【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ＦＨ１８１Ａ型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL-5961
半导体分立器件
SJ20306-93
FH181A型NPN硅功率达林顿
晶体管详细规范
Detail specificationfortypeFH181ANPN silicon power Darlington transistor1993-05-11发布
1993-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
FH181A型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
Detail specification for type FH181ANPNsiliconpowerDarlingtontransistor1.1主题内容
SJ20306--93
本规范规定了FH181A型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的F3-04A型及如下的规定（见图1）。mm
中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布E
F3-04A
iiKAoNiiKAca
引出端识别：
1基极
2-集电极
3一发射极
1993-07-01实施
最大额定值
FH181A
Te=25C
SJ20306-93
注1)Tc>25C时，按520mW/C的速率线性地降额。1.4主要电特性(T^=25℃）
极限值
Veg-2V
最小值
FH181A
2引用文件
GB4587--84
GB7581-87
GJB33-—85
GJB128—86
3要求
3.1详细要求
Vee(sat)
最大值
Vae(sat)
最大值
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计，结构和外形尺寸
最大值
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出线材料和涂层
(μus)
最大值
-55~150
Vee-10V
(c/W）
最大值
引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4，质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
SJ20306—93
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛
（见GJB33的表2)
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.最后测试：
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
T=140±10℃
Vce-50V
Prot≥26W
4.4质量一致性检验
Icron和hrel
按本规范表1的A2分组
AIca0≤初始值的100%或100μA，取较大者hrel≤初始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2热阻
热阻测试应按GB4587和2.10和下列规定。a.加功率时的Ic=1A；
h.Vce=10V;
c.基准温度测试点应为管壳；
d，基准点温度范围为25℃Tc≤75℃。实际温度应记录；e.安装应带散热器：
f.RhGj-e的最大极限值应为1.9C/W。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。iiKAoNiKAca-
检验和试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极-发射极击
穿电压
发射极-基极击穿
集电极-基极毅止
集电极-发射极
截止电流
集电极-发射极饱
和电压
基极-发射极饱
和电压
正向电流传输比
A3分组
高温工作：
集电极-基极
截止电流
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
下降时间
贮存时间
A5分组
安全工作区（直流）
试验1
试验2
试验3
最后测试：
GJB128
本规范
附录A
GB4587
SJ20306—93
表1A组检验
发射极-基极开路
lc=3mA
集电极-基极开路
Ig=3mA
发射极-基极开路
Vea=800V
发射极-基极开路
VcE=400V
Vee-2V
TA-125±5℃
发射极-基极开路
Ve#—560V
TA--55C
Veg-2V
脉冲法（见4.5.1）
Ig-1=0.5A
Te=25℃
t=1s，单次
le=10A
Veg=15V
Veg800V
le=20mA
见表4步骤1和3
VRRICFO
VCR>EBO
Veg(nt)
Vae(cat
极限值
最小值
最大值
B1分组
检验和试验
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
键合强度
B6分组
高温寿命
（不工作状态）
最后测试
检验和试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(玻璃应力）
引出端强度
综合温度
湿度周期试验
外观及机械检验
最后测试：
GJB128
见图1
SJ20306--93
表2B组检验
GJB128
低温一55℃，循环10次
其余为试验条件B
见表4步骤1和3
T=140±10℃
Vce-50V
Ph≥26W
见表4步聚2和4
试验条件A
TA-150℃
见表4步骤1和3
表3C组检验
试验条件B
试验条件A
见表4步1和3
iiKAoNKAca-
20(C=0)
极限值
最大值
最小值
检验和试验
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
(适用时）
盐气(侵蚀）
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
C8分组
GB4587
集电极-基极截止电流
集电极-基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
GJB128
SJ20306—93
续表3
见表4步骤1和3
T,=140±10℃
VcE-50V
Pt=26W
Te-100℃
见表4步骤2和4
Vee10V
表 4A组、B组和 C组最后检验
发射极-基极开路：
VcB=-800V
发射极-基极开路；
VeaB0oV
Vee-2V
注：1）本测试超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
极限值
最小值
最大值
极限值
最小值最大值bzxz.net
初始值的
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定
说明事项
SJ20306-93
合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层（见3.2.1)。6.1
2若使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.2
6.3直流安全工作区（见图2）。om
集电极-发射极电压Vce(V)
图2FH181A的直流安全工作区
-iiKAoNKAca-
入1目的
S.J20306-93
附录A
集电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
电压源
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极-发射极击穿电压测试电路A3
测试步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过渡的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR>CEo的最低极限，晶体管为合格本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须在晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
规定条件
a.环境温度TA;
b.测试电流Ic。
附加说明：
本规范由中国电子工业总公司提出本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：蔡仁明、张滨。计划项目代号：B01020。
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