验方法
6.1外观检查
外观检查以目力观察方法进行,必要时使用量具,如瓷件表面有细小气泡或颜色不均而不能判断绝缘体是否良好时,应选出具有上述缺陷的代表性产品进行剖面检查或作孔隙性试验,如剖面检查发现瓷质不致密(有大量气孔)或有渗透现象时,则瓷件不合格。6.2尺寸检查
检查时应采用游标卡尺、直尺等标准量具或特制量具进行测量。5
JB/T10583-2006
6.3形位公差检查
6.3.1平行度
测量时,将试品直立安装在旋转平台中心,平台表面与旋转轴线应垂直(见图1)。顶端端面上用合适的方法将一块厚度(不小于15mm)均匀的圆板同心地固定在试品上,旋转平台一周,用千分表测量圆板上直径为100mm处表面至支架横梁间的距离(即图1中A的距离),计算其最大值与最小值之差即为端面平行度公差。
也可将瓷件(包括瓷套或瓷板类)置于平台中心,直接测量瓷件上端表面至支架横梁间的距离。注:如产品标准未注明测量部位尺寸时,在产品上的实际测量值应换算为Φ100mm处的数值。参照直径
6.3.2平面度
测量时,用刀口尺或直尺与被测试品表面直接接触,并使两者之间的最大间隙为最小,用塞尺(厚薄规)测量最大间隙,在表面上各点测量中的最大间隙(t)为试品表面的平面度公差,如图2所示。直尺
6.3.3圆度
检查时,测量垂直于轴线的同一截面上任意两个直径方向的最大直径与最小直径,其差值的一半作为圆度公差测量的近似值。
6.3.4同轴度
使用与6.3.1相同的安装方法(见图1)。当瓷件在平台上转动一周时用千分表读取圆板外缘处与支架与支柱间的距离(即图1中B的距离),其最大值与最小值之差的一半即为同轴度公差。6
JB/T10583—2006
也可将(例如有加工圆柱面的)瓷件置于平台中心,当瓷件在平台上转动一周时直接用千分表测量瓷件与支架横梁间的距离。
6.4温度循环试验
试验程序按GB/T1001.1一2003中第24章的规定。6.5孔隙性试验
试验程序按GB/T1001.12003中第26章的规定。6.6吸水率试验
6.6.1试品
试品应是从瓷件上敲下来的小块,其重量为30g~50g,或是小型瓷件的整个瓷件的部分(应有断裂面),试块的上釉面(包括焙烧支承面)一般不应超过试块表面积的30%,表面应于净无油污,且无敲击瓷件形成的可见裂纹。
6.6.2试验程序
试验时,将试块全部浸人盛有洁净的蒸馏水的容器内,并使水面高于瓷块上表面50mm,试块在水中停留24h。在前4h,水应保持沸腾,水由冷至沸腾的时间不应超过30min(此时间包括在4h内)。从第5h开始冷却,到第24h末取出试块。然后用拧干的湿纱布(或滤纸)吸去试块表面的水分,并立即称量(为保持试块湿度,可将其置于玻璃器皿中)。然后在110℃土5℃的温度下干燥至恒重。称量前,试块应放在干燥器内冷却至周围空气温度。称量准确度为0.001g。6.6.3试验结果计算
瓷件的吸水率,按下式计算:
吸水率==m2×100%
式中:
ml—试块干燥前的重量,单位为g:m2试块干燥后的重量,单位为g。吸水率计算准确到小数点后两位数字。瓷件吸水率以各试块吸水率的算术平均值计算。6.7工频耐受电压试验
6.7.1试验的一般条件
试验的大气条件和试验电压应符合GB/T16927.1的规定。6.7.2试验设备与装置
试验用变压器的容量应不小于0.5kVA。试验用试验箱(或者恒湿箱)的容积应不小于瓷件连同座台所占容积的三倍,试验装置如图3所示。-瓷件:2-
箱盖:3-
金属网座:4
绝缘套管;5—
净水;6——水封。
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