【机械行业标准(JB)】 静电复印硒鼓 光电性能测量方法

ICS37.100.01
备案号：21873—2007
中华人民共和国机械行业标准　JB/T5531-—2007
代替JB/T5531-1991
静电复印硒鼓
光电性能测量方法
Selenium drum for electrostatic copying-Measuringmethod of photoelectric performance2007-10-08发布
2008-03-01实施
中华人民共和国国家发展和改革委员会发布前言，
术语和定义
方法原理.
测试装置.
测试条件..
测试环境条件
硒鼓转速设定.
充电电流的设定，
曝光条件的设定，
5.5消电条件的设定
6测试步骤..
6.1方法A的测试步骤
6.2方法B的测试步骤.
7测试报告..
测试装置示意图
图2电流校正规示意图..
图3测试Uo的时序示意图
图4测试DDR的时序示意图
测试U的时序示意图
测试UR的时序示意图，
测试光电疲劳性能的时序示意图图8
方法B的测试时序示意图
JB/T5531--2007
本标准代替JB/T5531--1991《静电复印硒鼓支光电性能测量方法》。
本标准与JB/T5531一1991相比，主要变化如下：一增加标准的英文名称：
一增加前言：
一将第1章“主题内容与适用范围”改为“范围”将第2章“术语符号”改为“术语和定义”，并增加术语的英文名称；根据GB/T1.1--2000对标准的结构和格式进行了编辑和调整：-删除附加说明。
本标准由中国机械工业联合会提出。本标准由全国复印机械标准化委员会（SAC/TC147）归口。本标准起草单位：天津复印技术研究所本标准主要起草人：赵晓东、唐云山、赵桂华。本标准所代替标准的历次版本发布情况-JB/T55311991。
JB/T5531—2007
1范围
静电复印硒鼓光电性能测量方法JB/T5531-2007
本标准规定了测量静电复印硒鼓光电性能的两种方法（方法A和方法B），内容包括方法原理、测试装置、测试条件、测试步骤和测试报告。本标准适用于硒及硒合金类型静电复印硒鼓。2术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。2.1
初始电位（Uo）initialpotential硒鼓在暗处及设定的充电条件下充电后表面所带的电位，单位V。2.2
暗衰减率（DDR）
dark decay rate免费标准bzxz.net
硒鼓在暗处及设定的表面电位下，表面电位的衰减速率，单位V/s。2.3
感度sensitivity
半衰（减）曝光量（Hso）halfdecayexposure硒鼓表面电位由800V衰减到400V所需的曝光量，单位1x·s。2.3.2
半色调电位U，halftonepotential硒鼓在800V的表面电位下，经设定的半色调曝光量曝光后，表面所带的电位，单位V。2.4
半色调光量halftoneexposure
是测量半色调电位U,时设定的曝光量，它将使曝光后的硒鼓表面电位约为400V，其值大小随硒鼓种类而异，单位Ix·s。
残余电位Uresidualpotential
硒鼓在800V的表面电位下，经设定的白底曝光量曝光后，表面所带的电位，单位V。2.6
wholeexposure
白底曝光量
是测量硒鼓残余电位U,时设定的曝光量，其值的大小随硒鼓的种类而异，单位Ix·S。2.7
光电疲劳photoelectricfatigue在重复充电、曝光、消电的情况下，硒鼓光电性能的劣化现象。常用反映光电疲劳现象的初始电位变化量AU。和残余电位变化量AUp来表示光电疲劳性能。3方法原理
JB/T5531—2007
模拟静电复印机的充电，曝光，消电过程，通过测量硒鼓表面电位在此过程中的变化，求出初始电位、暗衰减率、感度、残余电位及光电疲劳等项光电性能参数。4测试装置
测试装置的结构示意图如图1所示，主要由下列四部分组成：（1）电位测量部分。使用表面电位计，量程为0～2000V，精度不低于1%。（2）曝光用光源部分。使用色温2859K土50K标准灯，到达硒鼓表面的照度可通过中性滤光片和光圈来进行调整。
（3）机械传动及电气控制部分。（4）数据处理及记录，打印输出部分。DC+4.0kV~6.5kV
-充电器：DC4.0kV~6.5kV可调：2-4-—光圈：用于调节到达鼓面照度；5曝光灯：色温2859K土50K：3-扩散片：使到硒鼓表面照度分布均匀：中性滤光片：用于调节到达鼓面的照度：6、7-—表面电位计探头及本体：8、9-—输出信号记录仪及数字打印机；10——消电装置：11--—硒鼓。图1测试装置示意图
5测试条件
测试环境条件
温度19℃～25℃，相对湿度50%～70%。检测前硒鼓应在此条件下于暗处放置12h以上。5.2硒鼓转速设定
根据不同的测量方法，将硒鼓转速调整到设定值，转速偏差≤1%。5.3充电电流的设定
用直径与被测硒鼓直径相同的校正规（见图2）通过调节充电器的充电电压或距校正规表面距离，将充电电流/调整到设定值，电流偏差≤1%。注：充电电流I是指充电时流经校正规单位长度上的电流，单位为μA/cm。5.4曝光条件的设定
根据不同的测量方法和测试项目，通过调节中性滤光片和光圈，将到达硒鼓表面的照度调整到设定值，照度偏差≤1%。
5.5消电条件的设定
根据被测硒鼓的种类，设定最佳消电条件。2
6测试步骤
6.1方法A的测试步骤
O DC+4.0kV~6.5kV
金属铝环
绝缘环
电流校正规示意图
6.1.1将测试装置的硒鼓转速调整到与其配套复印机相同的转速。6.1.2初始电位U.的测试：
6.1.2.1将充电电流调整到企标规定值。6.1.2.2按图3的时序示意图，测出Ug。酒
图3测试U。的时序示意图
6.1.3暗衰减率（DDR）的测试：时间
6.1.3.1调节充电电流，使充电后硒鼓表面的电位为1000V土50V或企标规定值。6.1.3.2按图4的时序示意图，测出U和暗衰10s后的U2。6.1.3.3暗衰减率按式（1）计算：DDR= -U2
式中：
暗衰减率，单位为V/s；
JB/T5531--2007
.++++++++(1)
JB/T5531—2007
U-暗衰前的硒鼓表面电位，单位为VU2一—暗衰10s后的硒鼓表面电位，单位为V。硒鼓
6.1.4半色调电位U.的测试：
图4测试DDR的时序示意图
6.1.4.1按企标规定的半色调曝光量调整硒鼓表面的照度。时间
6.1.4.2选取充电电流值/1，使充电后硒鼓表面电位Uoi高于800V，曝光后的表面电位为Um；选取充电电流值/2，使充电后硒鼓表面电位Uo2低于800V，曝光后的表面电位为UH2。6.1.4.3按图5的时序示意图进行测试。酒
图5测试U.的时序示意图
6.1.4.4半色调电位按式（2）计算：U,=UHr-（Uo1-800）
式中：
U—.半色调电位，单位为V：
UH-UH2
Uoi-Uo2
Uo1—充电电流为I,时，充电后的硒鼓表面电位，单位为V；UHI—硒鼓表面电位为Uoi时，曝光后的表面电位，单位为V；Uo2——充电电流为12时，充电后的硒鼓表面电位，单位为V；Uh2
-硒鼓表面电位为Uo2时，曝光后的表面电位，单位为V。6.1.5残余电位Ur的测试：
按企标规定的白底曝光量调整硒鼓表面电位的照度调节充电电流，使充电后硒鼓表面的电位为800V士10V。6.1.5.3按图6的时序示意图测出UR。6.1.6光电疲劳性能的测试：
将硒鼓表面照度及充电电流调整到企标规定值。6.1.6.1
JB/T5531—2007
6.1.6.2按图7的时序示意图进行测试，测出第一个周期的初始电位Uoo和残余电位Ugo1及经50个疲劳周期后的初始电位Uo5o和UR50°硒[U
面电：
图6测试Ux的时序示意图
6.1.6.3初始电位变化量△U和残余电位变化量△Ur分别按式（3）和式（4）计算AUoUos0-Uoo1
式中：
AU。初始电位变化量，单位为V；Uoor
式中：
-硒鼓在第一个周期时的初始电位，单位为V；硒鼓经50个疲劳周期后的初始电位，单位为V。△UR=UR50-UR01
-残余电位变化量，单位为V；
JB/T5531-2007
硒鼓在第一个周期时的残余电位，单位为V；硒鼓经50个疲劳周期后的残余电位，单位为V。硒
6.2方法B的测试步骤
50周期
测试光电疲劳性能的时序示意图图7
6.2.1调整硒鼓转速到200r/min，将硒鼓表面的照度及充电电流调到企标规定值，按图8的时序示意图进行测试。
6.2.2测试结果的计算及表示：
半衰减曝光量按式（5）计算：
式中：
H5o---半衰减曝光量，单位为lx·s;Ep—-硒鼓表面的曝光量照度，Ix；硒鼓表面电位由800V降至400V所需的时间，单位为s；d一-曝光光缝宽度，单位为cm；D
一硒鼓直径，单位为cm。
暗衰减率按式（6）计算
式中：
DDR暗衰率，单位为V/s；
DDR= ,-U2
U-暗衰减前的硒鼓表面电位，单位为V；U2
暗衰10s后的硒鼓表面电位，单位为V。(5）)
0→11：按企标设定的充电时间，此时硒鼓表面达到的电位即为初始电位Uo:0→12：硒鼓表面电位达到1000V土50V所需的时间；t2→13：暗衰时间，定为10s；
1a+15：曝光时硒鼓表面电位由800V下降到400V所需的时间：t4-16：按企标设定的曝光时间，此时硒鼓表面所带的电位即为残余电位UR；t6-t7：消电时间。
3方法B的测试时序示意图
测试报告
应包括以下内容：
a）测试依据（本标准号）；
b）产品名称及型号；
c）生产厂家或委托测量单位；
d）生产日期；
e）样品编号；
f）测试结果。
JB/T5531—2007
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